首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 桥式整流器(肖特基)
元器件型号：47879 件
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状态： 在售
型号： 3EZ140D10E3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 140V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:475 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：140V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：475 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1061
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ140D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ140D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ140D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ140D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 3EZ140DE3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 140V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:475 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:475 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：140V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：475 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1062
包装：
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描述： DIODE ZENER 14V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:475 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:475 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 10.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
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2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：5 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1063
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参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:475 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:475 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 10.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 10.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：14V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：5 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1064
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描述： DIODE ZENER 150V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:475 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:475 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 10.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 10.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:550 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
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2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：550 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
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封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1065
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：150V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：550 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1066
包装：
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 15V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:475 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:475 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 10.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 10.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:550 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:550 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：15V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：5.5 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1067
包装：
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型号： 3EZ15DE3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 15V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:475 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:475 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 10.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 10.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:550 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:550 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：15V
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外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1068
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ15DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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描述： DIODE ZENER 160V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:475 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:475 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 10.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 10.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:550 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:550 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:625 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：160V
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3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：625 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1069
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ160D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ160D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： 3EZ160DE3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 160V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:475 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:475 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 10.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 10.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:550 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:550 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:625 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:625 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：160V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：625 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1070
包装：
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型号： 3EZ16D10E3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 16V 3W DO204AL
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外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1071
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型号： 3EZ16DE3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 16V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:475 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:475 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 10.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 10.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:550 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:550 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:625 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:625 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：16V
2精度（%）2：±20%
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4最大阻抗值（Zzt）4：5.5 Ohms
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料号：E6-1072
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 170V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:475 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:475 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 10.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 10.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:550 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:550 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:625 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:625 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:170V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:650 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 130.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：170V
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3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：650 Ohms
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外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1073
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合作现货:0
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型号： 3EZ170DE3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 170V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:475 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:475 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 10.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 10.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:550 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:550 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:625 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:625 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:170V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:650 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 130.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:170V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:650 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 130.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
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5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1074
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ170DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ170DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ170DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： 3EZ17D10E3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 17V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:475 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:475 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 10.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 10.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:550 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:550 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:625 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:625 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:170V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:650 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 130.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:170V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:650 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 130.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:17V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
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6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：17V
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外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
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料号：E6-1075
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型号： 3EZ17DE3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 17V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:475 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:475 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 10.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 10.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:550 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:550 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:625 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:625 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:170V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:650 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 130.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:170V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:650 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 130.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:17V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:17V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：17V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：6 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1076
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ17DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ17DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ17DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ17DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 3EZ180D10E3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 180V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:475 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:475 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 10.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 10.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:550 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:550 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:625 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:625 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:170V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:650 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 130.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:170V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:650 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 130.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:17V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:17V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：180V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：700 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1077
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ180D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ180D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ180D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ180D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 3EZ180DE3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 180V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:475 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:475 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 10.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 10.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:550 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:550 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:625 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:625 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:170V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:650 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 130.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:170V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:650 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 130.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:17V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:17V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：180V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：700 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1078
包装：
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合作现货:0
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型号： 3EZ18D10E3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 18V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:475 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:475 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 10.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 10.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:550 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:550 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:625 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:625 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:170V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:650 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 130.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:170V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:650 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 130.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:17V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:17V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：18V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：6 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1079
包装：
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海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： 3EZ18DE3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 18V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:475 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:475 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 10.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 10.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:550 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:550 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 11.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:625 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:160V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:625 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 121.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:170V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:650 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 130.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:170V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:650 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 130.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:17V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:17V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:180V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:700 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 136.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：18V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：6 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1080
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ18DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ18DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ18DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ18DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
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