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元器件型号：47879 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： 1N4895
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： ZENER DIODE
参数： *6系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:-
替代：
6系列：*
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：-
2精度（%）2：-
3最大功率(W)3：-
4最大阻抗值（Zzt）4：-
5工作温度：-
外壳：-
封装：-
料号：E6-47365
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N4895' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4895' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4895' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4895' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： 1N4895A
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： ZENER DIODE
参数： *6系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:-
替代：
6系列：*
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：-
2精度（%）2：-
3最大功率(W)3：-
4最大阻抗值（Zzt）4：-
5工作温度：-
外壳：-
封装：-
料号：E6-47366
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N4895A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4895A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4895A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4895A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MM3Z3V3ST3G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER 3.425V 300MW SOD323
参数： *6系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.43V *2精度（%）2:±3.07% *3最大功率(W)3:300mW *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：3.43V
2精度（%）2：±3.07%
3最大功率(W)3：300mW
4最大阻抗值（Zzt）4：95 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SC-76,SOD-323
封装：SOD-323
料号：E6-47367
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MM3Z3V3ST3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MM3Z3V3ST3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MM3Z3V3ST3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MM3Z3V3ST3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： NZ3F5V1T1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE ZENER 5.1V 800MW SOD323FL
参数： *6系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.43V *2精度（%）2:±3.07% *3最大功率(W)3:300mW *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5.88% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.3V @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：5.1V
2精度（%）2：±5.88%
3最大功率(W)3：800mW
4最大阻抗值（Zzt）4：80 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SC-90，SOD-323F
封装：SOD-323FL
料号：E6-47368
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NZ3F5V1T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NZ3F5V1T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NZ3F5V1T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NZ3F5V1T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： BZX85C18TR5K
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： ZENER
参数： *6系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.43V *2精度（%）2:±3.07% *3最大功率(W)3:300mW *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5.88% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.3V @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 12.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：18V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：20 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-47369
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX85C18TR5K' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX85C18TR5K' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX85C18TR5K' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX85C18TR5K' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BZX85C5V1TR5K
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： ZENER
参数： *6系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.43V *2精度（%）2:±3.07% *3最大功率(W)3:300mW *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5.88% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.3V @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 12.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：5.1V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：10 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-47370
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX85C5V1TR5K' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX85C5V1TR5K' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX85C5V1TR5K' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX85C5V1TR5K' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BZX85C7V5TR5K
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER 7.5V 1W DO204AL
参数： *6系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.43V *2精度（%）2:±3.07% *3最大功率(W)3:300mW *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5.88% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.3V @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 12.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 4.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：7.5V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：3 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-47371
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX85C7V5TR5K' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： MMSZ5V6V2T1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE ZENER SOD523
参数： *6系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.43V *2精度（%）2:±3.07% *3最大功率(W)3:300mW *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5.88% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.3V @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 12.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 4.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:-
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：-
2精度（%）2：-
3最大功率(W)3：-
4最大阻抗值（Zzt）4：-
5工作温度：-
外壳：-
封装：-
料号：E6-47372
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMSZ5V6V2T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： MM5Z16VMT5G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER SOD523
参数： *6系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.43V *2精度（%）2:±3.07% *3最大功率(W)3:300mW *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5.88% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.3V @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 12.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 4.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:-
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：-
2精度（%）2：-
3最大功率(W)3：-
4最大阻抗值（Zzt）4：-
5工作温度：-
外壳：-
封装：-
料号：E6-47373
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MM5Z16VMT5G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MM5Z16VMT5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MM5Z16VMT5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MM5Z16VMT5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MM5Z3V9T5G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER SOD523
参数： *6系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.43V *2精度（%）2:±3.07% *3最大功率(W)3:300mW *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5.88% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.3V @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 12.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 4.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:-
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：-
2精度（%）2：-
3最大功率(W)3：-
4最大阻抗值（Zzt）4：-
5工作温度：-
外壳：-
封装：-
料号：E6-47374
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MM5Z3V9T5G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MM5Z3V9T5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMBZ5231BLT1H
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER SOT23
参数： *6系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.43V *2精度（%）2:±3.07% *3最大功率(W)3:300mW *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5.88% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.3V @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 12.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 4.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:-
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：-
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3最大功率(W)3：-
4最大阻抗值（Zzt）4：-
5工作温度：-
外壳：-
封装：-
料号：E6-47375
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5231BLT1H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BZX84C30 TR TIN/LEAD
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： DIODE ZENER 30V 500MW SOT23-3
参数： *6系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.43V *2精度（%）2:±3.07% *3最大功率(W)3:300mW *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5.88% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.3V @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 12.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 4.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50nA @ 21V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：30V
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3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：80 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：E6-47377
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C30 TR TIN/LEAD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C30 TR TIN/LEAD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C30 TR TIN/LEAD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： CLL5261B TR TIN/LEAD
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： DIODE ZENER 47V 500MW SOD80
参数： *6系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.43V *2精度（%）2:±3.07% *3最大功率(W)3:300mW *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5.88% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.3V @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 12.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 4.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50nA @ 21V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:105 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 36V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：47V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：105 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 200°C
外壳：DO-213AC，MINI-MELF，SOD-80
封装：SOD-80
料号：E6-47378
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CLL5261B TR TIN/LEAD' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CLL5261B TR TIN/LEAD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CLL5261B TR TIN/LEAD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CLL5261B TR TIN/LEAD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1N5917B BK
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： DIODE ZENER 4.7V 1.5W DO41
参数： *6系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.43V *2精度（%）2:±3.07% *3最大功率(W)3:300mW *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5.88% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.3V @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 12.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 4.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50nA @ 21V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:105 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 36V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
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外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-41
料号：E6-47379
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型号： 1N5917B TR
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： DIODE ZENER 4.7V 1.5W DO41
参数： *6系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.43V *2精度（%）2:±3.07% *3最大功率(W)3:300mW *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5.88% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.3V @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 12.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 4.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50nA @ 21V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:105 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 36V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：4.7V
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4最大阻抗值（Zzt）4：5 Ohms
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外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-41
料号：E6-47380
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型号： 1N5918B BK PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： DIODE ZENER 5.1V 1.5W DO41
参数： *6系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.43V *2精度（%）2:±3.07% *3最大功率(W)3:300mW *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5.88% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.3V @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 12.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 4.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50nA @ 21V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:105 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 36V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：5.1V
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外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-41
料号：E6-47381
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5918B BK PBFREE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5918B BK PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5918B BK PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5918B BK PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 1N5918B TR PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： DIODE ZENER 5.1V 1.5W DO41
参数： *6系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.43V *2精度（%）2:±3.07% *3最大功率(W)3:300mW *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5.88% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.3V @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 12.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 4.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50nA @ 21V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:105 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 36V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：5.1V
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5工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-41
料号：E6-47382
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5918B TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5918B TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5918B TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5918B TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： 1N5919B BK PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： DIODE ZENER 5.6V 1.5W DO41
参数： *6系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.43V *2精度（%）2:±3.07% *3最大功率(W)3:300mW *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5.88% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.3V @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 12.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 4.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50nA @ 21V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:105 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 36V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：5.6V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：1.5W
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5工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-41
料号：E6-47383
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5919B BK PBFREE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5919B BK PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5919B BK PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5919B BK PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 1N5919B TR PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： DIODE ZENER 5.6V 1.5W DO41
参数： *6系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.43V *2精度（%）2:±3.07% *3最大功率(W)3:300mW *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5.88% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.3V @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 12.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 4.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50nA @ 21V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:105 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 36V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：5.6V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：1.5W
4最大阻抗值（Zzt）4：2 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-41
料号：E6-47384
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： 1N5920B BK PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： DIODE ZENER 6.2V 1.5W DO41
参数： *6系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.43V *2精度（%）2:±3.07% *3最大功率(W)3:300mW *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5.88% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.3V @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 12.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 4.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50nA @ 21V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:105 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 36V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：6.2V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：1.5W
4最大阻抗值（Zzt）4：2 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-41
料号：E6-47385
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5920B BK PBFREE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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