首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 桥式整流器(肖特基)
元器件型号：47879 件
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状态： 在售
型号： 3EZ33D10E3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 33V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：33V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：20 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1101
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ33D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ33D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ33D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ33D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 3EZ33DE3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 33V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：33V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：20 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1102
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ33DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： 3EZ36D10E3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 36V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:22 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：36V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：22 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1103
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ36D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ36D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ36D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： 3EZ36DE3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 36V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:22 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:22 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：36V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：22 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1104
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ36DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ36DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ36DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ36DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 3EZ39D10E3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 39V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:22 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:22 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：39V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：28 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1105
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ39D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ39D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 3EZ39DE3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 39V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:22 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:22 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：39V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：28 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1106
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ39DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ39DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ39DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ39DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： 3EZ4.3D10E3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 4.3V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:22 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:22 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:30µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：4.3V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：4.5 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1107
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ4.3D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 3EZ4.3DE3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 4.3V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:22 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:22 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:30µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:30µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：4.3V
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封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1108
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ4.3DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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描述： DIODE ZENER 4.7V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:22 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:22 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:30µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:30µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:20µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：4.7V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：4 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1109
包装：
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描述： DIODE ZENER 4.7V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:22 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:22 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:30µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:30µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:20µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:20µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：4.7V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：4 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1110
包装：
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 43V 3W DO204AL
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外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1111
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 43V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:22 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:22 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:30µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:30µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:20µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:20µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：43V
2精度（%）2：±20%
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外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ43DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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描述： DIODE ZENER 47V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:22 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:22 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:30µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:30µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:20µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:20µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 35.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：47V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：38 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1113
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ47D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ47D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： 3EZ47DE3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 47V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:22 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:22 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:30µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:30µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:20µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:20µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 35.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 35.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：47V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：38 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1114
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ47DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ47DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ47DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： 3EZ5.1D10E3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 5.1V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:22 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:22 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:30µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:30µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:20µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:20µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 35.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 35.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：5.1V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：3.5 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1115
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ5.1D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ5.1D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ5.1D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ5.1D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 5.1V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:22 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:22 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:30µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:30µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:20µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:20µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 35.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 35.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：5.1V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：3.5 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1116
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ5.1DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ5.1DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ5.1DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ5.1DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 3EZ5.6D10E3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 5.6V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:22 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:22 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:30µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:30µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:20µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:20µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 35.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 35.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：5.6V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：2.5 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1117
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ5.6D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ5.6D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ5.6D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ5.6D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： 3EZ5.6DE3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 5.6V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:22 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:22 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:30µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:30µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:20µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:20µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 35.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 35.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：5.6V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：2.5 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1118
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ5.6DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： 3EZ51D10E3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 51V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:22 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:22 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:30µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:30µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:20µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:20µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 35.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 35.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:48 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 38.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：51V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：48 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1119
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ51D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ51D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 3EZ51DE3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 51V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:20 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 25.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:22 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:22 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 27.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:39V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:28 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 29.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:30µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:30µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:20µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:20µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:43V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:33 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 32.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 35.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:47V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:38 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 35.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:48 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 38.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:51V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:48 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 38.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：51V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：48 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1120
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ51DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ51DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ51DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ51DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
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