元器件型号:12145
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
型号: WNS20S100CQ
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220E
参数: 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:100V
2每个/平均整流电流(io)2:10A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:
外壳:TO-220-3
封装:TO-220E
料号:E4-11560
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'WNS20S100CQ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'WeEn Semiconductors' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'WNS20S100CQ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'WNS20S100CQ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'WNS20S100CQ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: BYV32EB-200PJ
描述: DIODE ARRAY GP 200V 20A D2PAK
参数: 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:200V
2每个/平均整流电流(io)2:20A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:
外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
封装:D2PAK
料号:E4-11561
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BYV32EB-200PJ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'WeEn Semiconductors' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BYV32EB-200PJ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BYV32EB-200PJ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BYV32EB-200PJ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: BYV415J-600PQ
描述: DIODE TO3PF STANDARD M
参数: 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:- 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
替代:
1二极管配置1:-
4二极管类型4:-
3反向DC电压(vr)最大值3:-
2每个/平均整流电流(io)2:-
5速度:-
6工作温度-结:
外壳:-
封装:-
料号:E4-11562
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BYV415J-600PQ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'WeEn Semiconductors' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BYV415J-600PQ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BYV415J-600PQ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BYV415J-600PQ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: BAS56 TR
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE SWITCHING DUAL SOT143
参数: 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:- 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 60V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:60V
2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC)
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:
外壳:TO-253-4,TO-253AA
封装:SOT-143
料号:E4-11563
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAS56 TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS56 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS56 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS56 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: BAS56 BK
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE SWITCHING DUAL SOT143
参数: 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:- 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 60V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 60V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:60V
2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC)
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:
外壳:TO-253-4,TO-253AA
封装:SOT-143
料号:E4-11564
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAS56 BK' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS56 BK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS56 BK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS56 BK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: WNS20H100CBJ
描述: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK
参数: 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:- 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 60V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 60V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:100V
2每个/平均整流电流(io)2:10A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:
外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
封装:D2PAK
料号:E4-11565
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'WNS20H100CBJ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'WeEn Semiconductors' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'WNS20H100CBJ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'WNS20H100CBJ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'WNS20H100CBJ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号: WNS20H100CQ
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220E
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1二极管配置1:1 对共阴极
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6工作温度-结:
外壳:TO-220-3
封装:TO-220E
料号:E4-11566
包装:
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态: 在售
型号: WNS30H100CBJ
描述: DIODE ARRAY SCHOT 100V 15A D2PAK
参数: 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:- 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 60V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 60V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
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6工作温度-结:
外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
封装:D2PAK
料号:E4-11567
包装:
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合作现货:0
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状态: 在售
型号: WNS30H100CQ
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220E
参数: 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:- 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 60V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 60V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:100V
2每个/平均整流电流(io)2:15A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:
外壳:TO-220-3
封装:TO-220E
料号:E4-11568
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'WNS30H100CQ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'WeEn Semiconductors' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'WNS30H100CQ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'WNS30H100CQ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'WNS30H100CQ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: WNS40H100CBJ
描述: DIODE ARRAY SCHOT 100V 20A D2PAK
参数: 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:- 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 60V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 60V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:100V
2每个/平均整流电流(io)2:20A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:
外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
封装:D2PAK
料号:E4-11569
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'WNS40H100CBJ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'WeEn Semiconductors' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'WNS40H100CBJ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
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状态: 在售
型号: WNS40H100CQ
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220E
参数: 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:- 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 60V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 60V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:100V
2每个/平均整流电流(io)2:20A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:
外壳:TO-220-3
封装:TO-220E
料号:E4-11570
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'WNS40H100CQ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'WeEn Semiconductors' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'WNS40H100CQ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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1~2周可到达
状态: 在售
型号: BAV70W/MIF
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: SWITCHING DIODE
参数: 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:- 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 60V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 60V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:175mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:100V
2每个/平均整流电流(io)2:175mA(DC)
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:
外壳:SC-70,SOT-323
封装:SOT-323
料号:E4-11571
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAV70W/MIF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV70W/MIF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV70W/MIF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV70W/MIF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: BAV70W/MIX
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: SWITCHING DIODE
参数: 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:- 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 60V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 60V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:175mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:175mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:100V
2每个/平均整流电流(io)2:175mA(DC)
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:
外壳:SC-70,SOT-323
封装:SOT-323
料号:E4-11572
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAV70W/MIX' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV70W/MIX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV70W/MIX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV70W/MIX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: BAV99W/MIF
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: SWITCHING DIODE
参数: 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:- 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 60V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 60V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:175mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:175mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V
替代:
1二极管配置1:1 对串联
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:100V
2每个/平均整流电流(io)2:150mA(DC)
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:
外壳:SC-70,SOT-323
封装:SOT-323
料号:E4-11573
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAV99W/MIF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号: BAV99W/MIX
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: SWITCHING DIODE
参数: 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:- 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 60V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 60V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:175mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:175mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V
替代:
1二极管配置1:1 对串联
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:100V
2每个/平均整流电流(io)2:150mA(DC)
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:
外壳:SC-70,SOT-323
封装:SOT-323
料号:E4-11574
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAV99W/MIX' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV99W/MIX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV99W/MIX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: SWITCHING DIODE
参数: 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:- 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 60V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 60V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:175mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:175mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V
替代:
1二极管配置1:1 对共阳极
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:90V
2每个/平均整流电流(io)2:150mA(DC)
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:
外壳:SC-70,SOT-323
封装:SOT-323
料号:E4-11575
包装:
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合作现货:0
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状态: 在售
型号: TB320S
品牌: Jingdao/晶导微 Jingdao Microelectronics Co.,Ltd 晶导微
描述:
参数: 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:- 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 60V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 60V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:175mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:175mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:肖特基整流桥 制造商:Jingdao/晶导微 制造商统称:未设定 制造商统称:Jingdao Microelectronics Co.,Ltd 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:
替代:
1二极管配置1:
4二极管类型4:
3反向DC电压(vr)最大值3:
2每个/平均整流电流(io)2:
5速度:
6工作温度-结:
外壳:
封装:ABS
料号:E4-11576
包装: 5000个/
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合作现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: TB315S
品牌: Jingdao/晶导微 Jingdao Microelectronics Co.,Ltd 晶导微
描述:
参数: 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:- 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 60V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 60V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:175mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:175mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:肖特基整流桥 制造商:Jingdao/晶导微 制造商统称:未设定 制造商统称:Jingdao Microelectronics Co.,Ltd 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:肖特基整流桥 制造商:Jingdao/晶导微 制造商统称:未设定 制造商统称:Jingdao Microelectronics Co.,Ltd 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:
替代:
1二极管配置1:
4二极管类型4:
3反向DC电压(vr)最大值3:
2每个/平均整流电流(io)2:
5速度:
6工作温度-结:
外壳:
封装:ABS
料号:E4-11577
包装: 5000个/
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型号: TB310S
品牌: Jingdao/晶导微 Jingdao Microelectronics Co.,Ltd 晶导微
描述:
参数: 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:- 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 60V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 60V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:175mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:175mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:肖特基整流桥 制造商:Jingdao/晶导微 制造商统称:未设定 制造商统称:Jingdao Microelectronics Co.,Ltd 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:肖特基整流桥 制造商:Jingdao/晶导微 制造商统称:未设定 制造商统称:Jingdao Microelectronics Co.,Ltd 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:肖特基整流桥 制造商:Jingdao/晶导微 制造商统称:未设定 制造商统称:Jingdao Microelectronics Co.,Ltd 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:
替代:
1二极管配置1:
4二极管类型4:
3反向DC电压(vr)最大值3:
2每个/平均整流电流(io)2:
5速度:
6工作温度-结:
外壳:
封装:ABS
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包装: 5000个/
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型号: TB38S
品牌: Jingdao/晶导微 Jingdao Microelectronics Co.,Ltd 晶导微
描述:
参数: 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:- 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 60V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 60V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:175mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:175mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:肖特基整流桥 制造商:Jingdao/晶导微 制造商统称:未设定 制造商统称:Jingdao Microelectronics Co.,Ltd 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:肖特基整流桥 制造商:Jingdao/晶导微 制造商统称:未设定 制造商统称:Jingdao Microelectronics Co.,Ltd 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:肖特基整流桥 制造商:Jingdao/晶导微 制造商统称:未设定 制造商统称:Jingdao Microelectronics Co.,Ltd 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:肖特基整流桥 制造商:Jingdao/晶导微 制造商统称:未设定 制造商统称:Jingdao Microelectronics Co.,Ltd 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:
替代:
1二极管配置1:
4二极管类型4:
3反向DC电压(vr)最大值3:
2每个/平均整流电流(io)2:
5速度:
6工作温度-结:
外壳:
封装:ABS
料号:E4-11579
包装: 5000个/
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海外现货:0
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