首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 桥式整流器(肖特基)
元器件型号：47879 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： 3EZ91D10E3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 91V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：91V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：115 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1141
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ91D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ91D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ91D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ91D10E3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 3EZ91DE3/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 91V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：91V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：115 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1142
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ91DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ91DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ91DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ91DE3/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 1N5230BDO35
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：4.7V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：19 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 175°C
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-1143
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5230BDO35' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5230BDO35' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5230BDO35' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5230BDO35' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 1N5233BDO35
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 6V 500MW DO35
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 3.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：6V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：7 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 175°C
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-1144
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5233BDO35' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5233BDO35' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5233BDO35' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5233BDO35' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： 1N5235BDO35
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 3.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：6.8V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：5 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 175°C
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-1145
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5235BDO35' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5235BDO35' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5235BDO35' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5235BDO35' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1N5236BDO35
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 3.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：7.5V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：6 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 175°C
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-1146
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5236BDO35' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5236BDO35' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5236BDO35' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5236BDO35' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1N5237A (DO-35)
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 3.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：8.2V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：8 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 175°C
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-1147
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5237A (DO-35)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5237A (DO-35)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 1N5238A (DO-35)
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 8.7V 500MW DO35
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 3.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.7V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：8.7V
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3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：8 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 175°C
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-1148
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5238A (DO-35)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 3.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.7V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：9.1V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：10 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 175°C
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-1149
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5239BDO35' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5239BDO35' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5239BDO35' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5239BDO35' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 1N5240BDO35
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 10V 500MW DO35
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 3.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.7V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：10V
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3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：17 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 175°C
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-1150
包装：
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型号： 1N5241A (DO-35)
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 11V 500MW DO35
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2精度（%）2：±10%
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4最大阻抗值（Zzt）4：22 Ohms
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外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-1151
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 13V 500MW DO35
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 3.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.7V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:22 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:13 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔
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6系列：-
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料号：E6-1152
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 14V 500MW DO35
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 3.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.7V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:22 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:13 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：14V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：15 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 175°C
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-1153
包装：
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型号： 1N5245BDO35
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 15V 500MW DO35
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 3.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.7V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:22 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:13 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 11V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔
替代：
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外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-1154
包装：
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海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1N5248BDO35
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 18V 500MW DO35
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 3.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.7V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:22 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:13 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 11V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:21 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 14V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：18V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：21 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 175°C
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-1155
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5248BDO35' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： 1N5251BDO35
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 22V 500MW DO35
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 3.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.7V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:22 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:13 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 11V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:21 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 14V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:29 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 17V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：22V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：29 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 175°C
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-1156
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5251BDO35' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5251BDO35' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5251BDO35' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： 1N5255A (DO-35)
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 28V 500MW DO35
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 3.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.7V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:22 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:13 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 11V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:21 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 14V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:29 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 17V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:28V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:44 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 21V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：28V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：44 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 175°C
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-1157
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5255A (DO-35)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5255A (DO-35)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5255A (DO-35)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5255A (DO-35)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1N5256A (DO-35)
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 30V 500MW DO35
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 3.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.7V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:22 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:13 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 11V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:21 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 14V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:29 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 17V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:28V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:44 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 21V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:49 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 23V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：30V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：49 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 175°C
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-1158
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： 1N5257A (DO-35)
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 33V 500MW DO35
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 3.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.7V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:22 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:13 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 11V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:21 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 14V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:29 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 17V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:28V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:44 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 21V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:49 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 23V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:58 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 25V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：33V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：58 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 175°C
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-1159
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5257A (DO-35)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5257A (DO-35)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1N5258A (DO-35)
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 36V 500MW DO35
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 3.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.7V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:10 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:22 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:13 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 10V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 11V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:21 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 14V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:29 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 17V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:28V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:44 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 21V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:30V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:49 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 23V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:33V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:58 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 25V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:36V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:70 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 27V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：36V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：70 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 175°C
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E6-1160
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5258A (DO-35)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5258A (DO-35)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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