元器件型号:1397
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
型号: DE5S062D0R
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: DIODE ZENER ARRAY 6.2V SSMINI5
参数: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1µA @ 4V
替代:
1阵列配置1:2 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V
3精度(%)3:-
4最大功率(W)4 :150mW
5最大阻抗值(Zzt)5:150mW
6工作温度:-
外壳:SOT-665
封装:SSMINI5-F4-B
料号:E7-737
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DE5S062D0R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DE5S062D0R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DE5S062D0R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DE5S062D0R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: DZ23C47-7-F
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 47V SOT23-3
参数: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1µA @ 4V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):-
替代:
1阵列配置1:-
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:-
3精度(%)3:-
4最大功率(W)4 :-
5最大阻抗值(Zzt)5:-
6工作温度:-
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23-3
料号:E7-738
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DZ23C47-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C47-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C47-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C47-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: BZX84C27S-7-F
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 27V SOT363
参数: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1µA @ 4V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):-
替代:
1阵列配置1:-
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:-
3精度(%)3:-
4最大功率(W)4 :-
5最大阻抗值(Zzt)5:-
6工作温度:-
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E7-739
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX84C27S-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C27S-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C27S-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C27S-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: BZX84C24S-7-F
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 24V SOT363
参数: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1µA @ 4V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):-
替代:
1阵列配置1:-
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:-
3精度(%)3:-
4最大功率(W)4 :-
5最大阻抗值(Zzt)5:-
6工作温度:-
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E7-740
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX84C24S-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C24S-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C24S-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C24S-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: BZX84C4V7S-7-F
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 4.7V SOT363
参数: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1µA @ 4V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA
替代:
1阵列配置1:2 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V
3精度(%)3:±6%
4最大功率(W)4 :200mW
5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms
6工作温度:-65°C ~ 150°C
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E7-741
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX84C4V7S-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C4V7S-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C4V7S-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C4V7S-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: MMBZ5240BS-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 10V SOT363
参数: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1µA @ 4V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):-
替代:
1阵列配置1:-
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:-
3精度(%)3:-
4最大功率(W)4 :-
5最大阻抗值(Zzt)5:-
6工作温度:-
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E7-742
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBZ5240BS-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5240BS-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5240BS-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5240BS-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: BZX84C27S-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 27V SOT363
参数: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1µA @ 4V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 18.9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA
替代:
1阵列配置1:2 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V
3精度(%)3:±6%
4最大功率(W)4 :200mW
5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms
6工作温度:-65°C ~ 150°C
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E7-743
包装: 3000个/ 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX84C27S-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号: UMZ8.2TT106
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 8.2V UMD3
参数: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1µA @ 4V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 18.9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):-
替代:
1阵列配置1:-
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4最大功率(W)4 :-
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外壳:SC-70,SOT-323
封装:UMD3
料号:E7-744
包装: 卷盘
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型号: MMBZ5259BS-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 39V SOT363
参数: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1µA @ 4V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 18.9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):-
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1阵列配置1:-
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外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E7-745
包装: 卷盘
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5259BS-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5259BS-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号: UMZ5.1NT106
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 5.1V UMD3
参数: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1µA @ 4V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 18.9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:200mW Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 1.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2µA @ 1.5V
替代:
1阵列配置1:1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V
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4最大功率(W)4 :200mW
5最大阻抗值(Zzt)5:200mW
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外壳:SC-70,SOT-323
封装:UMD3
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状态: 在售
型号: BZX84C36S-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 36V SOT363
参数: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1µA @ 4V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 18.9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:200mW Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 1.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2µA @ 1.5V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):-
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1阵列配置1:-
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4最大功率(W)4 :-
5最大阻抗值(Zzt)5:-
6工作温度:-
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E7-747
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX84C36S-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C36S-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: AZ23C51-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 51V SOT23-3
参数: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1µA @ 4V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 18.9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:200mW Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 1.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2µA @ 1.5V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):-
替代:
1阵列配置1:-
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:-
3精度(%)3:-
4最大功率(W)4 :-
5最大阻抗值(Zzt)5:-
6工作温度:-
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23-3
料号:E7-748
包装: 卷盘
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C51-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: BZX84C18S-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 18V SOT363
参数: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1µA @ 4V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 18.9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:200mW Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 1.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2µA @ 1.5V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):-
替代:
1阵列配置1:-
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:-
3精度(%)3:-
4最大功率(W)4 :-
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6工作温度:-
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E7-749
包装: 卷盘
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C18S-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: FTZ5.6ET148
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 5.6V SMD5
参数: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1µA @ 4V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 18.9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:200mW Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 1.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2µA @ 1.5V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1µA @ 2.5V
替代:
1阵列配置1:2 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V
3精度(%)3:±5%
4最大功率(W)4 :200mW
5最大阻抗值(Zzt)5:60 Ohms
6工作温度:-
外壳:SC-74A,SOT-753
封装:SMD5
料号:E7-750
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FTZ5.6ET148' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FTZ5.6ET148' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FTZ5.6ET148' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FTZ5.6ET148' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: MMBZ5237BS-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 8.2V SOT363
参数: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1µA @ 4V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 18.9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:200mW Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 1.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2µA @ 1.5V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1µA @ 2.5V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):-
替代:
1阵列配置1:-
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3精度(%)3:-
4最大功率(W)4 :-
5最大阻抗值(Zzt)5:-
6工作温度:-
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E7-751
包装: 卷盘
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合作现货:0
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型号: UMZ27NT106
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 27V 200MW UMD3
参数: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1µA @ 4V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 18.9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:200mW Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 1.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2µA @ 1.5V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1µA @ 2.5V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:200mW Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 21V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):100nA @ 21V
替代:
1阵列配置1:1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V
3精度(%)3:-
4最大功率(W)4 :200mW
5最大阻抗值(Zzt)5:200mW
6工作温度:-
外壳:SC-70,SOT-323
封装:UMD3
料号:E7-752
包装: 卷盘
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: MMBZ5246BS-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 16V SOT363
参数: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1µA @ 4V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 18.9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:200mW Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 1.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2µA @ 1.5V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1µA @ 2.5V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:200mW Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 21V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):100nA @ 21V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):-
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封装:SOT-363
料号:E7-753
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBZ5246BS-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5246BS-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5246BS-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态: 在售
型号: MMBZ5234BS-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 6.2V SOT363
参数: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1µA @ 4V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 18.9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:200mW Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 1.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2µA @ 1.5V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1µA @ 2.5V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:200mW Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 21V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):100nA @ 21V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):-
替代:
1阵列配置1:-
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:-
3精度(%)3:-
4最大功率(W)4 :-
5最大阻抗值(Zzt)5:-
6工作温度:-
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E7-754
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBZ5234BS-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5234BS-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5234BS-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5234BS-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态: 在售
型号: AZ23C9V1-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 9.1V SOT23-3
参数: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1µA @ 4V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 18.9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:200mW Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 1.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2µA @ 1.5V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1µA @ 2.5V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:200mW Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 21V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):100nA @ 21V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):-
替代:
1阵列配置1:-
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:-
3精度(%)3:-
4最大功率(W)4 :-
5最大阻抗值(Zzt)5:-
6工作温度:-
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23-3
料号:E7-755
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C9V1-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C9V1-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C9V1-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C9V1-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
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品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 14.7V SOT23
参数: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1µA @ 4V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 18.9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:200mW Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 1.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2µA @ 1.5V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1µA @ 2.5V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:200mW Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 21V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):100nA @ 21V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:14.7V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :350mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 10.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA
替代:
1阵列配置1:1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:14.7V
3精度(%)3:-
4最大功率(W)4 :350mW
5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms
6工作温度:-65°C ~ 175°C
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23
料号:E7-1257
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMPZDA15V TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMPZDA15V TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMPZDA15V TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMPZDA15V TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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