元器件型号:12145
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
型号: MBRB30H50CT-E3/81
品牌: Vishay/威世 Vishay 威世
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 50V TO263AB
参数: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):680mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60µA @ 50V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:50V
2每个/平均整流电流(io)2:15A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-65°C ~ 17
外壳:TO-263-3,D²PAK(2 引线+接片),TO-263AB
封装:TO-263AB
料号:E4-1361
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBRB30H50CT-E3/81' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRB30H50CT-E3/81' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRB30H50CT-E3/81' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRB30H50CT-E3/81' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号: MBRF20H90CT-E3/45
品牌: Vishay/威世 Vishay 威世
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 90V ITO220
参数: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):680mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):770mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4.5µA @ 90V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:90V
2每个/平均整流电流(io)2:10A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-65°C ~ 17
外壳:TO-220-3 全封装,隔离接片
封装:ITO-220AB
料号:E4-1362
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBRF20H90CT-E3/45' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRF20H90CT-E3/45' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRF20H90CT-E3/45' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRF20H90CT-E3/45' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: DSP8-08S
品牌: IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述: DIODE ARRAY GP 800V 11A TO263
参数: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):680mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):770mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4.5µA @ 90V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:
替代:
1二极管配置1:1 对串联
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:800V
2每个/平均整流电流(io)2:
5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:
外壳:TO-263-3,D²PAK(2 引线+接片),TO-263AB
封装:TO-263(D²PAK)
料号:E4-1363
包装: 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DSP8-08S' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSP8-08S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSP8-08S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSP8-08S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: MBRB2090CT-E3/8W
品牌: Vishay/威世 Vishay 威世
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 90V TO263AB
参数: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):680mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):770mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4.5µA @ 90V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 90V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:90V
2每个/平均整流电流(io)2:10A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-65°C ~ 15
外壳:TO-263-3,D²PAK(2 引线+接片),TO-263AB
封装:TO-263AB
料号:E4-1364
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBRB2090CT-E3/8W' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRB2090CT-E3/8W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRB2090CT-E3/8W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRB2090CT-E3/8W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: VS-43CTQ100-1-M3
品牌: Vishay/威世 Vishay 威世
描述: DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO262
参数: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):680mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):770mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4.5µA @ 90V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 90V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):810mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:100V
2每个/平均整流电流(io)2:20A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-55°C ~ 17
外壳:TO-262-3,长引线,I²PAK,TO-262AA
封装:TO-262
料号:E4-1365
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-43CTQ100-1-M3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-43CTQ100-1-M3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-43CTQ100-1-M3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-43CTQ100-1-M3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: MBRB25H35CT-E3/81
品牌: Vishay/威世 Vishay 威世
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 35V TO263AB
参数: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):680mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):770mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4.5µA @ 90V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 90V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):810mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 35V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:35V
2每个/平均整流电流(io)2:15A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-65°C ~ 17
外壳:TO-263-3,D²PAK(2 引线+接片),TO-263AB
封装:TO-263AB
料号:E4-1366
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBRB25H35CT-E3/81' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRB25H35CT-E3/81' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRB25H35CT-E3/81' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRB25H35CT-E3/81' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态: 在售
型号: MBRB25H45CT-E3/81
品牌: Vishay/威世 Vishay 威世
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO263AB
参数: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):680mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):770mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4.5µA @ 90V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 90V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):810mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 35V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 45V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:45V
2每个/平均整流电流(io)2:15A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-65°C ~ 17
外壳:TO-263-3,D²PAK(2 引线+接片),TO-263AB
封装:TO-263AB
料号:E4-1367
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBRB25H45CT-E3/81' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRB25H45CT-E3/81' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRB25H45CT-E3/81' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRB25H45CT-E3/81' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: MBRB30H35CT-E3/81
品牌: Vishay/威世 Vishay 威世
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 35V TO263AB
参数: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):680mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):770mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4.5µA @ 90V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 90V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):810mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 35V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 45V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):620mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:80µA @ 35V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:35V
2每个/平均整流电流(io)2:15A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-65°C ~ 17
外壳:TO-263-3,D²PAK(2 引线+接片),TO-263AB
封装:TO-263AB
料号:E4-1368
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBRB30H35CT-E3/81' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRB30H35CT-E3/81' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRB30H35CT-E3/81' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRB30H35CT-E3/81' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: NTST60100CTG
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220
参数: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):680mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):770mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4.5µA @ 90V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 90V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):810mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 35V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 45V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):620mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:80µA @ 35V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):840mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1A @ 8100V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:100V
2每个/平均整流电流(io)2:30A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-40°C ~ 15
外壳:TO-220-3
封装:TO-220-3
料号:E4-1369
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTST60100CTG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTST60100CTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTST60100CTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTST60100CTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: STPS3030CG
品牌: ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V D2PAK
参数: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):680mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):770mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4.5µA @ 90V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 90V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):810mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 35V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 45V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):620mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:80µA @ 35V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):840mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1A @ 8100V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 30V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:30V
2每个/平均整流电流(io)2:15A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:
外壳:TO-263-3,D²PAK(2 引线+接片),TO-263AB
封装:D2PAK
料号:E4-1370
包装:
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合作现货:0
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海外现货:0
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1~2周可到达
状态: 在售
型号: STTH16L06CG-TR
品牌: ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述: DIODE ARRAY GP 600V 10A D2PAK
参数: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):680mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):770mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4.5µA @ 90V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 90V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):810mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 35V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 45V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):620mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:80µA @ 35V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):840mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1A @ 8100V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 30V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.8V @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):55ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:8µA @ 600V
替代:
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4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:600V
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外壳:TO-263-3,D²PAK(2 引线+接片),TO-263AB
封装:D2PAK
料号:E4-1371
包装: 1000个/
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: STTH2003CR
品牌: ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述: DIODE ARRAY GP 300V 10A I2PAK
参数: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):680mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):770mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4.5µA @ 90V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 90V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):810mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 35V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 45V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):620mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:80µA @ 35V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):840mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1A @ 8100V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 30V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.8V @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):55ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:8µA @ 600V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 300V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:300V
2每个/平均整流电流(io)2:10A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:175°C(最大)
外壳:TO-262-3,长引线,I²PAK,TO-262AA
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料号:E4-1372
包装:
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海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: VI40120C-M3/4W
品牌: Vishay/威世 Vishay 威世
描述: DIODE SCHOTTKY 40A 100V TO-262AA
参数: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):680mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):770mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4.5µA @ 90V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 90V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):810mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 35V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 45V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):620mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:80µA @ 35V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):840mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1A @ 8100V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 30V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.8V @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):55ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:8µA @ 600V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 300V 系列:Automotive, AEC-Q101, TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 120V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:120V
2每个/平均整流电流(io)2:20A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-40°C ~ 15
外壳:TO-262-3,长引线,I²PAK,TO-262AA
封装:TO-262AA
料号:E4-1373
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VI40120C-M3/4W' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VI40120C-M3/4W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VI40120C-M3/4W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态: 在售
型号: VIT3045CBP-M3/4W
品牌: Vishay/威世 Vishay 威世
描述: DIODE SCHOTTKY 30A 45V TO-262AA
参数: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):680mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):770mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4.5µA @ 90V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 90V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):810mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 35V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 45V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):620mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:80µA @ 35V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):840mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1A @ 8100V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 30V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.8V @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):55ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:8µA @ 600V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 300V 系列:Automotive, AEC-Q101, TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 120V 系列:Automotive, AEC-Q101, TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):570mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 45V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:45V
2每个/平均整流电流(io)2:15A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-40°C ~ 15
外壳:TO-262-3,长引线,I²PAK,TO-262AA
封装:TO-262AA
料号:E4-1374
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VIT3045CBP-M3/4W' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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状态: 热销
型号: MBRB41H100CT-1G
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V I2PAK
参数: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):680mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):770mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4.5µA @ 90V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 90V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):810mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 35V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 45V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):620mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:80µA @ 35V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):840mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1A @ 8100V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 30V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.8V @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):55ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:8µA @ 600V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 300V 系列:Automotive, AEC-Q101, TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 120V 系列:Automotive, AEC-Q101, TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):570mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 45V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 100V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:100V
2每个/平均整流电流(io)2:20A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:175°C(最大)
外壳:TO-262-3,长引线,I²PAK,TO-262AA
封装:I2PAK(TO-262)
料号:E4-1375
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBRB41H100CT-1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRB41H100CT-1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRB41H100CT-1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRB41H100CT-1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: SBLB25L20CTHE3/81
品牌: Vishay/威世 Vishay 威世
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V TO263AB
参数: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):680mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):770mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4.5µA @ 90V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 90V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):810mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 35V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 45V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):620mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:80µA @ 35V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):840mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1A @ 8100V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 30V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.8V @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):55ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:8µA @ 600V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 300V 系列:Automotive, AEC-Q101, TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 120V 系列:Automotive, AEC-Q101, TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):570mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 45V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 100V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:12.5A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:900µA @ 20V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:20V
2每个/平均整流电流(io)2:12.5A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:
外壳:TO-263-3,D²PAK(2 引线+接片),TO-263AB
封装:TO-263AB
料号:E4-1376
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SBLB25L20CTHE3/81' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SBLB25L20CTHE3/81' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SBLB25L20CTHE3/81' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SBLB25L20CTHE3/81' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: SBLB25L30CTHE3/81
品牌: Vishay/威世 Vishay 威世
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V TO263AB
参数: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):680mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):770mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4.5µA @ 90V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 90V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):810mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 35V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 45V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):620mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:80µA @ 35V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):840mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1A @ 8100V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 30V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.8V @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):55ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:8µA @ 600V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 300V 系列:Automotive, AEC-Q101, TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 120V 系列:Automotive, AEC-Q101, TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):570mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 45V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 100V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:12.5A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:900µA @ 20V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:12.5A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:900µA @ 30V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:30V
2每个/平均整流电流(io)2:12.5A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:
外壳:TO-263-3,D²PAK(2 引线+接片),TO-263AB
封装:TO-263AB
料号:E4-1377
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SBLB25L30CTHE3/81' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SBLB25L30CTHE3/81' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SBLB25L30CTHE3/81' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号: VS-12CWQ04FNTRHM3
品牌: Vishay/威世 Vishay 威世
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V 6A DPAK
参数: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):680mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):770mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4.5µA @ 90V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 90V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):810mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 35V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 45V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):620mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:80µA @ 35V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):840mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1A @ 8100V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 30V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.8V @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):55ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:8µA @ 600V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 300V 系列:Automotive, AEC-Q101, TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 120V 系列:Automotive, AEC-Q101, TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):570mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 45V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 100V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:12.5A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:900µA @ 20V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:12.5A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:900µA @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):470mV @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 40V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:40V
2每个/平均整流电流(io)2:6A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-55°C ~ 15
外壳:TO-252-3,DPAK(2引线+接片),SC-63
封装:D-PAK(TO-252AA)
料号:E4-1378
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-12CWQ04FNTRHM3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-12CWQ04FNTRHM3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-12CWQ04FNTRHM3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-12CWQ04FNTRHM3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: VS-12CWQ04FNTRLHM3
品牌: Vishay/威世 Vishay 威世
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V 6A DPAK
参数: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):680mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):770mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4.5µA @ 90V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 90V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):810mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 35V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 45V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):620mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:80µA @ 35V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):840mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1A @ 8100V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 30V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.8V @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):55ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:8µA @ 600V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 300V 系列:Automotive, AEC-Q101, TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 120V 系列:Automotive, AEC-Q101, TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):570mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 45V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 100V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:12.5A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:900µA @ 20V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:12.5A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:900µA @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):470mV @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 40V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):680mV @ 12A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 40V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:40V
2每个/平均整流电流(io)2:6A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:150°C(最大)
外壳:TO-252-3,DPAK(2引线+接片),SC-63
封装:D-PAK(TO-252AA)
料号:E4-1379
包装:
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合作现货:0
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型号: VS-12CWQ04FNTRRHM3
品牌: Vishay/威世 Vishay 威世
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V 6A DPAK
参数: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):680mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):770mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4.5µA @ 90V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 90V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 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替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:40V
2每个/平均整流电流(io)2:6A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:150°C(最大)
外壳:TO-252-3,DPAK(2引线+接片),SC-63
封装:D-PAK(TO-252AA)
料号:E4-1380
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-12CWQ04FNTRRHM3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-12CWQ04FNTRRHM3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-12CWQ04FNTRRHM3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-12CWQ04FNTRRHM3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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