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元器件型号：12145 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： STTH602CSFY
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： AUTOMOTIVE ULTRAFAST RECTIFIER 2
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4µA @ 200V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：200V
2每个/平均整流电流(io)2：3A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：
外壳：TO-277，3-PowerDFN
封装：TO-277A（SMPC）
料号：E4-11821
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STTH602CSFY' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STTH602CSFY' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STTH602CSFY' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STTH602CSFY' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： NRVTS660MFDT3G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： 60V 6A TRENCH RECTIFIER
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4µA @ 200V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:- 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
替代：
1二极管配置1：-
4二极管类型4：-
3反向DC电压(vr)最大值3：-
2每个/平均整流电流(io)2：-
5速度：-
6工作温度-结：
外壳：-
封装：-
料号：E4-11822
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NRVTS660MFDT3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NRVTS660MFDT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NRVTS660MFDT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NRVTS660MFDT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： STTH1002CSFY
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： AUTOMOTIVE 200V, DUAL 5A ULTRAFA
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4µA @ 200V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:- 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4µA @ 200V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：200V
2每个/平均整流电流(io)2：5A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：
外壳：TO-277，3-PowerDFN
封装：TO-277A（SMPC）
料号：E4-11823
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STTH1002CSFY' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STTH1002CSFY' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STTH1002CSFY' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STTH1002CSFY' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： NRVTS660MFDT1G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： 60V 6A TRENCH RECTIFIER
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4µA @ 200V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:- 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4µA @ 200V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:- 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
替代：
1二极管配置1：-
4二极管类型4：-
3反向DC电压(vr)最大值3：-
2每个/平均整流电流(io)2：-
5速度：-
6工作温度-结：
外壳：-
封装：-
料号：E4-11824
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NRVTS660MFDT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NRVTS660MFDT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NRVTS660MFDT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NRVTS660MFDT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： GE2X8MPS06D
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： 650V 16A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4µA @ 200V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:- 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4µA @ 200V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:- 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:19A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io）
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：碳化硅肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：碳化硅肖特基
2每个/平均整流电流(io)2：19A（DC）
5速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
6工作温度-结：
外壳：TO-247-3
封装：TO-247-3
料号：E4-11825
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GE2X8MPS06D' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GE2X8MPS06D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GE2X8MPS06D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GE2X8MPS06D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： GE2X10MPS06D
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： 650V 20A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4µA @ 200V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:- 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4µA @ 200V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:- 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:19A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:23A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io）
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：碳化硅肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：碳化硅肖特基
2每个/平均整流电流(io)2：23A（DC）
5速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
6工作温度-结：
外壳：TO-247-3
封装：TO-247-3
料号：E4-11826
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GE2X10MPS06D' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GE2X10MPS06D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GE2X10MPS06D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GE2X10MPS06D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： STPS240H100TV1Y
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： AUTOMOTIVE 100 V, 2X120A, POWER
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4µA @ 200V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:- 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4µA @ 200V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:- 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:19A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:23A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:90µA @ 100V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：100V
2每个/平均整流电流(io)2：120A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：
外壳：SOT-227-4，miniBLOC
封装：ISOTOP
料号：E4-11827
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STPS240H100TV1Y' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STPS240H100TV1Y' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STPS240H100TV1Y' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STPS240H100TV1Y' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： GD2X30MPS06N
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： 650V 60A SOT-227 SIC SCHOTTKY MP
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4µA @ 200V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:- 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4µA @ 200V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:- 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:19A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:23A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:90µA @ 100V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:42A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io）
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：碳化硅肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：碳化硅肖特基
2每个/平均整流电流(io)2：42A（DC）
5速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
6工作温度-结：
外壳：SOT-227-4，miniBLOC
封装：SOT-227
料号：E4-11828
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GD2X30MPS06N' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GD2X30MPS06N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GD2X30MPS06N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GD2X30MPS06N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： GD2X30MPS12N
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： 1200V 60A SOT-227 SIC SCHOTTKY M
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4µA @ 200V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:- 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4µA @ 200V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:- 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:19A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:23A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:90µA @ 100V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:42A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:52A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io）
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：碳化硅肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：碳化硅肖特基
2每个/平均整流电流(io)2：52A（DC）
5速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
6工作温度-结：
外壳：SOT-227-4，miniBLOC
封装：SOT-227
料号：E4-11829
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GD2X30MPS12N' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GD2X30MPS12N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GD2X30MPS12N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GD2X30MPS12N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： PR250KN8N
品牌： Kyocera/京瓷
描述： DIODE MODULE ANODE COMMON D+D 80
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4µA @ 200V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:- 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4µA @ 200V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:- 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:19A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:23A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:90µA @ 100V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:42A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:52A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:250A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 800V
替代：
1二极管配置1：1 对共阳极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：800V
2每个/平均整流电流(io)2：250A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：
外壳：模块
封装：模块
料号：E4-11830
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PR250KN8N' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Kyocera/京瓷' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PR250KN8N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PR250KN8N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： PD230S16
品牌： Kyocera/京瓷
描述： DIODE MODULE PHASE LEG D+D 1.6KV
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4µA @ 200V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:- 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4µA @ 200V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:- 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:19A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:23A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:90µA @ 100V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:42A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:52A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:250A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 800V 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:230A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 1600V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：1600V
2每个/平均整流电流(io)2：230A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：
外壳：模块
封装：模块
料号：E4-11831
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD230S16' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD230S16' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD230S16' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： GD2X75MPS17N
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： 1700V 150A SOT-227 SIC SCHOTTKY
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4µA @ 200V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:- 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4µA @ 200V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:- 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:19A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:23A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:90µA @ 100V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:42A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:52A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:250A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 800V 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:230A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 1600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:115A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:115A（DC） *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io）
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：碳化硅肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：碳化硅肖特基
2每个/平均整流电流(io)2：115A（DC）
5速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：SOT-227-4，miniBLOC
封装：SOT-227
料号：E4-11832
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GD2X75MPS17N' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GD2X75MPS17N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GD2X75MPS17N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GD2X75MPS17N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： SBR20A120CT-G-E1
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE SCHOTTKY TO-220
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4µA @ 200V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:- 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4µA @ 200V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:- 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:19A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:23A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:90µA @ 100V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:42A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:52A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:250A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 800V 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:230A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 1600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:115A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:115A（DC） *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:SBR® 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:超级势垒 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 120V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：超级势垒
3反向DC电压(vr)最大值3：120V
2每个/平均整流电流(io)2：10A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：
外壳：TO-220-3
封装：TO-220AB
料号：E4-12059
包装：
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型号： 81CNQ040SMS2
品牌： SMC/桑德斯 SMC Diode Solutions 桑德斯微电子器件
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V PRM2-SM
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4µA @ 200V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:- 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4µA @ 200V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:- 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:19A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:23A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:90µA @ 100V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:42A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:52A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:250A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 800V 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:230A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 1600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:115A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:115A（DC） *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:SBR® 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:超级势垒 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 120V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:740mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 40V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：40V
2每个/平均整流电流(io)2：80A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
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外壳：PRM2-SM
封装：PRM2-SM
料号：E4-11834
包装：
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型号： 81CNQ045SMS2
品牌： SMC/桑德斯 SMC Diode Solutions 桑德斯微电子器件
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V PRM2-SM
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4µA @ 200V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:- 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4µA @ 200V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:- 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:19A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:23A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:90µA @ 100V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:42A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:52A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:250A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 800V 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:230A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 1600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:115A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:115A（DC） *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:SBR® 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:超级势垒 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 120V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:740mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 40V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:740mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 45V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：45V
2每个/平均整流电流(io)2：80A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
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外壳：PRM2-SM
封装：PRM2-SM
料号：E4-11835
包装：
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型号： 84CNQ035SMS2
品牌： SMC/桑德斯 SMC Diode Solutions 桑德斯微电子器件
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 35V PRM2-SM
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4µA @ 200V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:- 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4µA @ 200V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:- 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:19A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:23A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:90µA @ 100V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:42A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:52A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:250A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 800V 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:230A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 1600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:115A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:115A（DC） *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:SBR® 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:超级势垒 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 120V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:740mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 40V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:740mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 45V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:620mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 35V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：35V
2每个/平均整流电流(io)2：80A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 12
外壳：PRM2-SM
封装：PRM2-SM
料号：E4-11836
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '84CNQ035SMS2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SMC/桑德斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '84CNQ035SMS2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '84CNQ035SMS2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： 84CNQ040SMS2
品牌： SMC/桑德斯 SMC Diode Solutions 桑德斯微电子器件
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V PRM2-SM
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4µA @ 200V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:- 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4µA @ 200V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:- 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:19A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:23A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:90µA @ 100V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:42A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:52A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:250A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 800V 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:230A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 1600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:115A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:115A（DC） *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:SBR® 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:超级势垒 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 120V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:740mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 40V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:740mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 45V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:620mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 35V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:620mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 40V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：40V
2每个/平均整流电流(io)2：80A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 12
外壳：PRM2-SM
封装：PRM2-SM
料号：E4-11837
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '84CNQ040SMS2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SMC/桑德斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '84CNQ040SMS2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '84CNQ040SMS2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '84CNQ040SMS2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 84CNQ060S2
品牌： SMC/桑德斯 SMC Diode Solutions 桑德斯微电子器件
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V PRM2
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4µA @ 200V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:- 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4µA @ 200V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:- 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:19A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:23A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:90µA @ 100V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:42A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:52A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:250A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 800V 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:230A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 1600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:115A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:115A（DC） *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:SBR® 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:超级势垒 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 120V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:740mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 40V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:740mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 45V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:620mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 35V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:620mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 40V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
替代：
1二极管配置1：-
4二极管类型4：-
3反向DC电压(vr)最大值3：-
2每个/平均整流电流(io)2：-
5速度：-
6工作温度-结：-
外壳：PRM2
封装：PRM2
料号：E4-11838
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： 80CNQ045S2
品牌： SMC/桑德斯 SMC Diode Solutions 桑德斯微电子器件
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V PRM2
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4µA @ 200V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:- 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4µA @ 200V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:- 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:19A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:23A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:90µA @ 100V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:42A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:52A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:250A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 800V 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:230A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 1600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:115A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:115A（DC） *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:SBR® 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:超级势垒 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 120V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:740mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 40V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:740mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 45V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:620mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 35V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:620mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 40V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:660mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 45V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：45V
2每个/平均整流电流(io)2：80A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：PRM2
封装：PRM2
料号：E4-11839
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '80CNQ045S2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SMC/桑德斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 80CNQ045SMS2
品牌： SMC/桑德斯 SMC Diode Solutions 桑德斯微电子器件
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V PRM2-SM
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4µA @ 200V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:- 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4µA @ 200V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:- 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:19A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:23A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:90µA @ 100V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:42A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:52A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:250A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 800V 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:230A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 1600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:碳化硅肖特基 *2每个/平均整流电流(io)2:115A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:115A（DC） *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:无恢复时间 > 500mA（Io） 系列:SBR® 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:超级势垒 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 120V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:740mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 40V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:740mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 45V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:620mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 35V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:620mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 40V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:660mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 45V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:660mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 45V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：45V
2每个/平均整流电流(io)2：80A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：PRM2-SM
封装：PRM2-SM
料号：E4-11840
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '80CNQ045SMS2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SMC/桑德斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '80CNQ045SMS2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '80CNQ045SMS2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '80CNQ045SMS2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
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