元器件型号:1397
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
型号: MMBZ5243BS-7-F
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 13V SOT363
参数: 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:13 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 9.9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代:
1阵列配置1:2 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V
3精度(%)3:±5%
4最大功率(W)4 :200mW
5最大阻抗值(Zzt)5:13 Ohms
6工作温度:-65°C ~ 150°C
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E7-61
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBZ5243BS-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5243BS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5243BS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5243BS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: MMBZ5258BS-7-F
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 36V SOT363
参数: 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:13 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 9.9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:70 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代:
1阵列配置1:2 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V
3精度(%)3:±5%
4最大功率(W)4 :200mW
5最大阻抗值(Zzt)5:70 Ohms
6工作温度:-65°C ~ 150°C
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E7-62
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBZ5258BS-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5258BS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5258BS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5258BS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: MMBZ5242BS-7-F
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 12V SOT363
参数: 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:13 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 9.9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:70 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 9.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代:
1阵列配置1:2 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V
3精度(%)3:±5%
4最大功率(W)4 :200mW
5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms
6工作温度:-65°C ~ 150°C
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E7-63
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBZ5242BS-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5242BS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5242BS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5242BS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: BZX84C10S-7-F
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 10V SOT363
参数: 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:13 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 9.9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:70 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 9.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代:
1阵列配置1:2 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V
3精度(%)3:±6%
4最大功率(W)4 :200mW
5最大阻抗值(Zzt)5:20 Ohms
6工作温度:-65°C ~ 150°C
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E7-64
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX84C10S-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C10S-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C10S-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C10S-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: BZX84C5V6TS-7-F
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 5.6V SOT363
参数: 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:13 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 9.9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:70 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 9.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代:
1阵列配置1:3 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V
3精度(%)3:±6%
4最大功率(W)4 :200mW
5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms
6工作温度:-65°C ~ 150°C
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E7-65
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX84C5V6TS-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C5V6TS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C5V6TS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C5V6TS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: EMZ6.8NTL
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 6.8V EMD3
参数: 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:13 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 9.9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:70 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 9.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):500nA @ 3.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型
替代:
1阵列配置1:1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V
3精度(%)3:-
4最大功率(W)4 :150mW
5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms
6工作温度:-
外壳:SC-75,SOT-416
封装:EMD3
料号:E7-66
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EMZ6.8NTL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMZ6.8NTL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMZ6.8NTL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMZ6.8NTL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态:
型号: FTZ6.8ET148
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 6.8V SMD5
参数: 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:13 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 9.9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:70 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 9.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):500nA @ 3.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型
替代:
1阵列配置1:2 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V
3精度(%)3:-
4最大功率(W)4 :200mW
5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms
6工作温度:-
外壳:SC-74A,SOT-753
封装:SMD5
料号:E7-67
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FTZ6.8ET148' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FTZ6.8ET148' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FTZ6.8ET148' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FTZ6.8ET148' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: FTZ30ET148
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 30V 200MW SMD5
参数: 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:13 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 9.9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:70 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 9.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):500nA @ 3.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:30V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:200 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 23V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):500nA @ 23V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型
替代:
1阵列配置1:2 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:30V
3精度(%)3:-
4最大功率(W)4 :200mW
5最大阻抗值(Zzt)5:200 Ohms
6工作温度:-
外壳:SC-74A,SOT-753
封装:SMD5
料号:E7-68
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FTZ30ET148' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FTZ30ET148' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FTZ30ET148' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FTZ30ET148' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: DZ23C6V8-7-F
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 6.8V SOT23-3
参数: 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:13 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 9.9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:70 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 9.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):500nA @ 3.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:30V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:200 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 23V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):500nA @ 23V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:8 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):8 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代:
1阵列配置1:1 对共阴极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V
3精度(%)3:±5%
4最大功率(W)4 :300mW
5最大阻抗值(Zzt)5:8 Ohms
6工作温度:-65°C ~ 150°C
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23-3
料号:E7-69
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DZ23C6V8-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C6V8-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C6V8-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C6V8-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态: 在售
型号: CMSZDA33V TR
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ZENER 33V 275MW SOT323
参数: 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:13 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 9.9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:70 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 9.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):500nA @ 3.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:30V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:200 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 23V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):500nA @ 23V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:8 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):8 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 23.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装
替代:
1阵列配置1:1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V
3精度(%)3:±5%
4最大功率(W)4 :275mW
5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms
6工作温度:-65°C ~ 175°C
外壳:SC-70,SOT-323
封装:SOT-323
料号:E7-70
包装: 3000个/ 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMSZDA33V TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSZDA33V TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSZDA33V TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSZDA33V TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: STZ5.6NT146
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 5.6V SMD3
参数: 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:13 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 9.9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:70 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 9.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):500nA @ 3.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:30V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:200 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 23V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):500nA @ 23V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:8 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):8 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 23.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1µA @ 2.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型
替代:
1阵列配置1:1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V
3精度(%)3:±5%
4最大功率(W)4 :200mW
5最大阻抗值(Zzt)5:60 Ohms
6工作温度:-
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SMD3
料号:E7-71
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STZ5.6NT146' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STZ5.6NT146' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STZ5.6NT146' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STZ5.6NT146' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: SM16Z4689
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE ZENER ARRAY 5.1V 16SOIC
参数: 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:13 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 9.9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:70 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 9.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):500nA @ 3.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:30V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:200 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 23V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):500nA @ 23V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:8 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):8 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 23.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1µA @ 2.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:8 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :1.5W *5最大阻抗值(Zzt)5:1.5W Current - Reverse Leakage @ Vr:10µA @ 3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):10µA @ 3V *6工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代:
1阵列配置1:8 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V
3精度(%)3:±5%
4最大功率(W)4 :1.5W
5最大阻抗值(Zzt)5:1.5W
6工作温度:-55°C ~ 150°C
外壳:16-SOIC(3.90mm宽)
封装:16-SOIC
料号:E7-72
包装: 500个/ 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SM16Z4689' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SM16Z4689' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SM16Z4689' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SM16Z4689' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: DZ3S062D0L
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: DIODE ZENER ARRAY 6.2V SSMINI3
参数: 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:13 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 9.9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:70 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 9.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):500nA @ 3.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:30V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:200 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 23V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):500nA @ 23V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:8 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):8 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 23.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1µA @ 2.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:8 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :1.5W *5最大阻抗值(Zzt)5:1.5W Current - Reverse Leakage @ Vr:10µA @ 3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):10µA @ 3V *6工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型
替代:
1阵列配置1:1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V
3精度(%)3:-
4最大功率(W)4 :150mW
5最大阻抗值(Zzt)5:50 Ohms
6工作温度:-
外壳:SC-89,SOT-490
封装:SS迷你型3-F3-B
料号:E7-73
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DZ3S062D0L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ3S062D0L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ3S062D0L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态: 在售
型号: DZ3S082D0L
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: DIODE ZENER ARRAY 8.2V SSMINI3
参数: 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:13 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 9.9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:70 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 9.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):500nA @ 3.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:30V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:200 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 23V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):500nA @ 23V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:8 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):8 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 23.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1µA @ 2.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:8 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :1.5W *5最大阻抗值(Zzt)5:1.5W Current - Reverse Leakage @ Vr:10µA @ 3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):10µA @ 3V *6工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型
替代:
1阵列配置1:1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V
3精度(%)3:-
4最大功率(W)4 :150mW
5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms
6工作温度:-
外壳:SC-89,SOT-490
封装:SS迷你型3-F3-B
料号:E7-74
包装: 卷盘
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状态: 在售
型号: DZ3S068D0L
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: DIODE ZENER ARRAY 6.8V SSMINI3
参数: 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:13 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 9.9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:70 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 9.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):500nA @ 3.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:30V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:200 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 23V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):500nA @ 23V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:8 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):8 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 23.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1µA @ 2.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:8 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :1.5W *5最大阻抗值(Zzt)5:1.5W Current - Reverse Leakage @ Vr:10µA @ 3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):10µA @ 3V *6工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型
替代:
1阵列配置1:1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V
3精度(%)3:-
4最大功率(W)4 :150mW
5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms
6工作温度:-
外壳:SC-89,SOT-490
封装:SS迷你型3-F3-B
料号:E7-75
包装: 卷盘
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型号: UMZ12KTL
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 12V 200MW UMD4
参数: 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:13 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 9.9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:70 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 9.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):500nA @ 3.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:30V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:200 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 23V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):500nA @ 23V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:8 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):8 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 23.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1µA @ 2.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:8 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :1.5W *5最大阻抗值(Zzt)5:1.5W Current - Reverse Leakage @ Vr:10µA @ 3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):10µA @ 3V *6工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:200mW Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):100nA @ 9V *6工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代:
1阵列配置1:2 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V
3精度(%)3:-
4最大功率(W)4 :200mW
5最大阻抗值(Zzt)5:200mW
6工作温度:-55°C ~ 150°C
外壳:SC-82A,SOT-343
封装:UMD4
料号:E7-76
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UMZ12KTL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMZ12KTL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMZ12KTL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态: 在售
型号: DZ23C51-7-F
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 51V SOT23-3
参数: 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:13 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 9.9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:70 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 9.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):500nA @ 3.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:30V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:200 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 23V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):500nA @ 23V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:8 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):8 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 23.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1µA @ 2.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:8 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :1.5W *5最大阻抗值(Zzt)5:1.5W Current - Reverse Leakage @ Vr:10µA @ 3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):10µA @ 3V *6工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:200mW Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):100nA @ 9V *6工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:51V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):100 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代:
1阵列配置1:1 对共阴极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:51V
3精度(%)3:±5%
4最大功率(W)4 :300mW
5最大阻抗值(Zzt)5:100 Ohms
6工作温度:-65°C ~ 150°C
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23-3
料号:E7-77
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DZ23C51-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C51-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C51-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C51-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: BZX84C39S-7-F
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 39V SOT363
参数: 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:13 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 9.9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:70 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 9.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):500nA @ 3.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:30V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:200 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 23V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):500nA @ 23V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:8 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):8 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 23.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1µA @ 2.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:8 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :1.5W *5最大阻抗值(Zzt)5:1.5W Current - Reverse Leakage @ Vr:10µA @ 3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):10µA @ 3V *6工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:200mW Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):100nA @ 9V *6工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:51V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):100 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:130 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27.3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装
替代:
1阵列配置1:2 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V
3精度(%)3:±6%
4最大功率(W)4 :200mW
5最大阻抗值(Zzt)5:130 Ohms
6工作温度:-65°C ~ 150°C
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E7-78
包装: 3000个/ 卷盘
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合作现货:0
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状态: 在售
型号: DZ23C39-7-F
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 39V SOT23-3
参数: 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:13 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 9.9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:70 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 9.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):500nA @ 3.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:30V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:200 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 23V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):500nA @ 23V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:8 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):8 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 23.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1µA @ 2.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:8 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :1.5W *5最大阻抗值(Zzt)5:1.5W Current - Reverse Leakage @ Vr:10µA @ 3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):10µA @ 3V *6工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:200mW Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):100nA @ 9V *6工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:51V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):100 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:130 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27.3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:90 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):90 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代:
1阵列配置1:1 对共阴极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V
3精度(%)3:±5%
4最大功率(W)4 :300mW
5最大阻抗值(Zzt)5:90 Ohms
6工作温度:-65°C ~ 150°C
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23-3
料号:E7-79
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DZ23C39-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C39-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C39-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C39-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: DZ23C43-7-F
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 43V SOT23-3
参数: 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:13 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 9.9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:70 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 9.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):500nA @ 3.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:30V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:200 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 23V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):500nA @ 23V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:8 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):8 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 23.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1µA @ 2.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:8 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :1.5W *5最大阻抗值(Zzt)5:1.5W Current - Reverse Leakage @ Vr:10µA @ 3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):10µA @ 3V *6工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:200mW Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):100nA @ 9V *6工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:51V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):100 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:130 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27.3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:90 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):90 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:43V *3精度(%)3:±6.98% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 35V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):100nA @ 35V *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
1阵列配置1:1 对共阴极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:43V
3精度(%)3:±6.98%
4最大功率(W)4 :300mW
5最大阻抗值(Zzt)5:100 Ohms
6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23-3
料号:E7-80
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DZ23C43-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C43-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C43-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C43-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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