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元器件型号：47879 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： BZX84C75LT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE ZENER 75V 225W SOT23-3
参数： 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:255 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50nA @ 52.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：75V
2精度（%）2：±6%
3最大功率(W)3：225mW
4最大阻抗值（Zzt）4：255 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E6-161
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX84C75LT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C75LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C75LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C75LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MMSZ5231B-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123
参数： 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:255 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50nA @ 52.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：5.1V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：17 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：SOD-123
封装：SOD-123
料号：E6-162
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMSZ5231B-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMSZ5231B-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMSZ5231B-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMSZ5231B-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MMSZ5236B-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER 7.5V 500MW SOD123
参数： 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:255 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50nA @ 52.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：7.5V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：6 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：SOD-123
封装：SOD-123
料号：E6-163
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMSZ5236B-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMSZ5236B-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMSZ5236B-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMSZ5236B-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BZT52C4V7-13-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER 4.7V 500MW SOD123
参数： 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:255 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50nA @ 52.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：4.7V
2精度（%）2：±6%
3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：80 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：SOD-123
封装：SOD-123
料号：E6-164
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZT52C4V7-13-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZT52C4V7-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZT52C4V7-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZT52C4V7-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态：
型号： BZT52C12-13-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER 12V 500MW SOD123
参数： 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:255 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50nA @ 52.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:25 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：12V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：25 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：SOD-123
封装：SOD-123
料号：E6-165
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZT52C12-13-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZT52C12-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZT52C12-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZT52C12-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态：
型号： BZX84C8V2-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER 8.2V 300MW SOT23-3
参数： 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:255 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50nA @ 52.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:25 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:300mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:700nA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：8.2V
2精度（%）2：±6%
3最大功率(W)3：300mW
4最大阻抗值（Zzt）4：15 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E6-166
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX84C8V2-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C8V2-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C8V2-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C8V2-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MMSZ4678-TP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： DIODE ZENER 1.8V 500MW SOD123
参数： 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:255 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50nA @ 52.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:25 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:300mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:700nA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:1.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:500mW 不同vr时电流-反向漏电流:7.5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:950mV @ 10mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：1.8V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：500mW
4最大阻抗值（Zzt）4：500mW
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：SOD-123
封装：SOD-123
料号：E6-167
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMSZ4678-TP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MCC/美微科' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMSZ4678-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMSZ4678-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMSZ4678-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MMBZ5245BLT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE ZENER 15V 225MW SOT23-3
参数： 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:255 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50nA @ 52.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:25 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:300mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:700nA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:1.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:500mW 不同vr时电流-反向漏电流:7.5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:950mV @ 10mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 11V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：15V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：225mW
4最大阻抗值（Zzt）4：16 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E6-168
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBZ5245BLT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5245BLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5245BLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5245BLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MMBZ5237BLT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE ZENER 8.2V 225MW SOT23-3
参数： 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:255 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50nA @ 52.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:25 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:300mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:700nA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:1.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:500mW 不同vr时电流-反向漏电流:7.5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:950mV @ 10mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 11V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：8.2V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：225mW
4最大阻抗值（Zzt）4：8 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E6-169
包装： 3000个/
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBZ5237BLT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5237BLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5237BLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5237BLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMBZ5246BLT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE ZENER 16V 225MW SOT23-3
参数： 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:255 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50nA @ 52.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:25 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:300mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:700nA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:1.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:500mW 不同vr时电流-反向漏电流:7.5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:950mV @ 10mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 11V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 12V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：16V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：225mW
4最大阻抗值（Zzt）4：17 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E6-170
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBZ5246BLT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5246BLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5246BLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5246BLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMBZ5230BLT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE ZENER 4.7V 225MW SOT23-3
参数： 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:255 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50nA @ 52.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:25 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:300mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:700nA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:1.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:500mW 不同vr时电流-反向漏电流:7.5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:950mV @ 10mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 11V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 12V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：4.7V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：225mW
4最大阻抗值（Zzt）4：19 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E6-171
包装： 3000个/
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBZ5230BLT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： MMBZ5243BLT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE ZENER 13V 225MW SOT23-3
参数： 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:255 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50nA @ 52.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:25 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:300mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:700nA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:1.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:500mW 不同vr时电流-反向漏电流:7.5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:950mV @ 10mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 11V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 12V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:13 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：13V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：225mW
4最大阻抗值（Zzt）4：13 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E6-172
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5243BLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5243BLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5243BLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MMBZ5234BLT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE ZENER 6.2V 225MW SOT23-3
参数： 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:255 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50nA @ 52.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:25 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:300mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:700nA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:1.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:500mW 不同vr时电流-反向漏电流:7.5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:950mV @ 10mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 11V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 12V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:13 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：6.2V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：225mW
4最大阻抗值（Zzt）4：7 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E6-173
包装： 3000个/
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBZ5234BLT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5234BLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5234BLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5234BLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMBZ5229BLT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE ZENER 4.3V 225MW SOT23-3
参数： 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:255 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50nA @ 52.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:25 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:300mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:700nA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:1.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:500mW 不同vr时电流-反向漏电流:7.5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:950mV @ 10mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 11V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 12V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:13 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:22 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：4.3V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：225mW
4最大阻抗值（Zzt）4：22 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E6-174
包装： 3000个/
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBZ5229BLT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5229BLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5229BLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： MMBZ5232BLT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE ZENER 5.6V 225MW SOT23-3
参数： 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:255 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50nA @ 52.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:25 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:300mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:700nA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:1.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:500mW 不同vr时电流-反向漏电流:7.5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:950mV @ 10mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 11V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 12V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:13 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:22 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:11 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：5.6V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：225mW
4最大阻抗值（Zzt）4：11 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E6-175
包装： 3000个/
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBZ5232BLT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5232BLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5232BLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5232BLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMBZ5235BLT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE ZENER 6.8V 225MW SOT23-3
参数： 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:255 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50nA @ 52.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:25 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:300mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:700nA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:1.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:500mW 不同vr时电流-反向漏电流:7.5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:950mV @ 10mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 11V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 12V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:13 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:22 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:11 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：6.8V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：225mW
4最大阻抗值（Zzt）4：5 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E6-176
包装： 3000个/
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBZ5235BLT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5235BLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5235BLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： MMBZ5242BLT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE ZENER 12V 225MW SOT23-3
参数： 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:255 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50nA @ 52.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:25 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:300mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:700nA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:1.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:500mW 不同vr时电流-反向漏电流:7.5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:950mV @ 10mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 11V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 12V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:13 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:22 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:11 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:30 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：12V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：225mW
4最大阻抗值（Zzt）4：30 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E6-177
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBZ5242BLT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5242BLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5242BLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5242BLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMBZ5247BLT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE ZENER 17V 225MW SOT23-3
参数： 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:255 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50nA @ 52.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:25 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:300mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:700nA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:1.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:500mW 不同vr时电流-反向漏电流:7.5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:950mV @ 10mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 11V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 12V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:13 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:22 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:11 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:30 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:17V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 13V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：17V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：225mW
4最大阻抗值（Zzt）4：19 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E6-178
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBZ5247BLT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5247BLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5247BLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5247BLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 1PMT4105/TR7
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 11V 1W DO216
参数： 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:255 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50nA @ 52.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:25 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:300mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:700nA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:1.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:500mW 不同vr时电流-反向漏电流:7.5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:950mV @ 10mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 11V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 12V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:13 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:22 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:11 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:30 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:17V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 13V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50nA @ 8.44V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：POWERMITE®
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：11V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：200 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216
料号：E6-179
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT4105/TR7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4105/TR7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4105/TR7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4105/TR7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1PMT4106/TR7
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 12V 1W DO216
参数： 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:75V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:255 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50nA @ 52.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.1V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:7.5V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:80 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:25 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±6% *3最大功率(W)3:300mW *4最大阻抗值（Zzt）4:15 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:700nA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:1.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:500mW *4最大阻抗值（Zzt）4:500mW 不同vr时电流-反向漏电流:7.5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:950mV @ 10mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:16 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 11V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:8.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:8 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 6.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:17 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 12V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.7V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:13 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.2V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:7 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:4.3V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:22 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:5.6V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:11 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:5µA @ 3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:6.8V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:30 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:17V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:225mW *4最大阻抗值（Zzt）4:19 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:100nA @ 13V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:900mV @ 10mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50nA @ 8.44V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:1W *4最大阻抗值（Zzt）4:200 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:50nA @ 9.12V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 200mA *5工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
6系列：POWERMITE®
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：12V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：1W
4最大阻抗值（Zzt）4：200 Ohms
5工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：DO-216AA
封装：DO-216
料号：E6-180
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PMT4106/TR7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4106/TR7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4106/TR7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PMT4106/TR7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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