首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 桥式整流器(肖特基)
元器件型号：47879 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： 3EZ43D5/TR8
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 43V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：43V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：33 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-3081
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ43D5/TR8' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ43D5/TR8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ43D5/TR8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ43D5/TR8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 3EZ47D5/TR8
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 47V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 35.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：47V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：38 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-3082
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ47D5/TR8' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ47D5/TR8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ47D5/TR8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ47D5/TR8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 3EZ5.1D5/TR8
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 5.1V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 35.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：5.1V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：3.5 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-3083
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ5.1D5/TR8' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ5.1D5/TR8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ5.1D5/TR8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ5.1D5/TR8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 3EZ5.6D5/TR8
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 5.6V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 35.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：5.6V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：2.5 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-3084
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ5.6D5/TR8' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ5.6D5/TR8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ5.6D5/TR8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ5.6D5/TR8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： 3EZ51D5/TR8
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 51V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 35.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:48 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 38.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：51V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：48 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-3085
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ51D5/TR8' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ51D5/TR8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ51D5/TR8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ51D5/TR8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 3EZ56D5/TR8
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 35.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:48 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 38.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:56V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:50 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 42.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：56V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：50 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-3086
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ56D5/TR8' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ56D5/TR8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ56D5/TR8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ56D5/TR8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
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型号： 3EZ6.2D5/TR8
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 6.2V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 35.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:48 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 38.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:56V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:50 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 42.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：6.2V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：1.5 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-3087
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ6.2D5/TR8' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ6.2D5/TR8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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描述： DIODE ZENER 6.8V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 35.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:48 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 38.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:56V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:50 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 42.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：6.8V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：2 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ6.8D5/TR8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 35.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:48 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 38.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:56V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:50 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 42.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:62V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:55 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 47.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：62V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：55 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-3089
包装：
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参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 35.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:48 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 38.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:56V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:50 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 42.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:62V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:55 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 47.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:68V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:70 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 51.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：68V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：70 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-3090
包装：
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型号： 3EZ7.5D5/TR8
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 7.5V 3W DO204AL
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替代：
6系列：-
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外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-3091
包装：
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型号： 3EZ75D5/TR8
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 75V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 35.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:48 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 38.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:56V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:50 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 42.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:62V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:55 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 47.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:68V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:70 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 51.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：75V
2精度（%）2：±5%
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外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-3092
包装：
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型号： 3EZ8.2D5/TR8
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 8.2V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 35.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:48 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 38.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:56V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:50 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 42.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:62V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:55 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 47.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:68V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:70 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 51.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：8.2V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：2.3 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-3093
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ8.2D5/TR8' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ8.2D5/TR8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 3EZ82D5/TR8
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 82V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 35.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:48 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 38.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:56V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:50 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 42.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:62V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:55 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 47.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:68V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:70 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 51.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 62.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：82V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：3W
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5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-3094
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ82D5/TR8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 3EZ9.1D5/TR8
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 9.1V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 35.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:48 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 38.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:56V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:50 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 42.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:62V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:55 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 47.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:68V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:70 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 51.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 62.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：9.1V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：2.5 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-3095
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ9.1D5/TR8' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ9.1D5/TR8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ9.1D5/TR8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ9.1D5/TR8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 3EZ91D5/TR8
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 91V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 35.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:48 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 38.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:56V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:50 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 42.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:62V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:55 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 47.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:68V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:70 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 51.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 62.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：91V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：115 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-3096
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ91D5/TR8' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ91D5/TR8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ91D5/TR8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ91D5/TR8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 1PMT4621/TR7
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 3.6V 1W DO216
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 35.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:48 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 38.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:56V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:50 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 42.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:62V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:55 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 47.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:68V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:70 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 51.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 62.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.7 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:7.5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：POWERMITE®
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：3.6V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：1.7 kOhms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216
料号：E6-3097
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT4621/TR7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4621/TR7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4621/TR7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4621/TR7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1PMT4622/TR7
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 3.9V 1W DO216
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 35.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:48 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 38.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:56V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:50 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 42.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:62V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:55 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 47.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:68V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:70 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 51.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 62.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.7 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:7.5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.9V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.65 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：POWERMITE®
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：3.9V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：1.65 kOhms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216
料号：E6-3098
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT4622/TR7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4622/TR7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4622/TR7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： 1PMT4623/TR7
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 4.3V 1W DO216
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 35.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:48 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 38.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:56V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:50 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 42.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:62V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:55 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 47.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:68V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:70 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 51.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 62.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.7 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:7.5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.9V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.65 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.65 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:4µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：POWERMITE®
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：4.3V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：1.65 kOhms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216
料号：E6-3099
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT4623/TR7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4623/TR7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4623/TR7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4623/TR7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1PMT4624/TR7
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 4.7V 1W DO216
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 35.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:48 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 38.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:56V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:50 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 42.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:62V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:55 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 47.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:68V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:70 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 51.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 62.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.7 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:7.5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.9V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.65 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.65 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:4µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.6 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：POWERMITE®
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：4.7V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：1.6 kOhms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216
料号：E6-3100
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT4624/TR7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4624/TR7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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