首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 桥式整流器(肖特基)
元器件型号：47879 件
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状态： 在售
型号： 1PMT5935E3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 27V 3W DO216AA
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:23 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 20.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：27V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：23 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216AA
料号：E6-4201
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT5935E3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5935E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5935E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5935E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 1PMT5936AE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 30V 3W DO216AA
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:23 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 20.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：30V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：28 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216AA
料号：E6-4202
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT5936AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5936AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： 1PMT5936BE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 30V 3W DO216AA
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:23 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 20.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：30V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：28 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216AA
料号：E6-4203
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT5936BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5936BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5936BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 30V 3W DO216AA
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:23 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 20.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：30V
2精度（%）2：±2%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：28 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216AA
料号：E6-4204
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT5936CE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5936CE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5936CE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5936CE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 1PMT5936E3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 30V 3W DO216AA
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:23 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 20.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：30V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：28 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216AA
料号：E6-4205
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5936E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5936E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： 1PMT5937AE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 33V 3W DO216AA
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:23 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 20.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：33V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：33 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216AA
料号：E6-4206
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT5937AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5937AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5937AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： 1PMT5937BE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 33V 3W DO216AA
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6系列：-
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描述： DIODE ZENER 33V 3W DO216AA
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:23 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 20.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
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参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:23 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 20.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：33V
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4最大阻抗值（Zzt）4：33 Ohms
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外壳：DO-216AA
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5937E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 1PMT5938AE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 36V 3W DO216AA
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:23 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 20.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
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封装：DO-216AA
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描述： DIODE ZENER 36V 3W DO216AA
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型号： 1PMT5939AE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 39V 3W DO216AA
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替代：
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5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216AA
料号：E6-4214
包装：
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型号： 1PMT5939BE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 39V 3W DO216AA
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:23 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 20.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:45 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:45 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：39V
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外壳：DO-216AA
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 39V 3W DO216AA
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:23 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 20.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:45 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:45 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:45 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：39V
2精度（%）2：±2%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：45 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216AA
料号：E6-4216
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT5939CE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5939CE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5939CE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： 1PMT5939E3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 39V 3W DO216AA
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:23 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 20.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:45 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:45 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:45 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:45 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：39V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：45 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216AA
料号：E6-4217
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT5939E3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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状态： 在售
型号： 1PMT5940AE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 43V 3W DO216AA
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:23 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 20.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:45 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:45 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:45 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:45 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:53 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：43V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：53 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216AA
料号：E6-4218
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT5940AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： 1PMT5940BE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 43V 3W DO216AA
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:23 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 20.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:45 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:45 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:45 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:45 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:53 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:53 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：43V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：53 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216AA
料号：E6-4219
包装：
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型号： 1PMT5940CE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 43V 3W DO216AA
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:23 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 20.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:45 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:45 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:45 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:45 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:53 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:53 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:53 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：43V
2精度（%）2：±2%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：53 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216AA
料号：E6-4220
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT5940CE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5940CE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5940CE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5940CE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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