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元器件型号：47879 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： 1PMT4118E3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 27V 1W DO216
参数： *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:150 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 20.45V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：POWERMITE®
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：27V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：150 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216
料号：E6-8140
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT4118E3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4118E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4118E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4118E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： 1PMT4119E3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 28V 1W DO216
参数： *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:150 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 20.45V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:28V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 21.28V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：POWERMITE®
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：28V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：200 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216
料号：E6-8141
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT4119E3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4119E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4119E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4119E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： 1PMT4120E3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 30V 1W DO216
参数： *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:150 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 20.45V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:28V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 21.28V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：POWERMITE®
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：30V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：200 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216
料号：E6-8142
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT4120E3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4120E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4120E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4120E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： 1PMT4121E3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 33V 1W DO216
参数： *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:150 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 20.45V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:28V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 21.28V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 25.08V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：POWERMITE®
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：33V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：200 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216
料号：E6-8143
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT4121E3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4121E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4121E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4121E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： 1PMT4122E3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 36V 1W DO216
参数： *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:150 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 20.45V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:28V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 21.28V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 25.08V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 27.38V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：POWERMITE®
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：36V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：200 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216
料号：E6-8144
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT4122E3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4122E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4122E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4122E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1PMT4123E3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 39V 1W DO216
参数： *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:150 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 20.45V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:28V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 21.28V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 25.08V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 27.38V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 29.65V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：POWERMITE®
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：39V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：200 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216
料号：E6-8145
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT4123E3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4123E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4123E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4123E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1PMT4124E3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 43V 1W DO216
参数： *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:150 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 20.45V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:28V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 21.28V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 25.08V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 27.38V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 29.65V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 32.65V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：POWERMITE®
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3最大功率(W)3：1W
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外壳：DO-216AA
封装：DO-216
料号：E6-8146
包装：
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合作现货:0
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型号： 1PMT4125E3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 47V 1W DO216
参数： *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:150 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 20.45V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:28V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 21.28V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 25.08V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 27.38V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 29.65V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 32.65V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 35.75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
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6系列：POWERMITE®
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外壳：DO-216AA
封装：DO-216
料号：E6-8147
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4125E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 1PMT4127E3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 56V 1W DO216
参数： *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:150 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 20.45V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:28V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 21.28V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 25.08V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 27.38V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 29.65V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 32.65V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 35.75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:56V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 42.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
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6系列：POWERMITE®
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外壳：DO-216AA
封装：DO-216
料号：E6-8148
包装：
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合作现货:0
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海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1PMT4128E3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 60V 1W DO216
参数： *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:150 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 20.45V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:28V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 21.28V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 25.08V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 27.38V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 29.65V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 32.65V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 35.75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:56V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 42.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:60V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 45.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：POWERMITE®
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：60V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：250 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216
料号：E6-8149
包装：
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型号： 1PMT4129E3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 62V 1W DO216
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替代：
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外壳：DO-216AA
封装：DO-216
料号：E6-8150
包装：
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型号： 1PMT4130E3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 68V 1W DO216
参数： *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:150 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 20.45V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:28V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 21.28V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 25.08V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 27.38V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 29.65V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 32.65V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 35.75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:56V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 42.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:60V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 45.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:62V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 47.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:68V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 51.68V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
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6系列：POWERMITE®
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外壳：DO-216AA
封装：DO-216
料号：E6-8151
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型号： 1PMT4131E3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 75V 1W DO216
参数： *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:150 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 20.45V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:28V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 21.28V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 25.08V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 27.38V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 29.65V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 32.65V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 35.75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:56V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 42.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:60V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 45.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:62V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 47.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:68V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 51.68V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 57V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：POWERMITE®
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：75V
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外壳：DO-216AA
封装：DO-216
料号：E6-8152
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT4131E3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： 1PMT4132E3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 82V 1W DO216
参数： *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:150 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 20.45V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:28V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 21.28V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 25.08V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 27.38V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 29.65V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 32.65V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 35.75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:56V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 42.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:60V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 45.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:62V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 47.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:68V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 51.68V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 57V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 62.32V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：82V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：250 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216
料号：E6-8153
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4132E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4132E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4132E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 1PMT4133E3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 87V 1W DO216
参数： *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:150 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 20.45V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:28V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 21.28V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 25.08V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 27.38V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 29.65V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 32.65V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 35.75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:56V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 42.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:60V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 45.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:62V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 47.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:68V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 51.68V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 57V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 62.32V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:87V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 66.12V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：POWERMITE®
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：87V
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3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：250 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216
料号：E6-8154
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT4133E3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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型号： 1PMT4134E3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 91V 1W DO216
参数： *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:150 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 20.45V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:28V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 21.28V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 25.08V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 27.38V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 29.65V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 32.65V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 35.75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:56V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 42.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:60V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 45.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:62V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 47.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:68V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 51.68V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 57V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 62.32V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:87V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 66.12V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 69.16V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：POWERMITE®
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：91V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：250 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216
料号：E6-8155
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT4134E3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4134E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4134E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4134E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 1PMT4135E3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 100V 1W DO216
参数： *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:150 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 20.45V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:28V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 21.28V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 25.08V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 27.38V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 29.65V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 32.65V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 35.75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:56V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 42.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:60V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 45.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:62V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 47.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:68V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 51.68V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 57V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 62.32V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:87V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 66.12V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 69.16V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 76V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：POWERMITE®
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：100V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：250 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216
料号：E6-8156
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT4135E3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4135E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4135E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4135E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1PMT4126E3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER REG 51V 1W DO213AA
参数： *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:150 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 20.45V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:28V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 21.28V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 25.08V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 27.38V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 29.65V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 32.65V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 35.75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:56V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 42.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:60V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 45.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:62V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 47.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:68V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 51.68V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 57V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 62.32V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:87V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 66.12V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 69.16V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 76V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 38.76V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：51V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：300 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216
料号：E6-8157
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4126E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： CZRB3005-G
品牌： Comchip/典琦 Comchip Technology 典琦科技
描述： DIODE ZENER 6.2V 3W DO214AA
参数： *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:150 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 20.45V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:28V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 21.28V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 25.08V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 27.38V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 29.65V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 32.65V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 35.75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:56V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 42.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:60V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 45.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:62V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 47.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:68V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 51.68V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 57V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 62.32V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:87V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 66.12V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 69.16V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 76V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 38.76V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:- 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：6.2V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：1.5 Ohms
5工作温度：-
外壳：DO-214AA，SMB
封装：DO-214AA（SMB）
料号：E6-8158
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CZRB3005-G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Comchip/典琦' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CZRB3005-G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CZRB3005-G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CZRB3005-G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： CZRB3006-G
品牌： Comchip/典琦 Comchip Technology 典琦科技
描述： DIODE ZENER 6.8V 3W DO214AA
参数： *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:150 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 20.45V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:28V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 21.28V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 22.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 25.08V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 27.38V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 29.65V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 32.65V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 35.75V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:56V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 42.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:60V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 45.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:62V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 47.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:68V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 51.68V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 57V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 62.32V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:87V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 66.12V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 69.16V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:250 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 76V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10nA @ 38.76V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:- 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:- 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：6.8V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：2 Ohms
5工作温度：-
外壳：DO-214AA，SMB
封装：DO-214AA（SMB）
料号：E6-8159
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CZRB3006-G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Comchip/典琦' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CZRB3006-G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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