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元器件型号：47879 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： 1PMT4623E3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 4.3V 1W DO216
参数： *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.65 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:4µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：POWERMITE®
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：4.3V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：1.65 kOhms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216
料号：E6-8340
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT4623E3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4623E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4623E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4623E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： 1PMT4624E3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 4.7V 1W DO216
参数： *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.65 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:4µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.6 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：POWERMITE®
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：4.7V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：1.6 kOhms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216
料号：E6-8341
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT4624E3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4624E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4624E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4624E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： 1PMT4625E3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 5.1V 1W DO216
参数： *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.65 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:4µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.6 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：POWERMITE®
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：5.1V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：1.5 kOhms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216
料号：E6-8342
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT4625E3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4625E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4625E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4625E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： 1PMT4626E3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 5.6V 1W DO216
参数： *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.65 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:4µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.6 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：POWERMITE®
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：5.6V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：1.4 kOhms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216
料号：E6-8343
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT4626E3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4626E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4626E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4626E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： 1PMT4627E3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 6.2V 1W DO216
参数： *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.65 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:4µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.6 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：POWERMITE®
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：6.2V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：1.2 kOhms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216
料号：E6-8344
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT4627E3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4627E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4627E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4627E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： CMZ5938B BK
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： DIODE ZENER 36V 500MW SMA
参数： *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.65 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:4µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.6 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：36V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：38 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-214AC，SMA
封装：SMA
料号：E6-8345
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMZ5938B BK' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMZ5938B BK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMZ5938B BK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMZ5938B BK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： 1PMT5927BT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE ZENER 12V 3.2W POWERMITE
参数： *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.65 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:4µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.6 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3.2W *4最大阻抗值（Zzt）4:6.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
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3最大功率(W)3：3.2W
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： 1PMT5941BT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE ZENER 47V 3.2W POWERMITE
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替代：
6系列：-
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最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1PMT5929BT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE ZENER 15V 3.2W POWERMITE
参数： *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.65 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:4µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.6 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3.2W *4最大阻抗值（Zzt）4:6.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3.2W *4最大阻抗值（Zzt）4:67 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 35.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3.2W *4最大阻抗值（Zzt）4:9 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：15V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：3.2W
4最大阻抗值（Zzt）4：9 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：POWERMITE
料号：E6-8348
包装： 3000个/
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1PMT5921BT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE ZENER 6.8V 3.2W POWERMITE
参数： *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.65 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:4µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.6 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3.2W *4最大阻抗值（Zzt）4:6.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3.2W *4最大阻抗值（Zzt）4:67 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 35.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3.2W *4最大阻抗值（Zzt）4:9 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3.2W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：6.8V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：3.2W
4最大阻抗值（Zzt）4：2.5 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：POWERMITE
料号：E6-8349
包装： 3000个/
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1PMT4100E3/TR7
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 7.5V 1W DO216
参数： *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.65 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:4µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.6 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3.2W *4最大阻抗值（Zzt）4:6.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3.2W *4最大阻抗值（Zzt）4:67 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 35.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3.2W *4最大阻抗值（Zzt）4:9 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3.2W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 5.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：POWERMITE®
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：7.5V
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3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：200 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216
料号：E6-8350
包装： 3000个/
￥4.20 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1PMT4101E3/TR7
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 8.2V 1W DO216
参数： *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.65 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:4µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.6 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3.2W *4最大阻抗值（Zzt）4:6.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3.2W *4最大阻抗值（Zzt）4:67 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 35.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3.2W *4最大阻抗值（Zzt）4:9 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3.2W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 5.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 6.24V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：POWERMITE®
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：8.2V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：200 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216
料号：E6-8351
包装：
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海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1PMT4102E3/TR7
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 8.7V 1W DO216
参数： *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.65 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:4µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.6 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3.2W *4最大阻抗值（Zzt）4:6.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3.2W *4最大阻抗值（Zzt）4:67 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 35.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3.2W *4最大阻抗值（Zzt）4:9 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3.2W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 5.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 6.24V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 6.61V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：POWERMITE®
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：8.7V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：200 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216
料号：E6-8352
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT4102E3/TR7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4102E3/TR7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4102E3/TR7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4102E3/TR7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 1PMT4103E3/TR7
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 9.1V 1W DO216
参数： *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.65 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:4µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.6 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3.2W *4最大阻抗值（Zzt）4:6.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3.2W *4最大阻抗值（Zzt）4:67 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 35.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3.2W *4最大阻抗值（Zzt）4:9 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3.2W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 5.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 6.24V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 6.61V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 6.92V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：POWERMITE®
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：9.1V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：200 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216
料号：E6-8353
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT4103E3/TR7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4103E3/TR7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4103E3/TR7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4103E3/TR7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1PMT4104E3/TR7
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 10V 1W DO216
参数： *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.65 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:4µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.6 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3.2W *4最大阻抗值（Zzt）4:6.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3.2W *4最大阻抗值（Zzt）4:67 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 35.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3.2W *4最大阻抗值（Zzt）4:9 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3.2W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 5.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 6.24V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 6.61V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 6.92V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 7.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：POWERMITE®
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：10V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：200 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216
料号：E6-8354
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT4104E3/TR7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4104E3/TR7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4104E3/TR7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4104E3/TR7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 1PMT4106E3/TR7
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 12V 1W DO216
参数： *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.65 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:4µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.6 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3.2W *4最大阻抗值（Zzt）4:6.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3.2W *4最大阻抗值（Zzt）4:67 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 35.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3.2W *4最大阻抗值（Zzt）4:9 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3.2W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 5.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 6.24V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 6.61V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 6.92V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 7.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50nA @ 9.12V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：POWERMITE®
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：12V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：200 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216
料号：E6-8355
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT4106E3/TR7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4106E3/TR7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4106E3/TR7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4106E3/TR7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1PMT4107E3/TR7
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 13V 1W DO216
参数： *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.65 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:4µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.6 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3.2W *4最大阻抗值（Zzt）4:6.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3.2W *4最大阻抗值（Zzt）4:67 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 35.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3.2W *4最大阻抗值（Zzt）4:9 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3.2W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 5.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 6.24V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 6.61V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 6.92V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 7.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50nA @ 9.12V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50nA @ 9.87V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：POWERMITE®
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：13V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：200 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216
料号：E6-8356
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT4107E3/TR7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4107E3/TR7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4107E3/TR7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4107E3/TR7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 1PMT4108E3/TR7
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 14V 1W DO216
参数： *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.65 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:4µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.6 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3.2W *4最大阻抗值（Zzt）4:6.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3.2W *4最大阻抗值（Zzt）4:67 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 35.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3.2W *4最大阻抗值（Zzt）4:9 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3.2W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 5.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 6.24V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 6.61V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 6.92V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 7.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50nA @ 9.12V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50nA @ 9.87V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50nA @ 10.65V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：POWERMITE®
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：14V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：200 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216
料号：E6-8357
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT4108E3/TR7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1PMT4110E3/TR7
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 16V 1W DO216
参数： *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.65 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:4µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.6 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3.2W *4最大阻抗值（Zzt）4:6.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3.2W *4最大阻抗值（Zzt）4:67 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 35.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3.2W *4最大阻抗值（Zzt）4:9 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:3.2W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.25V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 5.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 6.24V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 6.61V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 6.92V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 7.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50nA @ 9.12V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50nA @ 9.87V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50nA @ 10.65V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:100 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50nA @ 12.15V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：POWERMITE®
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：16V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：100 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216
料号：E6-8358
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： 1PMT4111E3/TR7
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 17V 1W DO216
参数： *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.65 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:4µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.6 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.4 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.2 kOhms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 5V Voltage - 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替代：
6系列：POWERMITE®
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：17V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：100 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216
料号：E6-8359
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT4111E3/TR7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4111E3/TR7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4111E3/TR7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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