元器件型号:12145
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型号: UGF2004GHC0G
品牌: TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述: DIODE ARRAY GP 200V ITO-220AB
参数: 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:200V
2每个/平均整流电流(io)2:20A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:
外壳:TO-220-3 全封装,隔离接片
封装:ITO-220AB
料号:E4-11460
包装:
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合作现货:0
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品牌: TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述: DIODE ARRAY GP 300V ITO-220AB
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4二极管类型4:标准
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2每个/平均整流电流(io)2:20A
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外壳:TO-220-3 全封装,隔离接片
封装:ITO-220AB
料号:E4-11461
包装:
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型号: UGF2006GHC0G
品牌: TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述: DIODE ARRAY GP 400V ITO-220AB
参数: 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 300V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 400V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
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外壳:TO-220-3 全封装,隔离接片
封装:ITO-220AB
料号:E4-11462
包装:
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型号: UGF2007G C0G
品牌: TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述: DIODE ARRAY GP 500V ITO-220AB
参数: 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 300V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 400V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:500V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 500V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:500V
2每个/平均整流电流(io)2:20A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:
外壳:TO-220-3 全封装,隔离接片
封装:ITO-220AB
料号:E4-11463
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UGF2007G C0G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
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品牌: TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述: DIODE ARRAY GP 500V ITO-220AB
参数: 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 300V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 400V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:500V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 500V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:500V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 500V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:500V
2每个/平均整流电流(io)2:20A
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外壳:TO-220-3 全封装,隔离接片
封装:ITO-220AB
料号:E4-11464
包装:
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品牌: TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述: DIODE ARRAY GP 600V ITO-220AB
参数: 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 300V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 400V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:500V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 500V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:500V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 500V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 600V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:600V
2每个/平均整流电流(io)2:20A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:
外壳:TO-220-3 全封装,隔离接片
封装:ITO-220AB
料号:E4-11465
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UGF2008GHC0G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UGF2008GHC0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UGF2008GHC0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号: BYQ42E-200Q
描述: DIODE ARRAY GP 200V 15A TO220AB
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型号: BYQ72EK-200Q
描述: DIODE ARRAY GP 200V 15A TO3P
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包装:
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型号: BYQ72EW-200Q
描述: DIODE ARRAY GP 200V 15A TO247-3
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外壳:TO-247-3
封装:TO-247-3
料号:E4-11468
包装:
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海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: BYV32E-200PQ
描述: DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220AB
参数: 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 300V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 400V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:500V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 500V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:500V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 500V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 600V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 200V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 600V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 200V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:200V
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外壳:TO-220-3
封装:TO-220AB
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合作现货:0
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型号: BYV430K-300PQ
描述: DIODE ARRAY GP 300V 30A TO3P
参数: 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 300V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 400V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:500V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 500V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:500V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 500V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 600V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 200V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 600V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 200V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V
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外壳:TO-3P-3,SC-65-3
封装:TO-3P
料号:E4-11470
包装:
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合作现货:0
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状态: 在售
型号: BYV430W-300PQ
描述: DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247-3
参数: 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 300V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 400V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:500V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 500V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:500V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 500V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 600V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 200V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 600V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 200V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:300V
2每个/平均整流电流(io)2:30A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:
外壳:TO-247-3
封装:TO-247-3
料号:E4-11471
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BYV430W-300PQ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'WeEn Semiconductors' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BYV430W-300PQ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BYV430W-300PQ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BYV430W-300PQ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: DD81S12KHPSA1
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: DIODE ARRAY MOD 1000V 150A
参数: 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 300V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 400V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:500V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 500V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:500V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 500V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 600V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 200V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 600V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 200V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:- 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
替代:
1二极管配置1:-
4二极管类型4:-
3反向DC电压(vr)最大值3:-
2每个/平均整流电流(io)2:-
5速度:-
6工作温度-结:
外壳:-
封装:-
料号:E4-11472
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DD81S12KHPSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态: 在售
型号: DD81S14KHPSA1
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: DIODE MODULE GP 1400V 96A
参数: 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 300V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 400V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:500V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 500V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:500V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 500V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 600V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 200V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 600V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 200V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:- 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:96A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.55V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40mA @ 1400V
替代:
1二极管配置1:1 对串联
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:1400V
2每个/平均整流电流(io)2:96A
5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-40°C ~ 15
外壳:模块
封装:模块
料号:E4-11473
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DD81S14KHPSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DD81S14KHPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: DD81S14KAHPSA1
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: DIODE ARRAY MOD 1000V 150A
参数: 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 300V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 400V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:500V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 500V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:500V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 500V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 600V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 200V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 600V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 200V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:- 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:96A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.55V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40mA @ 1400V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *5速度:- 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
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1二极管配置1:-
4二极管类型4:-
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2每个/平均整流电流(io)2:-
5速度:-
6工作温度-结:-
外壳:-
封装:-
料号:E4-11474
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DD81S14KAHPSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DD81S14KAHPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DD81S14KAHPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DD81S14KAHPSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: DD81S14KKHPSA1
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: DIODE ARRAY MOD 1000V 150A
参数: 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 300V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 400V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:500V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 500V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:500V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 500V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 600V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 200V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 600V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 200V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:- 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:96A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.55V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40mA @ 1400V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *5速度:- 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *5速度:- 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
替代:
1二极管配置1:-
4二极管类型4:-
3反向DC电压(vr)最大值3:-
2每个/平均整流电流(io)2:-
5速度:-
6工作温度-结:-
外壳:-
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料号:E4-11475
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型号: DD82S04KHPSA1
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: DIODE ARRAY MOD 100V 150A
参数: 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 300V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 400V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:500V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 500V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:500V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 500V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 600V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 200V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 600V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 200V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:- 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:96A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.55V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40mA @ 1400V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *5速度:- 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *5速度:- 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *5速度:- 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
替代:
1二极管配置1:-
4二极管类型4:-
3反向DC电压(vr)最大值3:-
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5速度:-
6工作温度-结:-
外壳:-
封装:-
料号:E4-11476
包装:
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型号: DD82S08KHPSA1
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: DIODE ARRAY MOD 100V 150A
参数: 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 300V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 400V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:500V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 500V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:500V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 500V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 600V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 200V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 600V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 200V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:- 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:96A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.55V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40mA @ 1400V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *5速度:- 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *5速度:- 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *5速度:- 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *5速度:- 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
替代:
1二极管配置1:-
4二极管类型4:-
3反向DC电压(vr)最大值3:-
2每个/平均整流电流(io)2:-
5速度:-
6工作温度-结:-
外壳:-
封装:-
料号:E4-11477
包装:
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合作现货:0
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型号: DD82S08KKHPSA1
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: DIODE ARRAY MOD 100V 150A
参数: 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 300V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 400V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:500V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 500V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:500V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 500V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 600V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 200V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 600V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 200V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:- 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:96A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.55V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40mA @ 1400V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *5速度:- 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *5速度:- 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *5速度:- 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *5速度:- 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *5速度:- 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
替代:
1二极管配置1:-
4二极管类型4:-
3反向DC电压(vr)最大值3:-
2每个/平均整流电流(io)2:-
5速度:-
6工作温度-结:-
外壳:-
封装:-
料号:E4-11478
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DD82S08KKHPSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: DD82S10KHPSA1
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: DIODE MODULE GP 100V 96A
参数: 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 300V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 400V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:500V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 500V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:500V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 500V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 600V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 200V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 600V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 200V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:- 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:96A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.55V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40mA @ 1400V 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *5速度:- 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *5速度:- 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *5速度:- 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *5速度:- 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *5速度:- 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:96A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.55V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40mA @ 100V
替代:
1二极管配置1:1 对串联
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:100V
2每个/平均整流电流(io)2:96A
5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-40°C ~ 15
外壳:模块
封装:模块
料号:E4-11479
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DD82S10KHPSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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