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元器件型号：47879 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： BZX585B51 RKG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER 51V 200MW SOD523F
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:180 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:45nA @ 35.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：51V
2精度（%）2：±2%
3最大功率(W)3：200mW
4最大阻抗值（Zzt）4：180 Ohms
5工作温度：150°C（TJ）
外壳：SC-79，SOD-523
封装：SOD-523F
料号：E6-47546
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX585B51 RKG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX585B51 RKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX585B51 RKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX585B51 RKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BZX585B5V1 RKG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER 5.1V 200MW SOD523F
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:180 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:45nA @ 35.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:60 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1.8µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：5.1V
2精度（%）2：±2%
3最大功率(W)3：200mW
4最大阻抗值（Zzt）4：60 Ohms
5工作温度：150°C（TJ）
外壳：SC-79，SOD-523
封装：SOD-523F
料号：E6-47547
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX585B5V1 RKG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX585B5V1 RKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX585B5V1 RKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： BZX585B5V6 RKG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER 5.6V 200MW SOD523F
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:180 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:45nA @ 35.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:60 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1.8µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:40 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:900nA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：5.6V
2精度（%）2：±2%
3最大功率(W)3：200mW
4最大阻抗值（Zzt）4：40 Ohms
5工作温度：150°C（TJ）
外壳：SC-79，SOD-523
封装：SOD-523F
料号：E6-47548
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX585B5V6 RKG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX585B5V6 RKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX585B5V6 RKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX585B5V6 RKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BZX585B6V2 RKG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER 6.2V 200MW SOD523F
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:180 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:45nA @ 35.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:60 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1.8µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:40 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:900nA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2.7µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：6.2V
2精度（%）2：±2%
3最大功率(W)3：200mW
4最大阻抗值（Zzt）4：10 Ohms
5工作温度：150°C（TJ）
外壳：SC-79，SOD-523
封装：SOD-523F
料号：E6-47549
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX585B6V2 RKG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX585B6V2 RKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX585B6V2 RKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX585B6V2 RKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BZX585B6V8 RKG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER 6.8V 200MW SOD523F
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:180 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:45nA @ 35.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:60 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1.8µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:40 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:900nA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2.7µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1.8µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：6.8V
2精度（%）2：±2%
3最大功率(W)3：200mW
4最大阻抗值（Zzt）4：15 Ohms
5工作温度：150°C（TJ）
外壳：SC-79，SOD-523
封装：SOD-523F
料号：E6-47550
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX585B6V8 RKG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX585B6V8 RKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX585B6V8 RKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX585B6V8 RKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BZX585B7V5 RKG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER 7.5V 200MW SOD523F
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:180 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:45nA @ 35.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:60 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1.8µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:40 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:900nA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2.7µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1.8µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:900nA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：7.5V
2精度（%）2：±2%
3最大功率(W)3：200mW
4最大阻抗值（Zzt）4：15 Ohms
5工作温度：150°C（TJ）
外壳：SC-79，SOD-523
封装：SOD-523F
料号：E6-47551
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX585B7V5 RKG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX585B7V5 RKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX585B7V5 RKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX585B7V5 RKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER 8.2V 200MW SOD523F
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:180 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:45nA @ 35.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:60 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1.8µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:40 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:900nA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2.7µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1.8µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:900nA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:630nA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：8.2V
2精度（%）2：±2%
3最大功率(W)3：200mW
4最大阻抗值（Zzt）4：15 Ohms
5工作温度：150°C（TJ）
外壳：SC-79，SOD-523
封装：SOD-523F
料号：E6-47552
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX585B8V2 RKG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX585B8V2 RKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX585B8V2 RKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX585B8V2 RKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BZX585B9V1 RKG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER 9.1V 200MW SOD523F
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:180 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:45nA @ 35.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:60 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1.8µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:40 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:900nA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2.7µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1.8µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:900nA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:630nA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:450nA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:450nA @ 6V *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：9.1V
2精度（%）2：±2%
3最大功率(W)3：200mW
4最大阻抗值（Zzt）4：15 Ohms
5工作温度：150°C（TJ）
外壳：SC-79，SOD-523
封装：SOD-523F
料号：E6-47553
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX585B9V1 RKG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX585B9V1 RKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX585B9V1 RKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX585B9V1 RKG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BZX55B11 A0G
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER 11V 500MW DO35
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:180 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:45nA @ 35.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:60 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1.8µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:40 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:900nA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2.7µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1.8µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:900nA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:630nA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:450nA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:450nA @ 6V *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：11V
2精度（%）2：±2%
3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：20 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-47554
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX55B11 A0G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX55B11 A0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX55B11 A0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX55B11 A0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BZX55B12 A0G
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER 12V 500MW DO35
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:180 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:45nA @ 35.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:60 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1.8µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:40 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:900nA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2.7µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1.8µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:900nA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:630nA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:450nA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:450nA @ 6V *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：12V
2精度（%）2：±2%
3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：20 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-47555
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX55B12 A0G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX55B12 A0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX55B12 A0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX55B12 A0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BZX55B13 A0G
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER 13V 500MW DO35
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:180 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:45nA @ 35.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:60 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1.8µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:40 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:900nA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2.7µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1.8µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:900nA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:630nA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:450nA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:450nA @ 6V *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:26 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：13V
2精度（%）2：±2%
3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：26 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-47556
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX55B13 A0G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX55B13 A0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BZX55B16 A0G
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER 16V 500MW DO35
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:180 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:45nA @ 35.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:60 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1.8µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:40 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:900nA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2.7µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1.8µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:900nA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:630nA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:450nA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:450nA @ 6V *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:26 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:40 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 12V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：16V
2精度（%）2：±2%
3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：40 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-47557
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX55B16 A0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX55B16 A0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： BZX55B22 A0G
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER 22V 500MW DO35
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:180 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:45nA @ 35.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:60 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1.8µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:40 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:900nA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2.7µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1.8µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:900nA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:630nA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:450nA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:450nA @ 6V *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:26 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:40 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 12V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:55 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 17V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：22V
2精度（%）2：±2%
3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：55 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-47558
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX55B22 A0G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX55B22 A0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX55B22 A0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX55B22 A0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BZX55B2V4 A0G
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:180 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:45nA @ 35.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:60 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1.8µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:40 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:900nA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2.7µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1.8µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:900nA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:630nA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:450nA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:450nA @ 6V *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:26 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:40 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 12V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:55 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 17V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:2.4V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：2.4V
2精度（%）2：±2%
3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：85 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-47559
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX55B2V4 A0G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： BZX55B2V7 A0G
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:180 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:45nA @ 35.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:60 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1.8µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:40 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:900nA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2.7µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1.8µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:900nA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:630nA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:450nA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:450nA @ 6V *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:26 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:40 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 12V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:55 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 17V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:2.4V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:2.7V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：2.7V
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5工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-47560
包装：
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型号： BZX55B30 A0G
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER 30V 500MW DO35
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:180 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:45nA @ 35.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:60 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1.8µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:40 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:900nA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2.7µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1.8µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:900nA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:630nA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:450nA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:450nA @ 6V *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:26 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:40 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 12V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:55 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 17V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:2.4V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:2.7V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 22V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
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3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：80 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-47561
包装：
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合作现货:0
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型号： BZX55B33 A0G
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER 33V 500MW DO35
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6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：33V
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3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：80 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-47562
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX55B33 A0G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX55B33 A0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX55B33 A0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX55B33 A0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BZX55B36 A0G
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER 36V 500MW DO35
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:180 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:45nA @ 35.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:60 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1.8µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:40 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:900nA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2.7µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1.8µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:900nA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:630nA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:450nA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:450nA @ 6V *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:26 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:40 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 12V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:55 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 17V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:2.4V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:2.7V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 22V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 24V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 27V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：36V
2精度（%）2：±2%
3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：80 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-47563
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX55B36 A0G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX55B36 A0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX55B36 A0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BZX55B39 A0G
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER 39V 500MW DO35
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:180 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:45nA @ 35.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:60 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1.8µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:40 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:900nA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2.7µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1.8µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:900nA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:630nA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:450nA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:450nA @ 6V *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:26 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:40 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 12V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:55 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 17V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:2.4V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:2.7V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 22V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 24V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 27V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:90 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 28V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：39V
2精度（%）2：±2%
3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：90 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-47564
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX55B39 A0G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： BZX55B43 A0G
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER 43V 500MW DO35
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:180 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:45nA @ 35.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:60 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1.8µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:40 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:900nA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2.7µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1.8µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:900nA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:630nA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:450nA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:450nA @ 6V *5工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:26 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:40 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 12V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:55 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 17V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:2.4V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:2.7V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 22V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 24V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 27V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:90 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 28V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:90 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 32V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 100mA *5工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：43V
2精度（%）2：±2%
3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：90 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-47565
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX55B43 A0G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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