首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 桥式整流器(肖特基)
元器件型号：47879 件
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状态： 在售
型号： 3EZ190D10E3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 190V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:800 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 144.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：190V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：800 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1081
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ190D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ190D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ190D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ190D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 3EZ190DE3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 190V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:800 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 144.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:800 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 144.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：190V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：800 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1082
包装：
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型号： 3EZ19D10E3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 19V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:800 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 144.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:800 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 144.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：19V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：7 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1083
包装：
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 19V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:800 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 144.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:800 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 144.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：19V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：7 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1084
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ19DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ19DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： 3EZ200D10E3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 200V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:800 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 144.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:800 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 144.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:875 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：200V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：875 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1085
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参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:800 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 144.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:800 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 144.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:875 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:875 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：200V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：875 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1086
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ200DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ200DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ200DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 20V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:800 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 144.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:800 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 144.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:875 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:875 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：20V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：7 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1087
包装：
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 20V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:800 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 144.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:800 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 144.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:875 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:875 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：20V
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4最大阻抗值（Zzt）4：7 Ohms
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料号：E6-1088
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描述： DIODE ZENER 22V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:800 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 144.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:800 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 144.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:875 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:875 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 16.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：22V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：8 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1089
包装：
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参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:800 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 144.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:800 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 144.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:875 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:875 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 16.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 16.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：22V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：8 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1090
包装：
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 24V 3W DO204AL
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料号：E6-1091
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 24V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:800 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 144.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:800 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 144.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:875 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:875 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 16.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 16.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:9 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 18.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:9 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 18.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
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6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：24V
2精度（%）2：±20%
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外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
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料号：E6-1092
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 27V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:800 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 144.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:800 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 144.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:875 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:875 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 16.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 16.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:9 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 18.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:9 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 18.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 20.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：27V
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封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1093
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ27D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 3EZ27DE3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 27V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:800 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 144.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:800 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 144.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:875 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:875 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 16.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 16.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:9 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 18.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:9 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 18.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 20.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 20.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
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5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1094
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ27DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ27DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ27DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 3EZ3.6D10E3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 3.6V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:800 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 144.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:800 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 144.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:875 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:875 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 16.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 16.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:9 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 18.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:9 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 18.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 20.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 20.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3W 不同vr时电流-反向漏电流:3W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：3.6V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：3W
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1095
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ3.6D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ3.6D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ3.6D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ3.6D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： 3EZ3.6DE3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 3.6V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:800 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 144.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:800 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 144.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:875 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:875 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 16.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 16.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:9 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 18.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:9 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 18.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 20.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 20.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3W 不同vr时电流-反向漏电流:3W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5 Ohms Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：3.6V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：5 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1096
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ3.6DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ3.6DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ3.6DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ3.6DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 3EZ3.9D10E3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 3.9V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:800 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 144.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:800 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 144.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:875 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:875 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 16.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 16.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:9 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 18.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:9 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 18.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 20.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 20.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3W 不同vr时电流-反向漏电流:3W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5 Ohms Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.9V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:80µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：3.9V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：4.5 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1097
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ3.9D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ3.9D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ3.9D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ3.9D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 3EZ3.9DE3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 3.9V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:800 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 144.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:800 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 144.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:875 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:875 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 16.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 16.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:9 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 18.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:9 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 18.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 20.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 20.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3W 不同vr时电流-反向漏电流:3W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5 Ohms Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.9V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:80µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.9V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:80µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：3.9V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：4.5 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1098
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ3.9DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： 3EZ30D10E3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 30V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:800 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 144.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:800 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 144.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:875 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:875 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 16.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 16.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:9 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 18.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:9 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 18.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 20.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 20.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3W 不同vr时电流-反向漏电流:3W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5 Ohms Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.9V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:80µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.9V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:80µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 22.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：30V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：16 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1099
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ30D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： 3EZ30DE3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 30V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:800 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 144.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:190V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:800 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 144.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:875 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:200V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:875 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 152V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 16.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 16.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:9 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 18.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:9 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 18.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 20.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 20.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3W 不同vr时电流-反向漏电流:3W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5 Ohms Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.9V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:80µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.9V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:80µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 22.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 22.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：30V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：16 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1100
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ30DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ30DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ30DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ30DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
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