元器件型号:47879
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
型号: 1N5270B AP
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ZENER 91V 500MW DO35
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:400 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 69V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V
2精度(%)2:±5%
3最大功率(W)3:500mW
4最大阻抗值(Zzt)4:400 Ohms
5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
封装:DO-35
料号:E6-47766
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5270B AP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5270B AP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5270B AP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5270B AP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: 1N5271B AP
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ZENER 100V 500MW DO35
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:400 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 69V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:500 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 76V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V
2精度(%)2:±5%
3最大功率(W)3:500mW
4最大阻抗值(Zzt)4:500 Ohms
5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
封装:DO-35
料号:E6-47767
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5271B AP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5271B AP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5271B AP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5271B AP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: 1N5272B AP
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ZENER 110V 500MW DO35
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:400 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 69V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:500 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 76V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 84V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V
2精度(%)2:±5%
3最大功率(W)3:500mW
4最大阻抗值(Zzt)4:750 Ohms
5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
封装:DO-35
料号:E6-47768
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5272B AP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5272B AP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5272B AP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5272B AP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: 1N5273B AP
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ZENER 120V 500MW DO35
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:400 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 69V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:500 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 76V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 84V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V
2精度(%)2:±5%
3最大功率(W)3:500mW
4最大阻抗值(Zzt)4:900 Ohms
5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
封装:DO-35
料号:E6-47769
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5273B AP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5273B AP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5273B AP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5273B AP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: 1N5274 TR
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ZENER 130V 500MW DO35
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:400 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 69V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:500 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 76V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 84V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度(%)2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值(Zzt)4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:-
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:-
2精度(%)2:-
3最大功率(W)3:-
4最大阻抗值(Zzt)4:-
5工作温度:-
外壳:-
封装:-
料号:E6-47770
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5274 TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5274 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5274 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5274 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: 1N5280B TR
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ZENER 190V 500MW DO35A
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:400 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 69V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:500 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 76V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 84V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度(%)2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值(Zzt)4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:2.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 144V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V
2精度(%)2:±5%
3最大功率(W)3:500mW
4最大阻抗值(Zzt)4:2.4 kOhms
5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
封装:DO-35A
料号:E6-47771
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5280B TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5280B TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5280B TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5280B TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
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状态: 在售
型号: 1N5272B BK
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ZENER 110V 500MW DO35
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:400 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 69V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:500 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 76V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 84V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度(%)2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值(Zzt)4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:2.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 144V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 84V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔
替代:
6系列:-
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4最大阻抗值(Zzt)4:750 Ohms
5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
封装:DO-35
料号:E6-47772
包装:
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合作现货:0
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型号: 1N5280B BK
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ZENER 190V 500MW DO35A
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替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V
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3最大功率(W)3:500mW
4最大阻抗值(Zzt)4:2.4 kOhms
5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
封装:DO-35A
料号:E6-47773
包装:
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型号: 1N5281B BK
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ZENER 200V 500MW DO35A
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:400 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 69V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:500 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 76V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 84V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度(%)2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值(Zzt)4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:2.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 144V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 84V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:2.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 144V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:2.5 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔
替代:
6系列:-
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4最大阻抗值(Zzt)4:2.5 kOhms
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外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
封装:DO-35A
料号:E6-47774
包装:
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型号: 1N5270B TR
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ZENER 91V 500MW DO35
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:400 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 69V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:500 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 76V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 84V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度(%)2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值(Zzt)4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:2.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 144V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 84V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:2.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 144V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:2.5 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:400 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 69V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔
替代:
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V
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5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
封装:DO-35
料号:E6-47775
包装:
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型号: 1N5271B TR
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ZENER 100V 500MW DO35
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:400 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 69V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:500 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 76V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 84V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度(%)2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值(Zzt)4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:2.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 144V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 84V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:2.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 144V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:2.5 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:400 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 69V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:500 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 76V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V
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3最大功率(W)3:500mW
4最大阻抗值(Zzt)4:500 Ohms
5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
封装:DO-35
料号:E6-47776
包装:
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合作现货:0
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型号: 1N5272B TR
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ZENER 110V 500MW DO35
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:400 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 69V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:500 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 76V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 84V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度(%)2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值(Zzt)4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:2.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 144V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 84V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:2.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 144V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:2.5 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:400 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 69V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:500 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 76V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 84V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V
2精度(%)2:±5%
3最大功率(W)3:500mW
4最大阻抗值(Zzt)4:750 Ohms
5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
封装:DO-35
料号:E6-47777
包装:
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型号: 1N5274B TR
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ZENER 130V 500MW DO35
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:400 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 69V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:500 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 76V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 84V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度(%)2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值(Zzt)4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:2.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 144V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 84V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:2.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 144V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:2.5 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:400 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 69V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:500 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 76V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 84V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:1.1 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 99V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V
2精度(%)2:±5%
3最大功率(W)3:500mW
4最大阻抗值(Zzt)4:1.1 kOhms
5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
封装:DO-35
料号:E6-47778
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5274B TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号: 1N5276B TR
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ZENER 150V 500MW DO35
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:400 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 69V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:500 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 76V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 84V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度(%)2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值(Zzt)4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:2.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 144V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 84V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:2.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 144V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:2.5 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:400 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 69V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:500 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 76V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 84V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:1.1 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 99V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:1.5 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔
替代:
6系列:-
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5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
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封装:DO-35
料号:E6-47779
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合作现货:0
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型号: 1N5277B TR
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ZENER 160V 500MW DO35
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:400 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 69V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:500 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 76V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 84V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度(%)2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值(Zzt)4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:2.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 144V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 84V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:2.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 144V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:2.5 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:400 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 69V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:500 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 76V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 84V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:1.1 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 99V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:1.5 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:1.7 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 122V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V
2精度(%)2:±5%
3最大功率(W)3:500mW
4最大阻抗值(Zzt)4:1.7 kOhms
5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
封装:DO-35
料号:E6-47780
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5277B TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号: 1N5278B TR
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ZENER 170V 500MW DO35
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:400 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 69V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:500 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 76V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 84V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度(%)2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值(Zzt)4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:2.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 144V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 84V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:2.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 144V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:2.5 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:400 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 69V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:500 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 76V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 84V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:1.1 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 99V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:1.5 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:1.7 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 122V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:170V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:1.9 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 129V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:170V
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3最大功率(W)3:500mW
4最大阻抗值(Zzt)4:1.9 kOhms
5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
封装:DO-35
料号:E6-47781
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合作现货:0
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型号: 1N5269B TR
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ZENER 87V 500MW DO35
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替代:
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:87V
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料号:E6-47782
包装:
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海外现货:0
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型号: 1N5275B TR
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ZENER 140V 500MW DO35
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:400 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 69V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:500 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 76V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 84V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度(%)2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值(Zzt)4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:2.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 144V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 84V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:2.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 144V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:2.5 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:400 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 69V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:500 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 76V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 84V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:1.1 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 99V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:1.5 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:1.7 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 122V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:170V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:1.9 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 129V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:87V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:370 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 68V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:1.3 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 106V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V
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3最大功率(W)3:500mW
4最大阻抗值(Zzt)4:1.3 kOhms
5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
封装:DO-35
料号:E6-47783
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5275B TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号: 1N5265B BK
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ZENER 62V 500MW DO35
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:400 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 69V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:500 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 76V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 84V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 91V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度(%)2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值(Zzt)4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:2.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 144V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 84V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:2.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 144V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:2.5 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:400 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 69V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:500 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 76V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:750 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 84V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:1.1 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 99V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:1.5 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:1.7 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 122V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:170V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:1.9 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 129V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:87V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:370 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 68V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:1.3 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 106V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:62V *2精度(%)2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值(Zzt)4:185 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 47V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔
替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:62V
2精度(%)2:±5%
3最大功率(W)3:500mW
4最大阻抗值(Zzt)4:185 Ohms
5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
封装:DO-35
料号:E6-47784
包装:
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合作现货:0
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状态: 在售
型号: 1N5269B BK
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ZENER 87V 500MW DO35
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替代:
6系列:-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:87V
2精度(%)2:±5%
3最大功率(W)3:500mW
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5工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
封装:DO-35
料号:E6-47785
包装:
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