首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 桥式整流器(肖特基)
元器件型号：47879 件
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状态： 在售
型号： 3EZ7.5D10E3/TR8
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 7.5V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：7.5V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：2 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1721
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ7.5D10E3/TR8' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ7.5D10E3/TR8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ7.5D10E3/TR8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ7.5D10E3/TR8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 3EZ7.5DE3/TR8
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 7.5V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：7.5V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：2 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1722
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ7.5DE3/TR8' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： 3EZ75D10E3/TR8
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 75V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：75V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：85 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1723
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ75D10E3/TR8' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ75D10E3/TR8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ75D10E3/TR8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： 3EZ75DE3/TR8
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 75V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：75V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：85 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1724
包装：
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型号： 3EZ8.2D10E3/TR8
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 8.2V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：8.2V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：2.3 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 8.2V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：8.2V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：2.3 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1726
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ8.2DE3/TR8' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： 3EZ82D10E3/TR8
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 82V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 62.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：82V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：95 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1727
包装：
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型号： 3EZ82DE3/TR8
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 82V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 62.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 62.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：82V
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描述： DIODE ZENER 9.1V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 62.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 62.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
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外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1729
包装：
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描述： DIODE ZENER 9.1V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 62.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 62.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：9.1V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：2.5 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1730
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ9.1DE3/TR8' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ9.1DE3/TR8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ9.1DE3/TR8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： 3EZ91D10E3/TR8
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 91V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 62.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 62.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：91V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：115 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1731
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ91D10E3/TR8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ91D10E3/TR8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ91D10E3/TR8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 3EZ91DE3/TR8
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 91V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 62.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 62.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：91V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：115 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1732
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ91DE3/TR8' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ91DE3/TR8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ91DE3/TR8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ91DE3/TR8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 1PMT4099/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 6.8V 1W DO216
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 62.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 62.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 5.17V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：POWERMITE®
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：6.8V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：200 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216
料号：E6-1733
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT4099/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4099/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4099/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4099/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 1PMT4100/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 7.5V 1W DO216
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 62.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 62.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 5.17V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 5.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：POWERMITE®
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：7.5V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：200 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216
料号：E6-1734
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT4100/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4100/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4100/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4100/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1N5334AE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 3.6V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 62.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 62.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 5.17V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 5.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:150µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：3.6V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：2.5 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：T-18，轴向
封装：T-18
料号：E6-1735
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5334AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5334AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5334AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5334AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1N5334BE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 3.6V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 62.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 62.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 5.17V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 5.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:150µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:150µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：3.6V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：2.5 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：T-18，轴向
封装：T-18
料号：E6-1736
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5334BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5334BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5334BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5334BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 1N5334E3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 3.6V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 62.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 62.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 5.17V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 5.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:150µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:150µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:150µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：3.6V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：2.5 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：T-18，轴向
封装：T-18
料号：E6-1737
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5334E3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5334E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5334E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5334E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1N5335AE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 3.9V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 62.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 62.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 5.17V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 5.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:150µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:150µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:150µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.9V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：3.9V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：2 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：T-18，轴向
封装：T-18
料号：E6-1738
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： 1N5335BE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 3.9V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 62.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 62.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 5.17V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 5.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:150µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:150µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:150µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.9V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.9V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：3.9V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：2 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：T-18，轴向
封装：T-18
料号：E6-1739
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5335BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5335BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5335BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5335BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： 1N5335E3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 3.9V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:85 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 56V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 62.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:82V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:95 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 62.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:9.1V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:91V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:115 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 69.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 5.17V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:POWERMITE® 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 5.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:150µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:150µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.6V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:150µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.9V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.9V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:3.9V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：3.9V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：2 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：T-18，轴向
封装：T-18
料号：E6-1740
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5335E3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5335E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5335E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5335E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
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