首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 桥式整流器(肖特基)
元器件型号：47879 件
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状态： 在售
型号： 3EZ10D/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 10V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：10V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：3.5 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1901
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ10D/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ10D/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ10D/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ10D/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 3EZ10D10/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 10V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：10V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：3.5 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1902
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ10D10/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ10D10/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ10D10/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： 3EZ110D/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 110V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:225 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：110V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：225 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1903
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ110D/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ110D/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 110V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:225 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:225 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：110V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：225 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1904
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ110D10/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ110D10/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ110D10/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： 3EZ11D/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 11V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:225 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:225 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：11V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：4 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1905
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ11D/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ11D/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ11D/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： 3EZ11D10/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 11V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:225 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:225 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：11V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：4 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1906
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ11D10/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ11D10/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ11D10/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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海外现货:0
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1~2周可到达
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型号： 3EZ120D/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 120V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:225 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:225 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：120V
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3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：300 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1907
包装：
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参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:225 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:225 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
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替代：
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：12V
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外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1909
包装：
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参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:225 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:225 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：12V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：4.5 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1910
包装：
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 130V 3W DO204AL
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1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：13V
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合作现货:0
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型号： 3EZ13D10/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 13V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:225 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:225 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:375 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:375 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：13V
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5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1914
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ13D10/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ13D10/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ13D10/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： 3EZ140D/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 140V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:225 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:225 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:375 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:375 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:475 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：140V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：475 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1915
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ140D/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ140D/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ140D/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ140D/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 3EZ140D10/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 140V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:225 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:225 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:375 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:375 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:475 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:475 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：140V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：475 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1916
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ140D10/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ140D10/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ140D10/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： 3EZ14D/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 14V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:225 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:225 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:375 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:375 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:475 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:475 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 10.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：14V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：5 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1917
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ14D/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： 3EZ14D10/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 14V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:225 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:225 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:375 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:375 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:475 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:475 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 10.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 10.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：14V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：5 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1918
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ14D10/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ14D10/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ14D10/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ14D10/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 3EZ150D/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 150V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:225 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:225 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:375 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:375 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:475 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:475 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 10.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 10.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:550 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：150V
2精度（%）2：±20%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：550 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1919
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ150D/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ150D/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ150D/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ150D/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 3EZ150D10/TR12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ZENER 150V 3W DO204AL
参数： *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:10V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:3.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:3µA @ 7.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:225 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:110V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:225 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 83.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:11V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 8.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:120V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:300 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 91.2V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:12V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:1µA @ 9.1V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:375 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:130V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:375 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 98.8V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:13V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:4.5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 9.9V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:475 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:140V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:475 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 106.4V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 10.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:14V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:5 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 10.6V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±20% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:550 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 *6系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1稳压电压/齐纳标称(Vz)1:150V *2精度（%）2:±10% *3最大功率(W)3:3W *4最大阻抗值（Zzt）4:550 Ohms 不同vr时电流-反向漏电流:500nA @ 114V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:1.2V @ 200mA *5工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔
替代：
6系列：-
1稳压电压/齐纳标称(Vz)1：150V
2精度（%）2：±10%
3最大功率(W)3：3W
4最大阻抗值（Zzt）4：550 Ohms
5工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E6-1920
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3EZ150D10/TR12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ150D10/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ150D10/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3EZ150D10/TR12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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