元器件型号:47879
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型号: 1N5940BP/TR12
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE ZENER 43V 1.5W DO204AL
参数: *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:53 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V
2精度(%)2:±5%
3最大功率(W)3:1.5W
4最大阻抗值(Zzt)4:53 Ohms
5工作温度:-65°C ~ 150°C
外壳:DO-204AL,DO-41,轴向
封装:DO-204AL(DO-41)
料号:E6-3821
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5940BP/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5940BP/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5940BP/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5940BP/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: 1N5941BP/TR12
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE ZENER 47V 1.5W DO204AL
参数: *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:53 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:67 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 35.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V
2精度(%)2:±5%
3最大功率(W)3:1.5W
4最大阻抗值(Zzt)4:67 Ohms
5工作温度:-65°C ~ 150°C
外壳:DO-204AL,DO-41,轴向
封装:DO-204AL(DO-41)
料号:E6-3822
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5941BP/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5941BP/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5941BP/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5941BP/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: 1N5942BP/TR12
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE ZENER 51V 1.5W DO204AL
参数: *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:53 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:67 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 35.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:70 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 38.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V
2精度(%)2:±5%
3最大功率(W)3:1.5W
4最大阻抗值(Zzt)4:70 Ohms
5工作温度:-65°C ~ 150°C
外壳:DO-204AL,DO-41,轴向
封装:DO-204AL(DO-41)
料号:E6-3823
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5942BP/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5942BP/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5942BP/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5942BP/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: 1N5943BP/TR12
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE ZENER 56V 1.5W DO204AL
参数: *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:53 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:67 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 35.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:70 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 38.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:56V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:86 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 42.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:56V
2精度(%)2:±5%
3最大功率(W)3:1.5W
4最大阻抗值(Zzt)4:86 Ohms
5工作温度:-65°C ~ 150°C
外壳:DO-204AL,DO-41,轴向
封装:DO-204AL(DO-41)
料号:E6-3824
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5943BP/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5943BP/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5943BP/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5943BP/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: 1N5944BP/TR12
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE ZENER 62V 1.5W DO204AL
参数: *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:53 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:67 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 35.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:70 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 38.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:56V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:86 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 42.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:62V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:100 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 47.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:62V
2精度(%)2:±5%
3最大功率(W)3:1.5W
4最大阻抗值(Zzt)4:100 Ohms
5工作温度:-65°C ~ 150°C
外壳:DO-204AL,DO-41,轴向
封装:DO-204AL(DO-41)
料号:E6-3825
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5944BP/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5944BP/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5944BP/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5944BP/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: 1N5945BP/TR12
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE ZENER 68V 1.5W DO204AL
参数: *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:53 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:67 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 35.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:70 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 38.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:56V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:86 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 42.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:62V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:100 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 47.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:68V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:120 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 51.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:68V
2精度(%)2:±5%
3最大功率(W)3:1.5W
4最大阻抗值(Zzt)4:120 Ohms
5工作温度:-65°C ~ 150°C
外壳:DO-204AL,DO-41,轴向
封装:DO-204AL(DO-41)
料号:E6-3826
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5945BP/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5945BP/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5945BP/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5945BP/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: 1N5946BP/TR12
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE ZENER 75V 1.5W DO204AL
参数: *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:53 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:67 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 35.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:70 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 38.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:56V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:86 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 42.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:62V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:100 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 47.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:68V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:120 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 51.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:140 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V
2精度(%)2:±5%
3最大功率(W)3:1.5W
4最大阻抗值(Zzt)4:140 Ohms
5工作温度:-65°C ~ 150°C
外壳:DO-204AL,DO-41,轴向
封装:DO-204AL(DO-41)
料号:E6-3827
包装:
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5946BP/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: 1N5947BP/TR12
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE ZENER 82V 1.5W DO204AL
参数: *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:53 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:67 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 35.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:70 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 38.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:56V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:86 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 42.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:62V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:100 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 47.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:68V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:120 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 51.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:140 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:160 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 62.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V
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3最大功率(W)3:1.5W
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5工作温度:-65°C ~ 150°C
外壳:DO-204AL,DO-41,轴向
封装:DO-204AL(DO-41)
料号:E6-3828
包装:
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5947BP/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: 1N5948BP/TR12
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE ZENER 91V 1.5W DO204AL
参数: *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:53 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:67 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 35.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:70 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 38.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:56V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:86 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 42.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:62V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:100 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 47.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:68V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:120 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 51.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:140 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:160 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 62.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V
2精度(%)2:±5%
3最大功率(W)3:1.5W
4最大阻抗值(Zzt)4:200 Ohms
5工作温度:-65°C ~ 150°C
外壳:DO-204AL,DO-41,轴向
封装:DO-204AL(DO-41)
料号:E6-3829
包装:
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5948BP/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5948BP/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5948BP/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: 1N5949BP/TR12
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE ZENER 100V 1.5W DO204AL
参数: *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:53 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:67 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 35.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:70 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 38.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:56V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:86 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 42.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:62V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:100 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 47.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:68V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:120 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 51.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:140 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:160 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 62.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 76V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V
2精度(%)2:±5%
3最大功率(W)3:1.5W
4最大阻抗值(Zzt)4:250 Ohms
5工作温度:-65°C ~ 150°C
外壳:DO-204AL,DO-41,轴向
封装:DO-204AL(DO-41)
料号:E6-3830
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5949BP/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号: 1N5950BP/TR12
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE ZENER 110V 1.5W DO204AL
参数: *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:53 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:67 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 35.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:70 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 38.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:56V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:86 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 42.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:62V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:100 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 47.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:68V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:120 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 51.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:140 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:160 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 62.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 76V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代:
6系列:-
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3最大功率(W)3:1.5W
4最大阻抗值(Zzt)4:300 Ohms
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外壳:DO-204AL,DO-41,轴向
封装:DO-204AL(DO-41)
料号:E6-3831
包装:
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品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE ZENER 120V 1.5W DO204AL
参数: *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:53 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:67 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 35.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:70 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 38.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:56V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:86 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 42.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:62V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:100 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 47.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:68V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:120 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 51.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:140 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:160 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 62.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 76V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V
2精度(%)2:±5%
3最大功率(W)3:1.5W
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品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE ZENER 130V 1.5W DO204AL
参数: *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:53 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:67 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 35.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:70 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 38.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:56V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:86 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 42.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:62V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:100 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 47.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:68V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:120 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 51.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:140 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:160 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 62.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 76V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V
2精度(%)2:±5%
3最大功率(W)3:1.5W
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5工作温度:-65°C ~ 150°C
外壳:DO-204AL,DO-41,轴向
封装:DO-204AL(DO-41)
料号:E6-3833
包装:
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型号: 1N5953BP/TR12
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE ZENER 150V 1.5W DO204AL
参数: *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:53 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:67 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 35.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:70 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 38.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:56V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:86 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 42.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:62V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:100 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 47.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:68V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:120 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 51.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:140 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:160 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 62.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 76V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:600 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V
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5工作温度:-65°C ~ 150°C
外壳:DO-204AL,DO-41,轴向
封装:DO-204AL(DO-41)
料号:E6-3834
包装:
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型号: 1N5954BP/TR12
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE ZENER 160V 1.5W DO204AL
参数: *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:53 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:67 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 35.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:70 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 38.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:56V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:86 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 42.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:62V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:100 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 47.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:68V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:120 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 51.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:140 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:160 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 62.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 76V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:600 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V
2精度(%)2:±5%
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4最大阻抗值(Zzt)4:700 Ohms
5工作温度:-65°C ~ 150°C
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封装:DO-204AL(DO-41)
料号:E6-3835
包装:
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型号: 1N5955BP/TR12
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE ZENER 180V 1.5W DO204AL
参数: *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:53 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:67 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 35.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:70 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 38.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:56V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:86 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 42.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:62V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:100 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 47.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:68V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:120 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 51.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:140 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:160 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 62.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 76V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:600 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V
2精度(%)2:±5%
3最大功率(W)3:1.5W
4最大阻抗值(Zzt)4:900 Ohms
5工作温度:-65°C ~ 150°C
外壳:DO-204AL,DO-41,轴向
封装:DO-204AL(DO-41)
料号:E6-3836
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5955BP/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5955BP/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5955BP/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号: 1N5956BP/TR12
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE ZENER 200V 1.5W DO204AL
参数: *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:53 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:67 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 35.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:70 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 38.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:56V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:86 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 42.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:62V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:100 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 47.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:68V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:120 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 51.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:140 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:160 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 62.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 76V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:600 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V
2精度(%)2:±5%
3最大功率(W)3:1.5W
4最大阻抗值(Zzt)4:1.2 kOhms
5工作温度:-65°C ~ 150°C
外壳:DO-204AL,DO-41,轴向
封装:DO-204AL(DO-41)
料号:E6-3837
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5956BP/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5956BP/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5956BP/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5956BP/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: 2EZ100D5/TR12
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE ZENER 100V 2W DO204AL
参数: *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:53 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:67 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 35.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:70 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 38.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:56V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:86 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 42.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:62V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:100 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 47.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:68V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:120 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 51.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:140 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:160 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 62.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 76V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:600 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:2W *4最大阻抗值(Zzt)4:175 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 76V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V
2精度(%)2:±5%
3最大功率(W)3:2W
4最大阻抗值(Zzt)4:175 Ohms
5工作温度:-65°C ~ 150°C
外壳:DO-204AL,DO-41,轴向
封装:DO-204AL(DO-41)
料号:E6-3838
包装:
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2EZ100D5/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: 2EZ10D5/TR12
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE ZENER 10V 2W DO204AL
参数: *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:53 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:67 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 35.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:70 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 38.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:56V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:86 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 42.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:62V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:100 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 47.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:68V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:120 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 51.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:140 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:160 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 62.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 76V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:600 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:2W *4最大阻抗值(Zzt)4:175 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 76V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:2W *4最大阻抗值(Zzt)4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V
2精度(%)2:±5%
3最大功率(W)3:2W
4最大阻抗值(Zzt)4:3.5 Ohms
5工作温度:-65°C ~ 150°C
外壳:DO-204AL,DO-41,轴向
封装:DO-204AL(DO-41)
料号:E6-3839
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2EZ10D5/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2EZ10D5/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: 2EZ110D5/TR12
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE ZENER 110V 2W DO204AL
参数: *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:53 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:67 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 35.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:70 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 38.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:56V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:86 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 42.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:62V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:100 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 47.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:68V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:120 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 51.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:140 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:160 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 62.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 76V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:600 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值(Zzt)4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:2W *4最大阻抗值(Zzt)4:175 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 76V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:2W *4最大阻抗值(Zzt)4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:2W *4最大阻抗值(Zzt)4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V
2精度(%)2:±5%
3最大功率(W)3:2W
4最大阻抗值(Zzt)4:250 Ohms
5工作温度:-65°C ~ 150°C
外壳:DO-204AL,DO-41,轴向
封装:DO-204AL(DO-41)
料号:E6-3840
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2EZ110D5/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2EZ110D5/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2EZ110D5/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2EZ110D5/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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