首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 单路稳压二极管（齐纳/TVS/ESD)
元器件型号：1397 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： DZ23C12-TP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： DIODE ZENER ARRAY 12V SOT23
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:
替代：
1阵列配置1：1 对共阴极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：12V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：20 Ohms
6工作温度：-
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：E7-697
包装： 卷盘
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态： 在售
型号： AZ23C12-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 12V SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:20 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：12V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：20 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E7-698
包装： 3000个/ 卷盘
￥0.83 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态： 在售
型号： AZ23C33-TP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： DIODE ZENER ARRAY 33V SOT23
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:20 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：33V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：80 Ohms
6工作温度：175°C
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：E7-699
包装： 卷盘
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C33-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C33-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C33-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MMBZ5254BS-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 27V SOT363
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:20 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:41 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 21V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA
替代：
1阵列配置1：2 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：27V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：41 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-700
包装： 卷盘
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5254BS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5254BS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5254BS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： AZ23C5V1-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 5.1V SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:20 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:41 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 21V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:60 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：5.1V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：60 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E7-701
包装： 3000个/ 卷盘
￥0.49 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C5V1-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C5V1-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C5V1-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C5V1-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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总额：
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： EMZT6.8ET2R
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 6.8V EMD5
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:20 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:41 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 21V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:60 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值（Zzt）5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:150mW 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:150mW
替代：
1阵列配置1：2 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：6.8V
3精度（%）3：-
4最大功率(W)4 ：150mW
5最大阻抗值（Zzt）5：150mW
6工作温度：-
外壳：SOT-553
封装：EMD5
料号：E7-702
包装： 卷盘
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EMZT6.8ET2R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMZT6.8ET2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMZT6.8ET2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMZT6.8ET2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BZX84C6V2S-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 6.2V SOT363
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6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-703
包装： 卷盘
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： MMBZ5251BS-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 22V SOT363
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:20 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:41 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 21V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:60 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值（Zzt）5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:150mW 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:150mW 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:29 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 17V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA
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1阵列配置1：2 个独立式
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6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-704
包装： 卷盘
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型号： AZ23C36-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 36V SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:20 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:41 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 21V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:60 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值（Zzt）5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:150mW 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:150mW 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:29 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 17V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:90 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:90 Ohms
替代：
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6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E7-705
包装： 3000个/ 卷盘
￥0.59 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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海外现货:0
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总额：
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DZ23C27-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 27V SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:20 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:41 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 21V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:60 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值（Zzt）5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:150mW 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:150mW 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:29 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 17V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:90 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:90 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms
替代：
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6工作温度：-65°C ~ 150°C
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料号：E7-706
包装： 卷盘
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海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMBZ5227BS-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 3.6V SOT363
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:20 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:41 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 21V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:60 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值（Zzt）5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:150mW 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:150mW 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:29 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 17V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:90 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:90 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:24 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:15µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA
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6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-707
包装： 卷盘
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型号： BZX84C3V0S-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 3V SOT363
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:20 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:41 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 21V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:60 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值（Zzt）5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:150mW 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:150mW 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:29 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 17V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:90 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:90 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:24 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:15µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:10µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA
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5最大阻抗值（Zzt）5：95 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-708
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX84C3V0S-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C3V0S-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C3V0S-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： DZ23C22-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 22V SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:20 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:41 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 21V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:60 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值（Zzt）5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:150mW 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:150mW 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:29 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 17V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:90 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:90 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:24 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:15µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:10µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:55 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:55 Ohms
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1阵列配置1：1 对共阴极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：22V
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4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：55 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E7-709
包装： 卷盘
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型号： BZX84C20S-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 20V SOT363
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:20 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:41 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 21V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:60 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值（Zzt）5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:150mW 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:150mW 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:29 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 17V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:90 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:90 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:24 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:15µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:10µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:55 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:55 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA
替代：
1阵列配置1：2 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：20V
3精度（%）3：±6%
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：55 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-710
包装： 卷盘
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合作现货:0
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型号： BZX84C3V6S-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 3.6V SOT363
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:20 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:41 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 21V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:60 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值（Zzt）5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:150mW 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:150mW 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:29 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 17V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:90 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:90 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:24 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:15µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:10µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:55 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:55 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA
替代：
1阵列配置1：2 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：3.6V
3精度（%）3：±6%
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：90 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-711
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX84C3V6S-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C3V6S-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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2~5天可到达
1~2周可到达
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型号： BZX84C13S-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 13V SOT363
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:20 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:41 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 21V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:60 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值（Zzt）5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:150mW 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:150mW 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:29 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 17V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:90 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:90 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:24 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:15µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:10µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:55 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:55 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA
替代：
1阵列配置1：2 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：13V
3精度（%）3：±6%
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：30 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-712
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX84C13S-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： MMBZ5234BS-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 6.2V SOT363
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:20 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:41 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 21V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:60 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值（Zzt）5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:150mW 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:150mW 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:29 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 17V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:90 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:90 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:24 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:15µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:10µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:55 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:55 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA
替代：
1阵列配置1：2 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：6.2V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：7 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-713
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBZ5234BS-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5234BS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5234BS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： UMZ6.8ENTR
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 6.8V UMD5
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:20 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:41 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 21V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:60 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值（Zzt）5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:150mW 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:150mW 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:29 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 17V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:90 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:90 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:24 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:15µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:10µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:55 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:55 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500nA @ 3.5V
替代：
1阵列配置1：2 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：6.8V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：40 Ohms
6工作温度：-
外壳：5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353
封装：UMD5
料号：E7-714
包装： 卷盘
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： BZX84C18S-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 18V SOT363
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:20 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:41 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 21V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:60 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值（Zzt）5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:150mW 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:150mW 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:29 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 17V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:90 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:90 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:24 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:15µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:10µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:55 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:55 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500nA @ 3.5V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:45 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12.6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA
替代：
1阵列配置1：2 个独立式
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3精度（%）3：±6%
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：45 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-715
包装： 卷盘
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型号： BZX84C9V1S-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 9.1V SOT363
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:20 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:41 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 21V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:60 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值（Zzt）5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:150mW 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:150mW 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:29 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 17V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:90 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:90 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:24 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:15µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:10µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:55 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:55 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500nA @ 3.5V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:45 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12.6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA
替代：
1阵列配置1：2 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：9.1V
3精度（%）3：±6%
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：15 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-716
包装： 卷盘
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C9V1S-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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