元器件型号:47879
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型号: 1PMT5925BE3/TR7
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE ZENER 10V 3W DO216AA
参数: *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V
2精度(%)2:±5%
3最大功率(W)3:3W
4最大阻抗值(Zzt)4:4.5 Ohms
5工作温度:-55°C ~ 150°C
外壳:DO-216AA
封装:DO-216AA
料号:E6-4479
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT5925BE3/TR7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号: 1PMT5925CE3/TR7
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE ZENER 10V 3W DO216AA
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替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V
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4最大阻抗值(Zzt)4:4.5 Ohms
5工作温度:-55°C ~ 150°C
外壳:DO-216AA
封装:DO-216AA
料号:E6-4480
包装:
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型号: 1PMT5925E3/TR7
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE ZENER 10V 3W DO216AA
参数: *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
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外壳:DO-216AA
封装:DO-216AA
料号:E6-4481
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品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE ZENER 11V 3W DO216AA
参数: *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V
2精度(%)2:±10%
3最大功率(W)3:3W
4最大阻抗值(Zzt)4:5.5 Ohms
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外壳:DO-216AA
封装:DO-216AA
料号:E6-4482
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT5926AE3/TR7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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描述: DIODE ZENER 11V 3W DO216AA
参数: *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
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2精度(%)2:±5%
3最大功率(W)3:3W
4最大阻抗值(Zzt)4:5.5 Ohms
5工作温度:-55°C ~ 150°C
外壳:DO-216AA
封装:DO-216AA
料号:E6-4483
包装:
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5926BE3/TR7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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参数: *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代:
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V
2精度(%)2:±2%
3最大功率(W)3:3W
4最大阻抗值(Zzt)4:5.5 Ohms
5工作温度:-55°C ~ 150°C
外壳:DO-216AA
封装:DO-216AA
料号:E6-4484
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT5926CE3/TR7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5926CE3/TR7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5926CE3/TR7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE ZENER 11V 3W DO216AA
参数: *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V
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3最大功率(W)3:3W
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包装:
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替代:
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V
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型号: 1PMT5927E3/TR7
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE ZENER 12V 3W DO216AA
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品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE ZENER 13V 3W DO216AA
参数: *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度(%)2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:6.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:6.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:6.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度(%)2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:6.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度(%)2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V
2精度(%)2:±2%
3最大功率(W)3:3W
4最大阻抗值(Zzt)4:7 Ohms
5工作温度:-55°C ~ 150°C
外壳:DO-216AA
封装:DO-216AA
料号:E6-4492
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT5928CE3/TR7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态: 在售
型号: 1PMT5928E3/TR7
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE ZENER 13V 3W DO216AA
参数: *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度(%)2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:6.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:6.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:6.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度(%)2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:6.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度(%)2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度(%)2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V
2精度(%)2:±20%
3最大功率(W)3:3W
4最大阻抗值(Zzt)4:7 Ohms
5工作温度:-55°C ~ 150°C
外壳:DO-216AA
封装:DO-216AA
料号:E6-4493
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT5928E3/TR7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5928E3/TR7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: 1PMT5929AE3/TR7
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE ZENER 15V 3W DO216AA
参数: *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度(%)2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:6.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:6.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:6.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度(%)2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:6.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度(%)2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度(%)2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度(%)2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V
2精度(%)2:±10%
3最大功率(W)3:3W
4最大阻抗值(Zzt)4:8 Ohms
5工作温度:-55°C ~ 150°C
外壳:DO-216AA
封装:DO-216AA
料号:E6-4494
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT5929AE3/TR7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5929AE3/TR7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5929AE3/TR7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号: 1PMT5929BE3/TR7
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE ZENER 15V 3W DO216AA
参数: *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度(%)2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:6.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:6.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:6.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度(%)2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:6.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度(%)2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度(%)2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度(%)2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V
2精度(%)2:±5%
3最大功率(W)3:3W
4最大阻抗值(Zzt)4:8 Ohms
5工作温度:-55°C ~ 150°C
外壳:DO-216AA
封装:DO-216AA
料号:E6-4495
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT5929BE3/TR7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号: 1PMT5929CE3/TR7
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE ZENER 15V 3W DO216AA
参数: *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度(%)2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:6.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:6.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:6.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度(%)2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:6.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度(%)2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度(%)2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度(%)2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V
2精度(%)2:±2%
3最大功率(W)3:3W
4最大阻抗值(Zzt)4:8 Ohms
5工作温度:-55°C ~ 150°C
外壳:DO-216AA
封装:DO-216AA
料号:E6-4496
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型号: 1PMT5929E3/TR7
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE ZENER 15V 3W DO216AA
参数: *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度(%)2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:6.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:6.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:6.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度(%)2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:6.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度(%)2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度(%)2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度(%)2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度(%)2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V
2精度(%)2:±20%
3最大功率(W)3:3W
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5工作温度:-55°C ~ 150°C
外壳:DO-216AA
封装:DO-216AA
料号:E6-4497
包装:
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品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE ZENER 16V 3W DO216AA
参数: *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度(%)2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:6.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:6.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:6.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度(%)2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:6.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度(%)2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度(%)2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度(%)2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度(%)2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度(%)2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值(Zzt)4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V
2精度(%)2:±10%
3最大功率(W)3:3W
4最大阻抗值(Zzt)4:10 Ohms
5工作温度:-55°C ~ 150°C
外壳:DO-216AA
封装:DO-216AA
料号:E6-4498
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT5930AE3/TR7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5930AE3/TR7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5930AE3/TR7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5930AE3/TR7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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