首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 单路稳压二极管（齐纳/TVS/ESD)
元器件型号：1397 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： BZB784-C6V2,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 6.2V SOT323
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :180mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：6.2V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：180mW
5最大阻抗值（Zzt）5：10 Ohms
6工作温度：-
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：E7-995
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZB784-C6V2,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZB784-C6V2,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZB784-C6V2,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZB784-C6V2,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BZB784-C8V2,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 8.2V SOT323
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :180mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :180mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:700nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：8.2V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：180mW
5最大阻抗值（Zzt）5：15 Ohms
6工作温度：-
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：E7-996
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZB784-C8V2,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZB784-C8V2,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZB784-C8V2,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZB784-C8V2,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： SZNZL7V5AXV3T1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE ZENER DUAL CA SC-89-3
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :180mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :180mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:700nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :240mW *5最大阻抗值（Zzt）5:240mW Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 7.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：7.5V
3精度（%）3：-
4最大功率(W)4 ：240mW
5最大阻抗值（Zzt）5：240mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：SC-89，SOT-490
封装：SC-89
料号：E7-997
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SZNZL7V5AXV3T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SZNZL7V5AXV3T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SZNZL7V5AXV3T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SZNZL7V5AXV3T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： SZMMBZ47VALT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE ZENER 5% SOT23
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :180mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :180mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:700nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :240mW *5最大阻抗值（Zzt）5:240mW Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 7.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:38V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10A
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：38V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：225mW
5最大阻抗值（Zzt）5：225mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E7-998
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SZMMBZ47VALT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SZMMBZ47VALT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SZMMBZ47VALT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SZMMBZ47VALT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： DZ5X120D0R
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： DIODE ZENER ARRAY 12V MINI5
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :180mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :180mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:700nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :240mW *5最大阻抗值（Zzt）5:240mW Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 7.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:38V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10A 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA
替代：
1阵列配置1：2 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：12V
3精度（%）3：-
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：30 Ohms
6工作温度：-40°C ~ 85°C
外壳：SC-74A，SOT-753
封装：迷你型5-G3-B
料号：E7-999
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DZ5X120D0R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ5X120D0R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ5X120D0R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ5X120D0R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： SZMMBZ47VTALT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE ZENER 5% SOT23
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :180mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :180mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:700nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :240mW *5最大阻抗值（Zzt）5:240mW Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 7.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:38V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10A 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:38V *3精度（%）3:±2% *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：38V
3精度（%）3：±2%
4最大功率(W)4 ：225mW
5最大阻抗值（Zzt）5：225mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E7-1000
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SZMMBZ47VTALT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SZMMBZ47VTALT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SZMMBZ47VTALT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SZMMBZ47VTALT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AZ23C18W-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 18V SOT323
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :180mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :180mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:700nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :240mW *5最大阻抗值（Zzt）5:240mW Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 7.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:38V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10A 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:38V *3精度（%）3:±2% *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12.6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：18V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：50 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：E7-1001
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C18W-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C18W-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C18W-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C18W-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： AZ23C5V6W-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 5.6V SOT323
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :180mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :180mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:700nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :240mW *5最大阻抗值（Zzt）5:240mW Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 7.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:38V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10A 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:38V *3精度（%）3:±2% *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12.6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：5.6V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：40 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：E7-1002
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C5V6W-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C5V6W-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C5V6W-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C5V6W-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BZX84C10TS-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 10V SOT363
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :180mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :180mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:700nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :240mW *5最大阻抗值（Zzt）5:240mW Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 7.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:38V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10A 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:38V *3精度（%）3:±2% *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12.6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA
替代：
1阵列配置1：3 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：10V
3精度（%）3：±6%
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：20 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-1003
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX84C10TS-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C10TS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C10TS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C10TS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BZX84C11TS-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 11V SOT363
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :180mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :180mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:700nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :240mW *5最大阻抗值（Zzt）5:240mW Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 7.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:38V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10A 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:38V *3精度（%）3:±2% *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12.6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:11V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA
替代：
1阵列配置1：3 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：11V
3精度（%）3：±6%
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：20 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-1004
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX84C11TS-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： BZX84C13TS-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 13V SOT363
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :180mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :180mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:700nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :240mW *5最大阻抗值（Zzt）5:240mW Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 7.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:38V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10A 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:38V *3精度（%）3:±2% *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12.6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:11V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA
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外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-1005
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型号： BZX84C15TS-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 15V SOT363
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :180mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :180mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:700nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :240mW *5最大阻抗值（Zzt）5:240mW Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 7.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:38V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10A 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:38V *3精度（%）3:±2% *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12.6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:11V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:15V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 10.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA
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1阵列配置1：3 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：15V
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5最大阻抗值（Zzt）5：30 Ohms
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外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-1006
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型号： BZX84C16TS-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 16V SOT363
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :180mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :180mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:700nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :240mW *5最大阻抗值（Zzt）5:240mW Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 7.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:38V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10A 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:38V *3精度（%）3:±2% *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12.6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:11V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:15V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 10.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 11.2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA
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6工作温度：-65°C ~ 150°C
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型号： BZX84C18TS-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 18V SOT363
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :180mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :180mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:700nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :240mW *5最大阻抗值（Zzt）5:240mW Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 7.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:38V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10A 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:38V *3精度（%）3:±2% *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12.6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:11V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:15V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 10.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 11.2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:45 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12.6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA
替代：
1阵列配置1：3 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：18V
3精度（%）3：±6%
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：45 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-1008
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX84C18TS-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C18TS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C18TS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C18TS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BZX84C20TS-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 20V SOT363
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :180mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :180mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:700nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :240mW *5最大阻抗值（Zzt）5:240mW Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 7.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:38V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10A 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:38V *3精度（%）3:±2% *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12.6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:11V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:15V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 10.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 11.2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:45 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12.6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA
替代：
1阵列配置1：3 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：20V
3精度（%）3：±6%
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：55 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-1009
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX84C20TS-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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1~2周可到达
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型号： BZX84C22TS-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 22V SOT363
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :180mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :180mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:700nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :240mW *5最大阻抗值（Zzt）5:240mW Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 7.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:38V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10A 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:38V *3精度（%）3:±2% *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12.6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:11V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:15V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 10.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 11.2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:45 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12.6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 15.4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA
替代：
1阵列配置1：3 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：22V
3精度（%）3：±6%
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：55 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-1010
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX84C22TS-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C22TS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C22TS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C22TS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BZX84C24TS-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 24V SOT363
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :180mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :180mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:700nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :240mW *5最大阻抗值（Zzt）5:240mW Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 7.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:38V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10A 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:38V *3精度（%）3:±2% *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12.6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:11V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:15V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 10.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 11.2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:45 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12.6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 15.4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:70 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 16.8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA
替代：
1阵列配置1：3 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：24V
3精度（%）3：±6%
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：70 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-1011
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX84C24TS-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C24TS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C24TS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C24TS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： BZX84C2V4TS-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 2.4V SOT363
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :180mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :180mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:700nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :240mW *5最大阻抗值（Zzt）5:240mW Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 7.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:38V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10A 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:38V *3精度（%）3:±2% *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12.6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:11V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:15V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 10.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 11.2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:45 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12.6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 15.4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:70 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 16.8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.4V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA
替代：
1阵列配置1：3 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：2.4V
3精度（%）3：±6%
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：100 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-1012
包装： 卷盘
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合作现货:0
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型号： BZX84C2V7TS-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 2.7V SOT363
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :180mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :180mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:700nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :240mW *5最大阻抗值（Zzt）5:240mW Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 7.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:38V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10A 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:38V *3精度（%）3:±2% *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12.6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:11V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:15V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 10.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 11.2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:45 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12.6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 15.4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:70 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 16.8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.4V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.7V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:20µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA
替代：
1阵列配置1：3 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：2.7V
3精度（%）3：±6%
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：100 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-1013
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX84C2V7TS-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C2V7TS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C2V7TS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： BZX84C30TS-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 30V SOT363
参数： 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :180mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :180mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:700nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :240mW *5最大阻抗值（Zzt）5:240mW Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 7.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:38V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10A 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:38V *3精度（%）3:±2% *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12.6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:11V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:15V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 10.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 11.2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:45 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12.6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 15.4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:70 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 16.8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.4V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.7V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:20µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:30V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 21V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA
替代：
1阵列配置1：3 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：30V
3精度（%）3：±6%
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：80 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-1014
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX84C30TS-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C30TS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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