首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 桥式整流器(肖特基)
元器件型号：47879 件
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状态： 在售
型号： 1N5349BE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 12V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 8.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：12V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：2.5 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：T-18，轴向
封装：T-18
料号：E6-1781
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5349BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5349BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5349BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5349BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 1N5349E3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 12V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 8.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 8.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：12V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：2.5 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：T-18，轴向
封装：T-18
料号：E6-1782
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5349E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5349E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： 1N5350AE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 13V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 8.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 8.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
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2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：5W
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5工作温度：-65°C ~ 150°C
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封装：T-18
料号：E6-1783
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
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参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 8.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 8.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
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2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：2.5 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：T-18，轴向
封装：T-18
料号：E6-1784
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型号： 1N5350E3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 13V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 8.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 8.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
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2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：2.5 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
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封装：T-18
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5350E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 1N5351AE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 14V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 8.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 8.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：14V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：2.5 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：T-18，轴向
封装：T-18
料号：E6-1786
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5351AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： 1N5351BE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 14V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 8.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 8.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：14V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：2.5 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：T-18，轴向
封装：T-18
料号：E6-1787
包装：
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：15V
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参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 8.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 8.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：15V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：2.5 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：T-18，轴向
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型号： 1N5353E3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 16V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 8.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 8.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：16V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：2.5 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：T-18，轴向
封装：T-18
料号：E6-1794
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5353E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5353E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5353E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 1N5354AE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 17V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 8.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 8.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:17V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：17V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：2.5 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：T-18，轴向
封装：T-18
料号：E6-1795
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5354AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5354AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5354AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5354AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： 1N5354BE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 17V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 8.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 8.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:17V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:17V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：17V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：2.5 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：T-18，轴向
封装：T-18
料号：E6-1796
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5354BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5354BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5354BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： 1N5354E3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 17V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 8.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 8.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:17V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:17V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:17V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：17V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：2.5 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：T-18，轴向
封装：T-18
料号：E6-1797
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5354E3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5354E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5354E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5354E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1N5355AE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 18V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 8.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 8.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:17V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:17V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:17V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：18V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：2.5 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：T-18，轴向
封装：T-18
料号：E6-1798
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5355AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5355AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5355AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： 1N5355BE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 18V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 8.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 8.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:17V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:17V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:17V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：18V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：2.5 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：T-18，轴向
封装：T-18
料号：E6-1799
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5355BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1N5355E3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 18V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 8.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:2µA @ 8.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:15V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 10.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:16V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 11.5V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:17V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:17V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:17V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 12.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:18V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:2.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：18V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：2.5 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：T-18，轴向
封装：T-18
料号：E6-1800
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5355E3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5355E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5355E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5355E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
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