元器件型号:1397
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
型号: MMBZ5235BS-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 6.8V SOT363
参数: 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):-
替代:
1阵列配置1:-
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:-
3精度(%)3:-
4最大功率(W)4 :-
5最大阻抗值(Zzt)5:-
6工作温度:-
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E7-776
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBZ5235BS-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5235BS-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5235BS-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5235BS-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: MMBZ5236BS-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 7.5V SOT363
参数: 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):-
替代:
1阵列配置1:-
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:-
3精度(%)3:-
4最大功率(W)4 :-
5最大阻抗值(Zzt)5:-
6工作温度:-
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E7-777
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBZ5236BS-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5236BS-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5236BS-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5236BS-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: BZX84C6V8S-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 6.8V SOT363
参数: 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):-
替代:
1阵列配置1:-
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:-
3精度(%)3:-
4最大功率(W)4 :-
5最大阻抗值(Zzt)5:-
6工作温度:-
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E7-778
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX84C6V8S-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C6V8S-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C6V8S-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C6V8S-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: AZ23C3V9-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 3.9V SOT23-3
参数: 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):-
替代:
1阵列配置1:-
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:-
3精度(%)3:-
4最大功率(W)4 :-
5最大阻抗值(Zzt)5:-
6工作温度:-
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23-3
料号:E7-779
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C3V9-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C3V9-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C3V9-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C3V9-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: MMBZ5230BS-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 4.7V SOT363
参数: 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:19 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA
替代:
1阵列配置1:2 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V
3精度(%)3:±5%
4最大功率(W)4 :200mW
5最大阻抗值(Zzt)5:19 Ohms
6工作温度:-65°C ~ 150°C
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E7-780
包装: 3000个/ 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBZ5230BS-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5230BS-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5230BS-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5230BS-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: UMZ36NT106
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 36V 200MW UMD3
参数: 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:19 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:200mW Current - Reverse Leakage @ Vr:200mW 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):200mW
替代:
1阵列配置1:1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V
3精度(%)3:-
4最大功率(W)4 :200mW
5最大阻抗值(Zzt)5:200mW
6工作温度:-
外壳:SC-70,SOT-323
封装:UMD3
料号:E7-781
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UMZ36NT106' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMZ36NT106' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMZ36NT106' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMZ36NT106' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: BZX84C39S-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 39V SOT363
参数: 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:19 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:200mW Current - Reverse Leakage @ Vr:200mW 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):200mW 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):-
替代:
1阵列配置1:-
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:-
3精度(%)3:-
4最大功率(W)4 :-
5最大阻抗值(Zzt)5:-
6工作温度:-
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E7-782
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX84C39S-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C39S-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C39S-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C39S-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: BZX84C20TA
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ZENER 20V 350MW SOT23-3
参数: 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:19 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:200mW Current - Reverse Leakage @ Vr:200mW 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):200mW 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):-
替代:
1阵列配置1:-
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:-
3精度(%)3:-
4最大功率(W)4 :-
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6工作温度:-
外壳:-
封装:-
料号:E7-1261
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX84C20TA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C20TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: MMBZ5227BS-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 3.6V SOT363
参数: 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:19 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:200mW Current - Reverse Leakage @ Vr:200mW 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):200mW 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):-
替代:
1阵列配置1:-
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:-
3精度(%)3:-
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外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E7-783
包装: 卷盘
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5227BS-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: BZX84C12TS-7-F
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 12V SOT363
参数: 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:19 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:200mW Current - Reverse Leakage @ Vr:200mW 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):200mW 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA
替代:
1阵列配置1:3 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V
3精度(%)3:±6%
4最大功率(W)4 :200mW
5最大阻抗值(Zzt)5:25 Ohms
6工作温度:-65°C ~ 150°C
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E7-784
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX84C12TS-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C12TS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C12TS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C12TS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态: 在售
型号: STZ6.2NT146
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 6.2V SMD3
参数: 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:19 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:200mW Current - Reverse Leakage @ Vr:200mW 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):200mW 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1µA @ 3V
替代:
1阵列配置1:1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V
3精度(%)3:±5%
4最大功率(W)4 :200mW
5最大阻抗值(Zzt)5:60 Ohms
6工作温度:-
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SMD3
料号:E7-785
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STZ6.2NT146' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STZ6.2NT146' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STZ6.2NT146' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STZ6.2NT146' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态:
型号: DZ4J047K0R
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: DIODE ZENER ARRAY 4.7V SMINI4
参数: 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:19 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:200mW Current - Reverse Leakage @ Vr:200mW 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):200mW 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1µA @ 3V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA
替代:
1阵列配置1:2 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V
3精度(%)3:-
4最大功率(W)4 :200mW
5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms
6工作温度:-
外壳:4-SMD,扁平引线
封装:SMINI4-F3-B
料号:E7-786
包装: 卷盘
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合作现货:0
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状态: 在售
型号: DZ3X120D0L
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: DIODE ZENER ARRAY 12V MINI3
参数: 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:19 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:200mW Current - Reverse Leakage @ Vr:200mW 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):200mW 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1µA @ 3V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA
替代:
1阵列配置1:1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V
3精度(%)3:±5%
4最大功率(W)4 :200mW
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6工作温度:150°C
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:迷你型3-G3-B
料号:E7-787
包装: 卷盘
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ3X120D0L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ3X120D0L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ3X120D0L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: DZ3X056D0L
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: DIODE ZENER ARRAY 5.6V MINI3
参数: 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:19 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:200mW Current - Reverse Leakage @ Vr:200mW 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):200mW 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1µA @ 3V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 2.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA
替代:
1阵列配置1:1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V
3精度(%)3:±5%
4最大功率(W)4 :200mW
5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms
6工作温度:150°C
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:迷你型3-G3-B
料号:E7-788
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DZ3X056D0L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: DZ37120D0L
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: DIODE ZENER ARRAY 12V SSSMINI3
参数: 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:19 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:200mW Current - Reverse Leakage @ Vr:200mW 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):200mW 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1µA @ 3V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 2.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA
替代:
1阵列配置1:1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V
3精度(%)3:-
4最大功率(W)4 :150mW
5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms
6工作温度:-
外壳:SOT-723
封装:SSSMINI3-F2-B
料号:E7-789
包装: 卷盘
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合作现货:0
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状态: 在售
型号: MMBZ16VALT1G
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: DIODE ZENER 16V SOT23-3
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替代:
1阵列配置1:1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V
3精度(%)3:±5%
4最大功率(W)4 :225mW
5最大阻抗值(Zzt)5:225mW
6工作温度:-55°C ~ 150°C
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23-3(TO-236)
料号:E7-790
包装: 卷盘
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海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: DZ3S120D0L
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: DIODE ZENER ARRAY 12V SSMINI3
参数: 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:19 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:200mW Current - Reverse Leakage @ Vr:200mW 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):200mW 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1µA @ 3V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 2.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值(Zzt)5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:225mW 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA
替代:
1阵列配置1:1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V
3精度(%)3:-
4最大功率(W)4 :150mW
5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms
6工作温度:-
外壳:SC-89,SOT-490
封装:SS迷你型3-F3-B
料号:E7-791
包装: 卷盘
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合作现货:0
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型号: DZ3S056D0L
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: DIODE ZENER ARRAY 5.6V SSMINI3
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外壳:SC-89,SOT-490
封装:SS迷你型3-F3-B
料号:E7-792
包装: 卷盘
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合作现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: DZ36068D0L
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: DIODE ZENER ARRAY 6.8V ML3N4-B
参数: 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:19 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:200mW Current - Reverse Leakage @ Vr:200mW 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):200mW 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1µA @ 3V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 2.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值(Zzt)5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:225mW 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 2.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA
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1阵列配置1:1 对共阳极
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5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms
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外壳:SC-101,SOT-883
封装:ML3-N4-B
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包装: 卷盘
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当天可发货
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状态: 在售
型号: DZ36082D0L
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: DIODE ZENER ARRAY 8.2V ML3N4-B
参数: 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:19 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:200mW Current - Reverse Leakage @ Vr:200mW 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):200mW 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1µA @ 3V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 2.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值(Zzt)5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:225mW 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 2.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA
替代:
1阵列配置1:1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V
3精度(%)3:±5%
4最大功率(W)4 :200mW
5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms
6工作温度:150°C
外壳:SC-101,SOT-883
封装:ML3-N4-B
料号:E7-794
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DZ36082D0L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ36082D0L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ36082D0L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ36082D0L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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