首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 单路稳压二极管（齐纳/TVS/ESD)
元器件型号：1397 件
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状态： 在售
型号： BZX84C33TS-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 33V SOT363
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 23.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA
替代：
1阵列配置1：3 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：33V
3精度（%）3：±6%
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：80 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-1015
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX84C33TS-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C33TS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C33TS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C33TS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BZX84C36TS-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 36V SOT363
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 23.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 25.2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA
替代：
1阵列配置1：3 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：36V
3精度（%）3：±6%
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：90 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-1016
包装： 卷盘
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型号： BZX84C39TS-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 39V SOT363
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 23.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 25.2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:130 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27.3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA
替代：
1阵列配置1：3 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：39V
3精度（%）3：±6%
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：130 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-1017
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX84C39TS-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C39TS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BZX84C3V0TS-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 3V SOT363
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 23.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 25.2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:130 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27.3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:10µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA
替代：
1阵列配置1：3 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：3V
3精度（%）3：±6%
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：95 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-1018
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX84C3V0TS-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C3V0TS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C3V0TS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C3V0TS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BZX84C3V3TS-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 3.3V SOT363
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 23.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 25.2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:130 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27.3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:10µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA
替代：
1阵列配置1：3 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：3.3V
3精度（%）3：±6%
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：95 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-1019
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX84C3V3TS-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C3V3TS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C3V3TS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C3V3TS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BZX84C3V6TS-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 3.6V SOT363
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 23.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 25.2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:130 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27.3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:10µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA
替代：
1阵列配置1：3 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：3.6V
3精度（%）3：±6%
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：90 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-1020
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX84C3V6TS-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C3V6TS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C3V6TS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： BZX84C3V9TS-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 3.9V SOT363
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 23.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 25.2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:130 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27.3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:10µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.9V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA
替代：
1阵列配置1：3 个独立式
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4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：90 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-1021
包装： 卷盘
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合作现货:0
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型号： BZX84C4V3TS-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 4.3V SOT363
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 23.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 25.2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:130 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27.3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:10µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.9V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA
替代：
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2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：4.3V
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外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-1022
包装： 卷盘
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型号： BZX84C4V7TS-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 4.7V SOT363
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 23.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 25.2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:130 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27.3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:10µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.9V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA
替代：
1阵列配置1：3 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：4.7V
3精度（%）3：±6%
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：80 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-1023
包装： 卷盘
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C4V7TS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C4V7TS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C4V7TS-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BZX84C6V8TS-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 6.8V SOT363
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 23.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 25.2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:130 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27.3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:10µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.9V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA
替代：
1阵列配置1：3 个独立式
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6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-1024
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX84C6V8TS-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： BZX84C7V5TS-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 7.5V SOT363
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品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 8.2V SOT363
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 23.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 25.2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:130 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27.3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:10µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.9V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:700nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA
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外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
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品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 9.1V SOT363
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 23.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 25.2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:130 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27.3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:10µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.9V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:700nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA
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6工作温度：-65°C ~ 150°C
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料号：E7-1027
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型号： MMBZ27VDA-E3-18
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE ZENER 27V 225MW SOT23
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 23.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 25.2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:130 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27.3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:10µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.9V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:700nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:80nA @ 22V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200mA
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：27V
3精度（%）3：-
4最大功率(W)4 ：225mW
5最大阻抗值（Zzt）5：225mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E7-1028
包装： 10000个/ 卷盘
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型号： MMBZ27VDA-E3-08
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE ZENER 27V 225MW SOT23
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 23.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 25.2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:130 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27.3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:10µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.9V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:700nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:80nA @ 22V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:80nA @ 22V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200mA
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：27V
3精度（%）3：-
4最大功率(W)4 ：225mW
5最大阻抗值（Zzt）5：225mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E7-1029
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBZ27VDA-E3-08' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ27VDA-E3-08' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： PZU10DB2,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 10V 5TSSOP
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 23.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 25.2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:130 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27.3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:10µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.9V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:700nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:80nA @ 22V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:80nA @ 22V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度（%）3:±2% *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA
替代：
1阵列配置1：2 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：10V
3精度（%）3：±2%
4最大功率(W)4 ：250mW
5最大阻抗值（Zzt）5：10 Ohms
6工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353
封装：5-TSSOP
料号：E7-1030
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PZU10DB2,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PZU10DB2,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PZU10DB2,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PZU10DB2,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： PLVA2668A,215
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 6.8V SOT23
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 23.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 25.2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:130 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27.3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:10µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.9V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:700nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:80nA @ 22V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:80nA @ 22V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度（%）3:±2% *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：6.8V
3精度（%）3：-
4最大功率(W)4 ：250mW
5最大阻抗值（Zzt）5：100 Ohms
6工作温度：-
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23（TO-236AB）
料号：E7-1031
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PLVA2668A,215' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PLVA2668A,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PLVA2668A,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PLVA2668A,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMBZ27VDA-G3-18
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE ZENER 27V 225MW SOT23
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 23.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 25.2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:130 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27.3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:10µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.9V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:700nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:80nA @ 22V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:80nA @ 22V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度（%）3:±2% *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:80nA @ 22V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200mA
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：27V
3精度（%）3：-
4最大功率(W)4 ：225mW
5最大阻抗值（Zzt）5：225mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E7-1032
包装： 10000个/ 卷盘
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： MMBZ27VDA-G3-08
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE ZENER 27V 225MW SOT23
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 23.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 25.2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:130 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27.3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:10µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.9V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:700nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:80nA @ 22V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:80nA @ 22V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度（%）3:±2% *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:80nA @ 22V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:80nA @ 22V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200mA
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：27V
3精度（%）3：-
4最大功率(W)4 ：225mW
5最大阻抗值（Zzt）5：225mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E7-1033
包装： 卷盘
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMBZ27VDA-HE3-18
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE ZENER 40W 1MA 27V SOT23
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 23.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 25.2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:130 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27.3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:10µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.9V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.3V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:700nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:80nA @ 22V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:80nA @ 22V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度（%）3:±2% *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:80nA @ 22V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:80nA @ 22V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200mA 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :225mW *5最大阻抗值（Zzt）5:225mW Current - Reverse Leakage @ Vr:80nA @ 22V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200mA
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：27V
3精度（%）3：-
4最大功率(W)4 ：225mW
5最大阻抗值（Zzt）5：225mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E7-1034
包装： 10000个/ 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBZ27VDA-HE3-18' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ27VDA-HE3-18' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ27VDA-HE3-18' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ27VDA-HE3-18' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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