首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 桥式整流器(肖特基)
元器件型号：47879 件
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状态： 在售
型号： 1N5336AE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 4.3V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：4.3V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：2 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：T-18，轴向
封装：T-18
料号：E6-1741
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5336AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5336AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5336AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5336AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 1N5336BE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 4.3V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：4.3V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：2 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：T-18，轴向
封装：T-18
料号：E6-1742
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5336BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5336BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5336BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： 1N5336E3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 4.3V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：4.3V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：5W
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5工作温度：-65°C ~ 150°C
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封装：T-18
料号：E6-1743
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 4.7V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：4.7V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：2 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：T-18，轴向
封装：T-18
料号：E6-1744
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5337AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： 1N5337BE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 4.7V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：4.7V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：2 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：T-18，轴向
封装：T-18
料号：E6-1745
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5337BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： 1N5337E3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 4.7V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：4.7V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：2 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：T-18，轴向
封装：T-18
料号：E6-1746
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5337E3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： 1N5338AE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 5.1V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：5.1V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：1.5 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：T-18，轴向
封装：T-18
料号：E6-1747
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5338AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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描述： DIODE ZENER 5.1V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
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参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：5.1V
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4最大阻抗值（Zzt）4：1.5 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 5.6V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：5.6V
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3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：1 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：T-18，轴向
封装：T-18
料号：E6-1750
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型号： 1N5339BE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 5.6V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
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6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：5.6V
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4最大阻抗值（Zzt）4：1 Ohms
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外壳：T-18，轴向
封装：T-18
料号：E6-1751
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5339BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 1N5339E3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 5.6V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：5.6V
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4最大阻抗值（Zzt）4：1 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：T-18，轴向
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料号：E6-1752
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5339E3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5339E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5339E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： 1N5340AE3/TR13
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描述： DIODE ZENER 6V 5W T18
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替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：6V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：1 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：T-18，轴向
封装：T-18
料号：E6-1753
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5340AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： 1N5340BE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 6V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：6V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：1 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：T-18，轴向
封装：T-18
料号：E6-1754
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5340BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5340BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5340BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： 1N5340E3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 6V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：6V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：1 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：T-18，轴向
封装：T-18
料号：E6-1755
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5340E3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 6.2V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：6.2V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：1 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：T-18，轴向
封装：T-18
料号：E6-1756
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5341AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5341AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5341AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： 1N5341BE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 6.2V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：6.2V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：1 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：T-18，轴向
封装：T-18
料号：E6-1757
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5341BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5341BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5341BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： 1N5341E3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 6.2V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：6.2V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：1 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：T-18，轴向
封装：T-18
料号：E6-1758
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5341E3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5341E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5341E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： 1N5342AE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 6.8V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 4.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：6.8V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：1 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：T-18，轴向
封装：T-18
料号：E6-1759
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5342AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5342AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1N5342BE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 6.8V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 4.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:1 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:10µA @ 4.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：6.8V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：1 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：T-18，轴向
封装：T-18
料号：E6-1760
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5342BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5342BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
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