首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 桥式整流器(肖特基)
元器件型号：47879 件
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状态： 在售
型号： 1PMT5950E3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 110V 3W DO216AA
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：110V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：300 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216AA
料号：E6-4261
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT5950E3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5950E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5950E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5950E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 1PMT5951AE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 120V 3W DO216AA
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：120V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：380 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216AA
料号：E6-4262
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT5951AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： 1PMT5951BE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 120V 3W DO216AA
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：120V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：380 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216AA
料号：E6-4263
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT5951BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 120V 3W DO216AA
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：120V
2精度（%）2：±2%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：380 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216AA
料号：E6-4264
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT5951CE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5951CE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5951CE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： 1PMT5951E3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 120V 3W DO216AA
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：120V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：380 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216AA
料号：E6-4265
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 130V 3W DO216AA
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：130V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：450 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216AA
料号：E6-4266
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT5952AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： 1PMT5952BE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 130V 3W DO216AA
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参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
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外壳：DO-216AA
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描述： DIODE ZENER 150V 3W DO216AA
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:600 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 150V 3W DO216AA
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合作现货:0
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型号： 1PMT5954AE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 160V 3W DO216AA
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替代：
6系列：-
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外壳：DO-216AA
封装：DO-216AA
料号：E6-4274
包装：
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合作现货:0
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型号： 1PMT5954BE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 160V 3W DO216AA
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:600 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:600 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:600 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:600 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：160V
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5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216AA
料号：E6-4275
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 160V 3W DO216AA
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:600 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:600 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:600 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:600 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：160V
2精度（%）2：±2%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：700 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216AA
料号：E6-4276
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT5954CE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5954CE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5954CE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： 1PMT5954E3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 160V 3W DO216AA
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:600 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:600 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:600 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:600 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：160V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：700 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216AA
料号：E6-4277
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT5954E3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5954E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5954E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1PMT5955AE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 180V 3W DO216AA
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:600 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:600 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:600 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:600 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:800 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：180V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：800 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216AA
料号：E6-4278
包装：
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型号： 1PMT5955BE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 180V 3W DO216AA
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:600 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:600 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:600 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:600 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:800 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:800 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：180V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：800 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216AA
料号：E6-4279
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT5955BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： 1PMT5955CE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 180V 3W DO216AA
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:380 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:600 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:600 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:600 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:600 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:800 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:800 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:800 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：180V
2精度（%）2：±2%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：800 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216AA
料号：E6-4280
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT5955CE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5955CE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5955CE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5955CE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
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