首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 桥式整流器(肖特基)
元器件型号：47879 件
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状态： 在售
型号： BZD17C120P MHG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER 120V 800MW SUB SMA
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：120V
2精度（%）2：±5.41%
3最大功率(W)3：800mW
4最大阻抗值（Zzt）4：300 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：DO-219AB
封装：Sub SMA
料号：E6-47486
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZD17C120P MHG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZD17C120P MHG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZD17C120P MHG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZD17C120P MHG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BZD17C180P M2G
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER 180V 800MW SUB SMA
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：180V
2精度（%）2：±6.38%
3最大功率(W)3：800mW
4最大阻抗值（Zzt）4：450 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：DO-219AB
封装：Sub SMA
料号：E6-47487
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZD17C180P M2G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZD17C180P M2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZD17C180P M2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZD17C180P M2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BZD17C180P MHG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER 180V 800MW SUB SMA
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：180V
2精度（%）2：±6.38%
3最大功率(W)3：800mW
4最大阻抗值（Zzt）4：450 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：DO-219AB
封装：Sub SMA
料号：E6-47488
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZD17C180P MHG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZD17C180P MHG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZD17C180P MHG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： BZD17C200P MHG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER 200V 800MW SUB SMA
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 150V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：200V
2精度（%）2：±6%
3最大功率(W)3：800mW
4最大阻抗值（Zzt）4：750 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：DO-219AB
封装：Sub SMA
料号：E6-47489
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZD17C200P MHG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZD17C200P MHG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZD17C200P MHG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZD17C200P MHG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BZD17C220P MHG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER 220V 800MW SUB SMA
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 150V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:220V *2精度（%）2:±5.68% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 160V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：220V
2精度（%）2：±5.68%
3最大功率(W)3：800mW
4最大阻抗值（Zzt）4：900 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：DO-219AB
封装：Sub SMA
料号：E6-47490
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZD17C220P MHG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZD17C220P MHG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZD17C220P MHG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZD17C220P MHG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： 1SMC5352 M6G
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER 15V 5W DO214AB
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 150V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:220V *2精度（%）2:±5.68% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 160V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1µA @ 11.5V *5工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：15V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：2.5 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：DO-214AB，SMC
封装：DO-214AB（SMC）
料号：E6-47491
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1SMC5352 M6G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SMC5352 M6G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SMC5352 M6G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SMC5352 M6G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BZD17C100P MQG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER 100V 800MW SUB SMA
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 150V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:220V *2精度（%）2:±5.68% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 160V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1µA @ 11.5V *5工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：100V
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3最大功率(W)3：800mW
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5工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：DO-219AB
封装：Sub SMA
料号：E6-47492
包装：
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品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER 100V 800MW SUB SMA
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 150V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:220V *2精度（%）2:±5.68% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 160V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1µA @ 11.5V *5工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
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参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 150V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:220V *2精度（%）2:±5.68% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 160V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1µA @ 11.5V *5工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：100V
2精度（%）2：±6%
3最大功率(W)3：800mW
4最大阻抗值（Zzt）4：200 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：DO-219AB
封装：Sub SMA
料号：E6-47494
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参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 150V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:220V *2精度（%）2:±5.68% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 160V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1µA @ 11.5V *5工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：120V
2精度（%）2：±5.41%
3最大功率(W)3：800mW
4最大阻抗值（Zzt）4：300 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：DO-219AB
封装：Sub SMA
料号：E6-47495
包装：
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型号： BZD17C120P MTG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER 120V 800MW SUB SMA
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参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 150V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:220V *2精度（%）2:±5.68% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 160V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1µA @ 11.5V *5工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
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料号：E6-47497
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描述： DIODE ZENER 180V 800MW SUB SMA
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 150V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:220V *2精度（%）2:±5.68% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 160V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1µA @ 11.5V *5工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
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料号：E6-47498
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状态： 在售
型号： BZD17C180P MTG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER 180V 800MW SUB SMA
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 150V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:220V *2精度（%）2:±5.68% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 160V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1µA @ 11.5V *5工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：180V
2精度（%）2：±6.38%
3最大功率(W)3：800mW
4最大阻抗值（Zzt）4：450 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：DO-219AB
封装：Sub SMA
料号：E6-47499
包装：
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型号： BZD17C200P MQG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER 200V 800MW SUB SMA
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 150V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:220V *2精度（%）2:±5.68% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 160V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1µA @ 11.5V *5工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 150V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：200V
2精度（%）2：±6%
3最大功率(W)3：800mW
4最大阻抗值（Zzt）4：750 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：DO-219AB
封装：Sub SMA
料号：E6-47500
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZD17C200P MQG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： BZD17C100P RFG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER 100V 800MW SUB SMA
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 150V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:220V *2精度（%）2:±5.68% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 160V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1µA @ 11.5V *5工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 150V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：100V
2精度（%）2：±6%
3最大功率(W)3：800mW
4最大阻抗值（Zzt）4：200 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：DO-219AB
封装：Sub SMA
料号：E6-47501
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZD17C100P RFG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZD17C100P RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZD17C100P RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： BZD17C120P RFG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER 120V 800MW SUB SMA
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 150V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:220V *2精度（%）2:±5.68% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 160V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1µA @ 11.5V *5工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 150V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：120V
2精度（%）2：±5.41%
3最大功率(W)3：800mW
4最大阻抗值（Zzt）4：300 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：DO-219AB
封装：Sub SMA
料号：E6-47502
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZD17C120P RFG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZD17C120P RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZD17C120P RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： BZD17C100P RUG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER 100V 800MW SUB SMA
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 150V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:220V *2精度（%）2:±5.68% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 160V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1µA @ 11.5V *5工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 150V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：100V
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5工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：DO-219AB
封装：Sub SMA
料号：E6-47503
包装：
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合作现货:0
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型号： BZD17C180P RUG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER 180V 800MW SUB SMA
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 150V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:220V *2精度（%）2:±5.68% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 160V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1µA @ 11.5V *5工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 150V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：180V
2精度（%）2：±6.38%
3最大功率(W)3：800mW
4最大阻抗值（Zzt）4：450 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：DO-219AB
封装：Sub SMA
料号：E6-47504
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZD17C180P RUG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BZD17C180P RVG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER 180V 800MW SUB SMA
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 150V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:220V *2精度（%）2:±5.68% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 160V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1µA @ 11.5V *5工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 150V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±5.41% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±6.38% *3最大功率(W)3:800mW *4最大阻抗值（Zzt）4:450 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 130V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：180V
2精度（%）2：±6.38%
3最大功率(W)3：800mW
4最大阻抗值（Zzt）4：450 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：DO-219AB
封装：Sub SMA
料号：E6-47505
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZD17C180P RVG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZD17C180P RVG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZD17C180P RVG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZD17C180P RVG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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