首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 桥式整流器(肖特基)
元器件型号：47879 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： SMAJ5954E3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 160V 3W DO214AC
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：160V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：700 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-214AC，SMA
封装：DO-214AC（SMAJ）
料号：E6-6438
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMAJ5954E3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： SMAJ5955AE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 180V 3W DO214AC
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：180V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：900 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-214AC，SMA
封装：DO-214AC（SMAJ）
料号：E6-6439
包装：
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 180V 3W DO214AC
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：180V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：900 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-214AC，SMA
封装：DO-214AC（SMAJ）
料号：E6-6440
包装：
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 180V 3W DO214AC
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：180V
2精度（%）2：±2%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：900 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-214AC，SMA
封装：DO-214AC（SMAJ）
料号：E6-6441
包装：
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 180V 3W DO214AC
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：180V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：900 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-214AC，SMA
封装：DO-214AC（SMAJ）
料号：E6-6442
包装：
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参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：200V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：1.2 kOhms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-214AC，SMA
封装：DO-214AC（SMAJ）
料号：E6-6443
包装：
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型号： SMAJ5956BE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 200V 3W DO214AC
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：200V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：1.2 kOhms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-214AC，SMA
封装：DO-214AC（SMAJ）
料号：E6-6444
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMAJ5956BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 200V 3W DO214AC
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：200V
2精度（%）2：±2%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：1.2 kOhms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-214AC，SMA
封装：DO-214AC（SMAJ）
料号：E6-6445
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMAJ5956CE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMAJ5956CE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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描述： DIODE ZENER 200V 3W DO214AC
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：200V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：1.2 kOhms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-214AC，SMA
封装：DO-214AC（SMAJ）
料号：E6-6446
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMAJ5956E3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMAJ5956E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMAJ5956E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMAJ5956E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMSZ5227BS-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER 3.6V 200MW SOD323
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:24 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:15µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：3.6V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：200mW
4最大阻抗值（Zzt）4：24 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：SC-76,SOD-323
封装：SOD-323
料号：E6-6447
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMSZ5227BS-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： BZG05C10TR
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE ZENER 10V 1.25W DO214AC
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:24 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:15µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:1.25W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：10V
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5工作温度：150°C
外壳：DO-214AC，SMA
封装：DO-214AC
料号：E6-6448
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZG05C10TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZG05C10TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： MMSZ5227B-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER 3.6V 500MW SOD123
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:24 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:15µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:1.25W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3: *4最大阻抗值（Zzt）4: 不同vr时电流-反向漏电流:15µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：3.6V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：
4最大阻抗值（Zzt）4：
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：SOD-123
封装：SOD-123
料号：E6-6449
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMSZ5227B-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMSZ5227B-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMSZ5227B-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMSZ5227B-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： MMSZ5225B-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER 3V 500MW SOD123
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:24 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:15µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:1.25W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3: *4最大阻抗值（Zzt）4: 不同vr时电流-反向漏电流:15µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 *6系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:-
替代：
6系列：*
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：-
2精度（%）2：-
3最大功率(W)3：-
4最大阻抗值（Zzt）4：-
5工作温度：-
外壳：SOD-123
封装：SOD-123
料号：E6-6450
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMSZ5225B-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMSZ5225B-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMSZ5225B-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMSZ5225B-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 1N4625 BK PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： DIODE ZENER 5.1V 250MW DO35
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:24 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:15µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:1.25W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3: *4最大阻抗值（Zzt）4: 不同vr时电流-反向漏电流:15µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 *6系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:250mW *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：5.1V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：250mW
4最大阻抗值（Zzt）4：1.5 kOhms
5工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-45941
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N4625 BK PBFREE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4625 BK PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4625 BK PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4625 BK PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1PMT5914AE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 3.6V 3W DO216AA
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:24 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:15µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:1.25W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3: *4最大阻抗值（Zzt）4: 不同vr时电流-反向漏电流:15µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 *6系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:250mW *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:9 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:75µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：3.6V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：9 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216AA
料号：E6-6451
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT5914AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5914AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5914AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5914AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： 1PMT5914BE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 3.6V 3W DO216AA
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:24 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:15µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:1.25W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3: *4最大阻抗值（Zzt）4: 不同vr时电流-反向漏电流:15µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 *6系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:250mW *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:9 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:75µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:9 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:75µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：3.6V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：9 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216AA
料号：E6-6452
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT5914BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5914BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5914BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： 1PMT5914CE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 3.6V 3W DO216AA
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:24 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:15µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:1.25W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3: *4最大阻抗值（Zzt）4: 不同vr时电流-反向漏电流:15µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 *6系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:250mW *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:9 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:75µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:9 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:75µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:9 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:75µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：3.6V
2精度（%）2：±2%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：9 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216AA
料号：E6-6453
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT5914CE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态： 在售
型号： 1PMT5914E3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 3.6V 3W DO216AA
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:24 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:15µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:1.25W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3: *4最大阻抗值（Zzt）4: 不同vr时电流-反向漏电流:15µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 *6系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:250mW *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:9 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:75µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:9 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:75µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:9 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:75µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:9 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:75µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：3.6V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：9 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216AA
料号：E6-6454
包装：
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合作现货:0
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型号： 1PMT5915AE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 3.9V 3W DO216AA
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:24 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:15µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:1.25W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3: *4最大阻抗值（Zzt）4: 不同vr时电流-反向漏电流:15µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 *6系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:250mW *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:9 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:75µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:9 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:75µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:9 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:75µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:9 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:75µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.9V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:25µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：3.9V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：7.5 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216AA
料号：E6-6455
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT5915AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5915AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1PMT5915BE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 3.9V 3W DO216AA
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:900 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:200mW *4最大阻抗值（Zzt）4:24 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:15µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:1.25W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3: *4最大阻抗值（Zzt）4: 不同vr时电流-反向漏电流:15µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 *6系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:- *2精度（%）2:- *3最大功率(W)3:- *4最大阻抗值（Zzt）4:- 不同vr时电流-反向漏电流:- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:- *5工作温度:- 安装类型:- *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:250mW *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:9 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:75µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:9 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:75µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±2% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:9 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:75µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:9 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:75µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.9V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:25µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.9V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:25µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：3.9V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：7.5 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216AA
料号：E6-6456
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT5915BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT5915BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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