首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 单路稳压二极管（齐纳/TVS/ESD)
元器件型号：1397 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： DZ23C7V5-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 7.5V SOT23-3
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:7 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:7 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阴极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：7.5V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：7 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E7-81
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DZ23C7V5-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C7V5-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C7V5-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C7V5-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MMBZ5221BS-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 2.4V SOT363
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:7 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:7 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.4V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：2 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：2.4V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：30 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-82
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBZ5221BS-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5221BS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5221BS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5221BS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MMBZ5233BS-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 6V SOT363
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:7 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:7 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.4V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：2 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：6V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：7 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-83
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBZ5233BS-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5233BS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5233BS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5233BS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MMBZ5239BS-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 9.1V SOT363
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:7 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:7 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.4V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：2 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：9.1V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：10 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-84
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBZ5239BS-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5239BS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5239BS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5239BS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMBZ5246BS-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 16V SOT363
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:7 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:7 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.4V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：2 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：16V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：17 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-85
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBZ5246BS-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5246BS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5246BS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5246BS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMBZ5259BS-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 39V SOT363
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:7 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:7 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.4V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 30V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：2 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：39V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：80 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-86
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBZ5259BS-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5259BS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5259BS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5259BS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AZ23C6V8W-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 6.8V SOT323
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:7 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:7 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.4V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 30V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：6.8V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：15 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：E7-87
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C6V8W-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C6V8W-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C6V8W-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C6V8W-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： VMZT6.8NT2L
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 6.8V VMD3
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:7 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:7 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.4V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 30V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值（Zzt）5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:150mW 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：6.8V
3精度（%）3：-
4最大功率(W)4 ：150mW
5最大阻抗值（Zzt）5：150mW
6工作温度：-
外壳：SOT-723
封装：VMD3
料号：E7-88
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VMZT6.8NT2L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VMZT6.8NT2L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VMZT6.8NT2L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VMZT6.8NT2L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： UMZ6.8NT106
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 6.8V UMD3
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:7 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:7 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.4V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 30V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值（Zzt）5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:150mW 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500nA @ 3.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：6.8V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：40 Ohms
6工作温度：-
外壳：SC-70，SOT-323
封装：UMD3
料号：E7-89
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UMZ6.8NT106' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMZ6.8NT106' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMZ6.8NT106' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMZ6.8NT106' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
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状态： 在售
型号： VMZ6.8NT2L
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 6.8V VMD3
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:7 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:7 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.4V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 30V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值（Zzt）5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:150mW 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500nA @ 3.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值（Zzt）5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500nA @ 3.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：6.8V
3精度（%）3：-
4最大功率(W)4 ：150mW
5最大阻抗值（Zzt）5：150mW
6工作温度：-
外壳：SOT-723
封装：VMD3
料号：E7-90
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VMZ6.8NT2L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VMZ6.8NT2L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VMZ6.8NT2L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VMZ6.8NT2L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： UMZ12NT106
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 12V 200MW UMD3
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:7 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:7 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.4V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 30V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值（Zzt）5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:150mW 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500nA @ 3.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值（Zzt）5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500nA @ 3.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:±8% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 9V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：12V
3精度（%）3：±8%
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：30 Ohms
6工作温度：-
外壳：SC-70，SOT-323
封装：UMD3
料号：E7-91
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UMZ12NT106' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMZ12NT106' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMZ12NT106' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： FTZ4.3ET148
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 4.3V SMD5
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:7 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:7 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.4V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 30V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值（Zzt）5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:150mW 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500nA @ 3.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值（Zzt）5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500nA @ 3.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:±8% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 9V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.3V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:5µA @ 1V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：2 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：4.3V
3精度（%）3：-
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：100 Ohms
6工作温度：-
外壳：SC-74A，SOT-753
封装：SMD5
料号：E7-92
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FTZ4.3ET148' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FTZ4.3ET148' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FTZ4.3ET148' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 6.8V SMD3
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:7 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:7 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.4V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 30V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值（Zzt）5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:150mW 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500nA @ 3.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值（Zzt）5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500nA @ 3.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:±8% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 9V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.3V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:5µA @ 1V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500nA @ 3.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：6.8V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：40 Ohms
6工作温度：-
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SMD3
料号：E7-93
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STZ6.8NT146' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STZ6.8NT146' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STZ6.8NT146' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STZ6.8NT146' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： DZL6V8AXV3-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 6.8V SOT523
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:7 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:7 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.4V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 30V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值（Zzt）5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:150mW 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500nA @ 3.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值（Zzt）5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500nA @ 3.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:±8% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 9V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.3V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:5µA @ 1V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500nA @ 3.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :220mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 4.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：6.8V
3精度（%）3：-
4最大功率(W)4 ：220mW
5最大阻抗值（Zzt）5：15 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：SOT-523
封装：SOT-523
料号：E7-94
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DZL6V8AXV3-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZL6V8AXV3-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZL6V8AXV3-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZL6V8AXV3-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： UMZ16NT106
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 16V 200MW UMD3
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:7 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:7 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.4V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 30V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值（Zzt）5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:150mW 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500nA @ 3.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值（Zzt）5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500nA @ 3.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:±8% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 9V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.3V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:5µA @ 1V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500nA @ 3.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :220mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 4.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 12V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：16V
3精度（%）3：-
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：50 Ohms
6工作温度：-
外壳：SC-70，SOT-323
封装：UMD3
料号：E7-95
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UMZ16NT106' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMZ16NT106' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMZ16NT106' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMZ16NT106' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
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状态： 在售
型号： AZ23C24-TP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： DIODE ZENER ARRAY 24V SOT23
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:7 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:7 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.4V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 30V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值（Zzt）5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:150mW 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500nA @ 3.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值（Zzt）5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500nA @ 3.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:±8% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 9V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.3V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:5µA @ 1V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500nA @ 3.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :220mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 4.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 12V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 18V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1µA @ 18V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：24V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：80 Ohms
6工作温度：-
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：E7-96
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C24-TP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MCC/美微科' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C24-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C24-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C24-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BZB784-C5V1,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 5.1V SOT323
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:7 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:7 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.4V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 30V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值（Zzt）5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:150mW 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500nA @ 3.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值（Zzt）5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500nA @ 3.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:±8% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 9V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.3V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:5µA @ 1V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500nA @ 3.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :220mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 4.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 12V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 18V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1µA @ 18V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :180mW *5最大阻抗值（Zzt）5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：5.1V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：180mW
5最大阻抗值（Zzt）5：60 Ohms
6工作温度：150°C
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：E7-97
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZB784-C5V1,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZB784-C5V1,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZB784-C5V1,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZB784-C5V1,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： CMSZDA10V TR
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： DIODE ZENER 10V 275MW SOT323
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:7 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:7 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.4V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 30V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值（Zzt）5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:150mW 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500nA @ 3.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值（Zzt）5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500nA @ 3.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:±8% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 9V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.3V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:5µA @ 1V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500nA @ 3.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :220mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 4.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 12V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 18V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1µA @ 18V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :180mW *5最大阻抗值（Zzt）5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：10V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：275mW
5最大阻抗值（Zzt）5：20 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：E7-98
包装： 3000个/ 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMSZDA10V TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSZDA10V TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSZDA10V TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSZDA10V TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： CMSZDA11V TR
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： DIODE ZENER 11V 275MW SOT323
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:7 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:7 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.4V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 30V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值（Zzt）5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:150mW 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500nA @ 3.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值（Zzt）5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500nA @ 3.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:±8% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 9V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.3V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:5µA @ 1V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500nA @ 3.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :220mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 4.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 12V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 18V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1µA @ 18V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :180mW *5最大阻抗值（Zzt）5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:11V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100µA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：11V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：275mW
5最大阻抗值（Zzt）5：20 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：E7-99
包装： 3000个/ 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMSZDA11V TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSZDA11V TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSZDA11V TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSZDA11V TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： CMSZDA12V TR
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： DIODE ZENER 12V 275MW SOT323
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:7 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:7 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.4V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 30V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值（Zzt）5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:150mW 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500nA @ 3.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值（Zzt）5:150mW Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500nA @ 3.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:±8% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 9V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.3V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:5µA @ 1V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500nA @ 3.5V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :220mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 4.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 12V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 18V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1µA @ 18V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :180mW *5最大阻抗值（Zzt）5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:11V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100µA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：12V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：275mW
5最大阻抗值（Zzt）5：25 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：E7-100
包装： 3000个/ 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMSZDA12V TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSZDA12V TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSZDA12V TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSZDA12V TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
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