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元器件型号：47879 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： 1N5243B (DO-35)
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 13V 500MW DO35
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:13 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：13V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：13 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 175°C
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-2181
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5243B (DO-35)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5243B (DO-35)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5243B (DO-35)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5243B (DO-35)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： 1N5244B (DO-35)
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 14V 500MW DO35
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:13 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：14V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：15 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 175°C
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-2182
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5244B (DO-35)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5244B (DO-35)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5244B (DO-35)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5244B (DO-35)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： 1N5245A (DO-35)
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 15V 500MW DO35
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:13 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：15V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：16 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 175°C
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-2183
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5245A (DO-35)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5245A (DO-35)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5245A (DO-35)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5245A (DO-35)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： 1N5245B (DO-35)
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 15V 500MW DO35
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:13 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 11V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：15V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：16 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 175°C
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-2184
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5245B (DO-35)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5245B (DO-35)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5245B (DO-35)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5245B (DO-35)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： 1N5246B (DO-35)
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 16V 500MW DO35
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:13 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 11V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 12V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：16V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：17 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 175°C
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-2185
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5246B (DO-35)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5246B (DO-35)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5246B (DO-35)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5246B (DO-35)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1N5247B (DO-35)
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 17V 500MW DO35
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:13 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 11V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 12V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:17V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 13V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：17V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：19 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 175°C
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-2186
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5247B (DO-35)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5247B (DO-35)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5247B (DO-35)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5247B (DO-35)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1N5248A (DO-35)
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 18V 500MW DO35
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:13 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 11V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 12V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:17V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 13V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:21 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 13.3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：18V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：21 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 175°C
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-2187
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5248A (DO-35)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： 1N5248B (DO-35)
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 18V 500MW DO35
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:13 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 11V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 12V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:17V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 13V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:21 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 13.3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:21 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 14V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：18V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：21 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 175°C
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-2188
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5248B (DO-35)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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描述： DIODE ZENER 19V 500MW DO35
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:13 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 11V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 12V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:17V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 13V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:21 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 13.3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:21 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 14V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:23 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 14V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：19V
2精度（%）2：±5%
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4最大阻抗值（Zzt）4：23 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 175°C
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-2189
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型号： 1N5250B (DO-35)
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 20V 500MW DO35
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:13 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 11V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 12V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:17V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 13V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:21 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 13.3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:21 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 14V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:23 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 14V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:25 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 15V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：20V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：25 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 175°C
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-2190
包装：
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型号： 1N5251A (DO-35)
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 22V 500MW DO35
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替代：
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外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-2191
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型号： 1N5251B (DO-35)
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 22V 500MW DO35
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:13 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 11V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 12V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:17V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 13V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:21 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 13.3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:21 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 14V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:23 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 14V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:25 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 15V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:29 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 16.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:29 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 17V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：22V
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外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-2192
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型号： 1N5252A (DO-35)
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 24V 500MW DO35
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:13 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 11V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 12V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:17V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 13V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:21 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 13.3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:21 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 14V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:23 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 14V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:25 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 15V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:29 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 16.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:29 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 17V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 17.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：24V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：33 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 175°C
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-2193
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5252A (DO-35)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5252A (DO-35)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 1N5253B (DO-35)
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 25V 500MW DO35
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:13 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 11V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 12V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:17V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 13V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:21 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 13.3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:21 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 14V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:23 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 14V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:25 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 15V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:29 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 16.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:29 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 17V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 17.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:25V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:35 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 19V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
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5工作温度：-65°C ~ 175°C
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-2194
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5253B (DO-35)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5253B (DO-35)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5253B (DO-35)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5253B (DO-35)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： 1N5254B (DO-35)
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 27V 500MW DO35
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:13 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 11V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 12V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:17V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 13V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:21 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 13.3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:21 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 14V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:23 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 14V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:25 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 15V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:29 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 16.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:29 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 17V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 17.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:25V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:35 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 19V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:41 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 21V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：27V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：41 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 175°C
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-2195
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5254B (DO-35)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5254B (DO-35)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5254B (DO-35)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5254B (DO-35)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 1N5255B (DO-35)
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 28V 500MW DO35
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:13 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 11V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 12V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:17V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 13V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:21 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 13.3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:21 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 14V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:23 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 14V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:25 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 15V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:29 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 16.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:29 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 17V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 17.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:25V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:35 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 19V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:41 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 21V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:28V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:44 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 21V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：28V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：44 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 175°C
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-2196
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5255B (DO-35)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5255B (DO-35)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5255B (DO-35)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： 1N5256B (DO-35)
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 30V 500MW DO35
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:13 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 11V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 12V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:17V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 13V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:21 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 13.3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:21 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 14V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:23 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 14V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:25 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 15V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:29 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 16.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:29 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 17V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 17.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:25V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:35 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 19V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:41 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 21V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:28V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:44 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 21V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:49 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 23V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：30V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：49 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 175°C
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-2197
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5256B (DO-35)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5256B (DO-35)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5256B (DO-35)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5256B (DO-35)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1N5257B (DO-35)
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 33V 500MW DO35
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:13 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 11V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 12V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:17V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 13V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:21 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 13.3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:21 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 14V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:23 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 14V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:25 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 15V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:29 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 16.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:29 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 17V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 17.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:25V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:35 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 19V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:41 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 21V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:28V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:44 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 21V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:49 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 23V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:58 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 25V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：33V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：58 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 175°C
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-2198
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5257B (DO-35)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： 1N5258B (DO-35)
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 36V 500MW DO35
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:13 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 11V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 12V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:17V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 13V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:21 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 13.3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:21 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 14V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:23 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 14V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:25 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 15V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:29 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 16.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:29 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 17V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 17.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:25V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:35 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 19V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:41 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 21V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:28V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:44 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 21V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:49 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 23V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:58 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 25V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:70 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 27V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：36V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：70 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 175°C
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-2199
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5258B (DO-35)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5258B (DO-35)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5258B (DO-35)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5258B (DO-35)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1N5259B (DO-35)
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 39V 500MW DO35
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:13 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 11V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 12V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:17V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 13V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:21 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 13.3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:21 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 14V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:23 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 14V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:25 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 15V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:29 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 16.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:29 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 17V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 17.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:25V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:35 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 19V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:41 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 21V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:28V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:44 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 21V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:49 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 23V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:58 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 25V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:70 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 27V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 30V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：39V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：80 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 175°C
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-2200
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5259B (DO-35)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5259B (DO-35)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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