首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 桥式整流器(肖特基)
元器件型号：47879 件
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状态： 在售
型号： 1PMT5930BE3/TR7
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 16V 3W DO216AA
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：16V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：10 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216AA
料号：E6-4499
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT5930BE3/TR7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5930BE3/TR7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5930BE3/TR7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： 1PMT5930CE3/TR7
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 16V 3W DO216AA
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：16V
2精度（%）2：±2%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：10 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216AA
料号：E6-4500
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT5930CE3/TR7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： 1PMT5930E3/TR7
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 16V 3W DO216AA
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：16V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：10 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216AA
料号：E6-4501
包装：
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 18V 3W DO216AA
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:12 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：18V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：12 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216AA
料号：E6-4502
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT5931AE3/TR7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： 1PMT5931BE3/TR7
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 18V 3W DO216AA
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:12 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:12 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：18V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：12 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216AA
料号：E6-4503
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT5931BE3/TR7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： 1PMT5931CE3/TR7
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 18V 3W DO216AA
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:12 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:12 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:12 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：18V
2精度（%）2：±2%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：12 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216AA
料号：E6-4504
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT5931CE3/TR7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： 1PMT5931E3/TR7
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 18V 3W DO216AA
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:12 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:12 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:12 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:12 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
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外壳：DO-216AA
封装：DO-216AA
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包装：
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4最大阻抗值（Zzt）4：14 Ohms
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 20V 3W DO216AA
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型号： 1PMT5933CE3/TR7
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 22V 3W DO216AA
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替代：
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外壳：DO-216AA
封装：DO-216AA
料号：E6-4512
包装：
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型号： 1PMT5933E3/TR7
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 22V 3W DO216AA
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:12 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:12 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:12 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:12 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:14 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 15.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:14 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 15.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:14 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 15.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:14 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 15.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:17.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 16.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:17.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 16.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:17.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 16.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:17.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 16.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：22V
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5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216AA
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 24V 3W DO216AA
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:12 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:12 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:12 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:12 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:14 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 15.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:14 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 15.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:14 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 15.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:14 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 15.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:17.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 16.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:17.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 16.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:17.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 16.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:17.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 16.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 18.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：24V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：19 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216AA
料号：E6-4514
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT5934AE3/TR7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5934AE3/TR7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5934AE3/TR7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： 1PMT5934BE3/TR7
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 24V 3W DO216AA
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:12 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:12 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:12 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:12 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:14 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 15.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:14 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 15.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:14 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 15.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:14 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 15.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:17.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 16.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:17.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 16.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:17.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 16.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:17.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 16.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 18.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 18.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：24V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：19 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216AA
料号：E6-4515
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT5934BE3/TR7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： 1PMT5934CE3/TR7
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 24V 3W DO216AA
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:12 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:12 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:12 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:12 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:14 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 15.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:14 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 15.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:14 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 15.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:14 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 15.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:17.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 16.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:17.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 16.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:17.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 16.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:17.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 16.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 18.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 18.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 18.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：24V
2精度（%）2：±2%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：19 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216AA
料号：E6-4516
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT5934CE3/TR7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： 1PMT5934E3/TR7
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 24V 3W DO216AA
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:12 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:12 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:12 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:12 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:14 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 15.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:14 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 15.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:14 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 15.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:14 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 15.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:17.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 16.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:17.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 16.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:17.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 16.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:17.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 16.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 18.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 18.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 18.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 18.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：24V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：19 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216AA
料号：E6-4517
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT5934E3/TR7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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海外现货:0
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状态： 在售
型号： 1PMT5935AE3/TR7
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 27V 3W DO216AA
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:12 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:12 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:12 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:12 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:14 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 15.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:14 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 15.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:14 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 15.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:14 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 15.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:17.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 16.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:17.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 16.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:17.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 16.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:17.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 16.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 18.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 18.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 18.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 18.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:23 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 20.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：27V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：23 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216AA
料号：E6-4518
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT5935AE3/TR7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5935AE3/TR7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5935AE3/TR7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5935AE3/TR7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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