首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 桥式整流器(肖特基)
元器件型号：47879 件
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状态： 在售
型号： 1N5956BE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 200V 1.5W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：200V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：1.5W
4最大阻抗值（Zzt）4：1.2 kOhms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-801
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5956BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5956BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5956BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5956BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 1N5956E3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 200V 1.5W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：200V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：1.5W
4最大阻抗值（Zzt）4：1.2 kOhms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-802
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5956E3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5956E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5956E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： 1EZ100DE3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 100V 1W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1W 不同vr时电流-反向漏电流:1W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：100V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：1W
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-803
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1EZ100DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1EZ100DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1EZ100DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1EZ100DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 1EZ110D10E3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 110V 1W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1W 不同vr时电流-反向漏电流:1W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:570 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：110V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：570 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-804
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1EZ110D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1EZ110D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1EZ110D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1EZ110D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 1EZ110DE3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 110V 1W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1W 不同vr时电流-反向漏电流:1W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:570 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:570 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：110V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：570 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-805
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1EZ110DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1EZ110DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1EZ110DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1EZ110DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 1EZ120D10E3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 120V 1W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1W 不同vr时电流-反向漏电流:1W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:570 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:570 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:710 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：120V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：710 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-806
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1EZ120D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1EZ120D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1EZ120D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1EZ120D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 1EZ120DE3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 120V 1W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1W 不同vr时电流-反向漏电流:1W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:570 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:570 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:710 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:710 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：120V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：710 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-807
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1EZ120DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1EZ120DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 1EZ130D10E3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 130V 1W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1W 不同vr时电流-反向漏电流:1W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:570 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:570 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:710 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:710 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:910 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：130V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：910 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-808
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1EZ130D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1EZ130D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1EZ130D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1EZ130D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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描述： DIODE ZENER 130V 1W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1W 不同vr时电流-反向漏电流:1W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:570 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:570 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:710 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:710 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:910 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:910 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：130V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：910 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-809
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1EZ130DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1EZ130DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1EZ130DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1EZ130DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 1EZ140D10E3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 140V 1W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1W 不同vr时电流-反向漏电流:1W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:570 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:570 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:710 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:710 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:910 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:910 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.1 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：140V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：1.1 kOhms
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外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-810
包装：
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型号： 1EZ140DE3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 140V 1W DO204AL
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封装：DO-204AL（DO-41）
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描述： DIODE ZENER 150V 1W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1W 不同vr时电流-反向漏电流:1W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:570 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:570 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:710 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:710 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:910 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:910 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.1 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.1 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.3 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
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参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1W 不同vr时电流-反向漏电流:1W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:570 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:570 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:710 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:710 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:910 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:910 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.1 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.1 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.3 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.3 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：150V
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料号：E6-813
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合作现货:0
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型号： 1EZ160D10E3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 160V 1W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1W 不同vr时电流-反向漏电流:1W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:570 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:570 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:710 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:710 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:910 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:910 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.1 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.1 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.3 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.3 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：160V
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5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-814
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1EZ160D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1EZ160D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： 1EZ160DE3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 160V 1W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1W 不同vr时电流-反向漏电流:1W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:570 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:570 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:710 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:710 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:910 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:910 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.1 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.1 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.3 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.3 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：160V
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4最大阻抗值（Zzt）4：1.4 kOhms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
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封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-815
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 170V 1W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1W 不同vr时电流-反向漏电流:1W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:570 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:570 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:710 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:710 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:910 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:910 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.1 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.1 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.3 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.3 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:170V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.45 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 130.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：170V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：1.45 kOhms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-816
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1EZ170D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1EZ170D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1EZ170D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： 1EZ170DE3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 170V 1W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1W 不同vr时电流-反向漏电流:1W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:570 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:570 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:710 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:710 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:910 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:910 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.1 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.1 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.3 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.3 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:170V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.45 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 130.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:170V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.45 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 130.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：170V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：1.45 kOhms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-817
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1EZ170DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1EZ170DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1EZ170DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1EZ170DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1EZ180D10E3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 180V 1W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1W 不同vr时电流-反向漏电流:1W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:570 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:570 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:710 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:710 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:910 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:910 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.1 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.1 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.3 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.3 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:170V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.45 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 130.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:170V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.45 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 130.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：180V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：1.5 kOhms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-818
包装：
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合作现货:0
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型号： 1EZ180DE3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 180V 1W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1W 不同vr时电流-反向漏电流:1W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:570 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:570 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:710 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:710 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:910 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:910 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.1 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.1 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.3 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.3 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:170V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.45 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 130.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:170V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.45 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 130.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：180V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：1.5 kOhms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-819
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1EZ180DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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状态： 在售
型号： 1EZ190D10E3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 190V 1W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1.5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:100V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1W 不同vr时电流-反向漏电流:1W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:570 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:570 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:710 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:710 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:910 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:910 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.1 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.1 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.3 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.3 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:170V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.45 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 130.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:170V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.45 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 130.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.7 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 144.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：190V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：1.7 kOhms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-820
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1EZ190D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1EZ190D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1EZ190D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1EZ190D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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