首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 桥式整流器(肖特基)
元器件型号：47879 件
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状态： 在售
型号： 1N5356AE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 19V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：19V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：3 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：T-18，轴向
封装：T-18
料号：E6-1801
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5356AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5356AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5356AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5356AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 1N5356E3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 19V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：19V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：3 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：T-18，轴向
封装：T-18
料号：E6-1802
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5356E3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5356E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5356E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： 1N5357AE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 20V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：20V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：3 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：T-18，轴向
封装：T-18
料号：E6-1803
包装：
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 20V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：20V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：3 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：T-18，轴向
封装：T-18
料号：E6-1804
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5357BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： 1N5357E3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 20V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
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2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：3 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
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封装：T-18
料号：E6-1805
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5357E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 1N5358AE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 22V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：22V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：3.5 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：T-18，轴向
封装：T-18
料号：E6-1806
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5358AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5358AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5358AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： 1N5358BE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 22V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
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6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：22V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：3.5 Ohms
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外壳：T-18，轴向
封装：T-18
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描述： DIODE ZENER 22V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
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替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：24V
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3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：3.5 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：T-18，轴向
封装：T-18
料号：E6-1809
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5359AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5359AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： 1N5359BE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 24V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 17.3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 17.3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：24V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：3.5 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：T-18，轴向
封装：T-18
料号：E6-1810
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5359BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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描述： DIODE ZENER 24V 5W T18
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型号： 1N5360E3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 25V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 17.3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 17.3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 17.3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:25V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 18V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:25V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 18V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:25V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 18V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：25V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：4 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：T-18，轴向
封装：T-18
料号：E6-1814
包装：
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型号： 1N5361AE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 27V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 17.3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 17.3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 17.3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:25V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 18V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:25V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 18V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:25V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 18V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 19.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：27V
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4最大阻抗值（Zzt）4：5 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：T-18，轴向
封装：T-18
料号：E6-1815
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5361AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5361AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5361AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： 1N5361BE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 27V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 17.3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 17.3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 17.3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:25V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 18V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:25V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 18V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:25V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 18V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 19.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 19.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：27V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：5 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：T-18，轴向
封装：T-18
料号：E6-1816
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5361BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5361BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5361BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： 1N5361E3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 27V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 17.3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 17.3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 17.3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:25V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 18V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:25V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 18V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:25V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 18V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 19.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 19.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 19.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：27V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：5 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：T-18，轴向
封装：T-18
料号：E6-1817
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5361E3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5361E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5361E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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当天可发货
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状态： 在售
型号： 1N5362AE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 28V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 17.3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 17.3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 17.3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:25V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 18V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:25V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 18V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:25V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 18V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 19.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 19.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 19.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:28V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 20.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：28V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：6 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：T-18，轴向
封装：T-18
料号：E6-1818
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5362AE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： 1N5362BE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 28V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 17.3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 17.3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 17.3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:25V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 18V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:25V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 18V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:25V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 18V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 19.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 19.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 19.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:28V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 20.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:28V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 20.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：28V
2精度（%）2：±5%
3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：6 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：T-18，轴向
封装：T-18
料号：E6-1819
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5362BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： 1N5362E3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 28V 5W T18
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:19V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 13.7V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:20V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 14.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:22V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 15.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 17.3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 17.3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:24V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 17.3V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:25V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 18V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:25V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 18V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:25V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 18V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 19.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 19.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:27V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 19.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:28V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 20.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:28V *2精度（%）2:±5% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 20.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:28V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:5W *4最大阻抗值（Zzt）4:6 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 20.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 1A *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：28V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：5W
4最大阻抗值（Zzt）4：6 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：T-18，轴向
封装：T-18
料号：E6-1820
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5362E3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5362E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5362E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5362E3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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