元器件型号:47879
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状态: 在售
型号: BZX584B10 RKG
品牌: TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述: DIODE ZENER 10V 150MW SOD523F
参数: 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:200nA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V
2精度(%)2:±2%
3最大功率(W)3:150mW
4最大阻抗值(Zzt)4:20 Ohms
5工作温度:150°C(TJ)
外壳:SC-79,SOD-523
封装:SOD-523F
料号:E6-47506
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX584B10 RKG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX584B10 RKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: BZX584B11 RKG
品牌: TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述: DIODE ZENER 11V 150MW SOD523F
参数: 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:200nA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V
2精度(%)2:±2%
3最大功率(W)3:150mW
4最大阻抗值(Zzt)4:20 Ohms
5工作温度:150°C(TJ)
外壳:SC-79,SOD-523
封装:SOD-523F
料号:E6-47507
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX584B11 RKG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX584B11 RKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX584B11 RKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX584B11 RKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: BZX584B12 RKG
品牌: TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述: DIODE ZENER 12V 150MW SOD523F
参数: 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:200nA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:25 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V
2精度(%)2:±2%
3最大功率(W)3:150mW
4最大阻抗值(Zzt)4:25 Ohms
5工作温度:150°C(TJ)
外壳:SC-79,SOD-523
封装:SOD-523F
料号:E6-47508
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX584B12 RKG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX584B12 RKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX584B12 RKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX584B12 RKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: BZX584B13 RKG
品牌: TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述: DIODE ZENER 13V 150MW SOD523F
参数: 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:200nA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:25 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:30 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V
2精度(%)2:±2%
3最大功率(W)3:150mW
4最大阻抗值(Zzt)4:30 Ohms
5工作温度:150°C(TJ)
外壳:SC-79,SOD-523
封装:SOD-523F
料号:E6-47509
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX584B13 RKG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX584B13 RKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX584B13 RKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX584B13 RKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: BZX584B15 RKG
品牌: TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述: DIODE ZENER 15V 150MW SOD523F
参数: 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:200nA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:25 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:30 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:30 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V
2精度(%)2:±2%
3最大功率(W)3:150mW
4最大阻抗值(Zzt)4:30 Ohms
5工作温度:150°C(TJ)
外壳:SC-79,SOD-523
封装:SOD-523F
料号:E6-47510
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX584B15 RKG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX584B15 RKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX584B15 RKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX584B15 RKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: BZX584B16 RKG
品牌: TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述: DIODE ZENER 16V 150MW SOD523F
参数: 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:200nA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:25 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:30 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:30 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:40 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 11.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V
2精度(%)2:±2%
3最大功率(W)3:150mW
4最大阻抗值(Zzt)4:40 Ohms
5工作温度:150°C(TJ)
外壳:SC-79,SOD-523
封装:SOD-523F
料号:E6-47511
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX584B16 RKG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX584B16 RKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX584B16 RKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX584B16 RKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: BZX584B18 RKG
品牌: TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述: DIODE ZENER 18V 150MW SOD523F
参数: 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:200nA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:25 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:30 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:30 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:40 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 11.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:45 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 12.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V
2精度(%)2:±2%
3最大功率(W)3:150mW
4最大阻抗值(Zzt)4:45 Ohms
5工作温度:150°C(TJ)
外壳:SC-79,SOD-523
封装:SOD-523F
料号:E6-47512
包装:
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合作现货:0
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状态: 在售
型号: BZX584B20 RKG
品牌: TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述: DIODE ZENER 20V 150MW SOD523F
参数: 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:200nA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:25 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:30 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:30 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:40 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 11.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:45 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 12.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:55 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 14V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V
2精度(%)2:±2%
3最大功率(W)3:150mW
4最大阻抗值(Zzt)4:55 Ohms
5工作温度:150°C(TJ)
外壳:SC-79,SOD-523
封装:SOD-523F
料号:E6-47513
包装:
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX584B20 RKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: BZX584B4V7 RKG
品牌: TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述: DIODE ZENER 4.7V 150MW SOD523F
参数: 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:200nA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:25 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:30 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:30 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:40 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 11.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:45 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 12.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:55 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 14V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V
2精度(%)2:±2%
3最大功率(W)3:150mW
4最大阻抗值(Zzt)4:80 Ohms
5工作温度:150°C(TJ)
外壳:SC-79,SOD-523
封装:SOD-523F
料号:E6-47514
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX584B4V7 RKG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX584B4V7 RKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX584B4V7 RKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX584B4V7 RKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态: 在售
型号: BZX584B5V1 RKG
品牌: TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述: DIODE ZENER 5.1V 150MW SOD523F
参数: 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:200nA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:25 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:30 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:30 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:40 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 11.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:45 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 12.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:55 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 14V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:60 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V
2精度(%)2:±2%
3最大功率(W)3:150mW
4最大阻抗值(Zzt)4:60 Ohms
5工作温度:150°C(TJ)
外壳:SC-79,SOD-523
封装:SOD-523F
料号:E6-47515
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX584B5V1 RKG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX584B5V1 RKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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型号: BZX584B5V6 RKG
品牌: TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述: DIODE ZENER 5.6V 150MW SOD523F
参数: 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:200nA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:25 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:30 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:30 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:40 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 11.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:45 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 12.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:55 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 14V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:60 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:40 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
6系列:-
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2精度(%)2:±2%
3最大功率(W)3:150mW
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外壳:SC-79,SOD-523
封装:SOD-523F
料号:E6-47516
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合作现货:0
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品牌: TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述: DIODE ZENER 6.2V 150MW SOD523F
参数: 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:200nA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:25 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:30 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:30 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:40 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 11.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:45 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 12.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:55 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 14V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:60 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:40 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V
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外壳:SC-79,SOD-523
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料号:E6-47517
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参数: 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:200nA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:25 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:30 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:30 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:40 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 11.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:45 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 12.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:55 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 14V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:60 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:40 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V
2精度(%)2:±2%
3最大功率(W)3:150mW
4最大阻抗值(Zzt)4:15 Ohms
5工作温度:150°C(TJ)
外壳:SC-79,SOD-523
封装:SOD-523F
料号:E6-47518
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX584B6V8 RKG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
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品牌: TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述: DIODE ZENER 7.5V 150MW SOD523F
参数: 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:200nA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:25 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:30 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:30 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:40 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 11.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:45 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 12.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:55 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 14V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:60 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:40 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
6系列:-
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外壳:SC-79,SOD-523
封装:SOD-523F
料号:E6-47519
包装:
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合作现货:0
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型号: BZX584B8V2 RKG
品牌: TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述: DIODE ZENER 8.2V 150MW SOD523F
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替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V
2精度(%)2:±2%
3最大功率(W)3:150mW
4最大阻抗值(Zzt)4:15 Ohms
5工作温度:150°C(TJ)
外壳:SC-79,SOD-523
封装:SOD-523F
料号:E6-47520
包装:
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海外现货:0
最小起订:
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1~2周可到达
状态: 在售
型号: BZX584B9V1 RKG
品牌: TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述: DIODE ZENER 9.1V 150MW SOD523F
参数: 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:200nA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:25 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:30 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:30 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:40 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 11.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:45 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 12.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:55 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 14V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:60 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:40 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:700nA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V
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包装:
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合作现货:0
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型号: BZX585B10 RKG
品牌: TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述: DIODE ZENER 10V 200MW SOD523F
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料号:E6-47522
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX585B10 RKG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
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状态: 在售
型号: BZX585B11 RKG
品牌: TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述: DIODE ZENER 11V 200MW SOD523F
参数: 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:200nA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:25 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:30 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:30 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:40 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 11.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:45 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 12.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:55 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 14V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:60 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:40 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:700nA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值(Zzt)4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:180nA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:180nA @ 7V *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值(Zzt)4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:90nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:90nA @ 8V *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
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6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V
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料号:E6-47523
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX585B11 RKG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号: BZX585B12 RKG
品牌: TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述: DIODE ZENER 12V 200MW SOD523F
参数: 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:200nA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:25 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:30 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:30 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:40 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 11.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:45 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 12.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:55 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 14V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:60 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:40 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:700nA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值(Zzt)4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:180nA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:180nA @ 7V *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值(Zzt)4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:90nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:90nA @ 8V *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值(Zzt)4:25 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:90nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:90nA @ 8V *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
6系列:-
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3最大功率(W)3:200mW
4最大阻抗值(Zzt)4:25 Ohms
5工作温度:150°C(TJ)
外壳:SC-79,SOD-523
封装:SOD-523F
料号:E6-47524
包装:
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合作现货:0
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型号: BZX585B13 RKG
品牌: TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述: DIODE ZENER 13V 200MW SOD523F
参数: 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:200nA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:25 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:30 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:30 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:40 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 11.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:45 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 12.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:55 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 14V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:60 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:40 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:700nA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:150mW *4最大阻抗值(Zzt)4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值(Zzt)4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:180nA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:180nA @ 7V *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值(Zzt)4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:90nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:90nA @ 8V *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值(Zzt)4:25 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:90nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:90nA @ 8V *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度(%)2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值(Zzt)4:30 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:90nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:90nA @ 8V *5工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
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6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V
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4最大阻抗值(Zzt)4:30 Ohms
5工作温度:150°C(TJ)
外壳:SC-79,SOD-523
封装:SOD-523F
料号:E6-47525
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX585B13 RKG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
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