元器件型号:1397
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
型号: DZ5S120D0R
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: DIODE ZENER ARRAY 12V SSMINI5
参数: 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型
替代:
1阵列配置1:2 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V
3精度(%)3:-
4最大功率(W)4 :150mW
5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms
6工作温度:-
外壳:SOT-665
封装:SSMINI5-F4-B
料号:E7-1075
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DZ5S120D0R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ5S120D0R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ5S120D0R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ5S120D0R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: DZ23C3V6-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 3.6V SOT23-3
参数: 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *6工作温度:- 安装类型:-
替代:
1阵列配置1:-
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:-
3精度(%)3:-
4最大功率(W)4 :-
5最大阻抗值(Zzt)5:-
6工作温度:-
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23-3
料号:E7-1076
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DZ23C3V6-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C3V6-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C3V6-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C3V6-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: DZ23C3V9-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 3.9V SOT23-3
参数: 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *6工作温度:- 安装类型:-
替代:
1阵列配置1:-
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:-
3精度(%)3:-
4最大功率(W)4 :-
5最大阻抗值(Zzt)5:-
6工作温度:-
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23-3
料号:E7-1077
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DZ23C3V9-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C3V9-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C3V9-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C3V9-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: PZU6.8DB2,115
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 6.8V 5TSSOP
参数: 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:±2% *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值(Zzt)5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代:
1阵列配置1:2 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V
3精度(%)3:±2%
4最大功率(W)4 :250mW
5最大阻抗值(Zzt)5:20 Ohms
6工作温度:-55°C ~ 150°C
外壳:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
封装:5-TSSOP
料号:E7-1078
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PZU6.8DB2,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PZU6.8DB2,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PZU6.8DB2,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PZU6.8DB2,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: PZU3.3DB2,115
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 3.3V 5TSSOP
参数: 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:±2% *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值(Zzt)5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度(%)3:±2% *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值(Zzt)5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代:
1阵列配置1:2 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V
3精度(%)3:±2%
4最大功率(W)4 :250mW
5最大阻抗值(Zzt)5:95 Ohms
6工作温度:-55°C ~ 150°C
外壳:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
封装:5-TSSOP
料号:E7-1079
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PZU3.3DB2,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PZU3.3DB2,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PZU3.3DB2,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PZU3.3DB2,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: PLVA2656A,215
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 5.6V SOT23
参数: 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:±2% *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值(Zzt)5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度(%)3:±2% *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值(Zzt)5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值(Zzt)5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型
替代:
1阵列配置1:1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V
3精度(%)3:-
4最大功率(W)4 :250mW
5最大阻抗值(Zzt)5:100 Ohms
6工作温度:-
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23(TO-236AB)
料号:E7-1080
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PLVA2656A,215' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PLVA2656A,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PLVA2656A,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PLVA2656A,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: MMBZ5231BS-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 5.1V SOT363
参数: 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:±2% *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值(Zzt)5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度(%)3:±2% *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值(Zzt)5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值(Zzt)5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代:
1阵列配置1:2 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V
3精度(%)3:±5%
4最大功率(W)4 :200mW
5最大阻抗值(Zzt)5:17 Ohms
6工作温度:-65°C ~ 150°C
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E7-1081
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBZ5231BS-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5231BS-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5231BS-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5231BS-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号: BZX84C4V7S-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 4.7V SOT363
参数: 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:±2% *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值(Zzt)5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度(%)3:±2% *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值(Zzt)5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值(Zzt)5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代:
1阵列配置1:2 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V
3精度(%)3:±6%
4最大功率(W)4 :200mW
5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms
6工作温度:-65°C ~ 150°C
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E7-1082
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX84C4V7S-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C4V7S-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C4V7S-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C4V7S-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: BZX84C20S-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 20V SOT363
参数: 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:±2% *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值(Zzt)5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度(%)3:±2% *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值(Zzt)5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值(Zzt)5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代:
1阵列配置1:2 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V
3精度(%)3:±6%
4最大功率(W)4 :200mW
5最大阻抗值(Zzt)5:55 Ohms
6工作温度:-65°C ~ 150°C
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E7-1083
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX84C20S-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C20S-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C20S-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C20S-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: AZ23C2V7-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 2.7V SOT23-3
参数: 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:±2% *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值(Zzt)5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度(%)3:±2% *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值(Zzt)5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值(Zzt)5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.7V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:83 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:83 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):83 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代:
1阵列配置1:1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.7V
3精度(%)3:±5%
4最大功率(W)4 :300mW
5最大阻抗值(Zzt)5:83 Ohms
6工作温度:-65°C ~ 150°C
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23-3
料号:E7-1084
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C2V7-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C2V7-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C2V7-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C2V7-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: DZ23C16-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 16V SOT23-3
参数: 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:±2% *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值(Zzt)5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度(%)3:±2% *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值(Zzt)5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值(Zzt)5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.7V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:83 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:83 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):83 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:40 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):40 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代:
1阵列配置1:1 对共阴极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V
3精度(%)3:±5%
4最大功率(W)4 :300mW
5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms
6工作温度:-65°C ~ 150°C
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23-3
料号:E7-1085
包装: 卷盘
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合作现货:0
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型号: DZ23C18-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 18V SOT23-3
参数: 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:±2% *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值(Zzt)5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度(%)3:±2% *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值(Zzt)5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值(Zzt)5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.7V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:83 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:83 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):83 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:40 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):40 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):50 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代:
1阵列配置1:1 对共阴极
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外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23-3
料号:E7-1086
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品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 12V SOT23-3
参数: 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:±2% *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值(Zzt)5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度(%)3:±2% *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值(Zzt)5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值(Zzt)5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.7V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:83 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:83 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):83 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:40 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):40 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):50 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:20 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):20 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代:
1阵列配置1:1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V
3精度(%)3:±5%
4最大功率(W)4 :300mW
5最大阻抗值(Zzt)5:20 Ohms
6工作温度:-65°C ~ 150°C
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23-3
料号:E7-1087
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品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 4.7V SOT23-3
参数: 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:±2% *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值(Zzt)5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度(%)3:±2% *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值(Zzt)5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值(Zzt)5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.7V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:83 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:83 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):83 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:40 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):40 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):50 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:20 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):20 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:78 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:78 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):78 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代:
1阵列配置1:1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V
3精度(%)3:±5%
4最大功率(W)4 :300mW
5最大阻抗值(Zzt)5:78 Ohms
6工作温度:-65°C ~ 150°C
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23-3
料号:E7-1088
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C4V7-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C4V7-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C4V7-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C4V7-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: AZ23C18-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 18V SOT23-3
参数: 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:±2% *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值(Zzt)5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度(%)3:±2% *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值(Zzt)5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值(Zzt)5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.7V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:83 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:83 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):83 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:40 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):40 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):50 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:20 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):20 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:78 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:78 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):78 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):50 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代:
1阵列配置1:1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V
3精度(%)3:±5%
4最大功率(W)4 :300mW
5最大阻抗值(Zzt)5:50 Ohms
6工作温度:-65°C ~ 150°C
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23-3
料号:E7-1089
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C18-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C18-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C18-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C18-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: AZ23C5V6-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 5.6V SOT23-3
参数: 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:±2% *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值(Zzt)5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度(%)3:±2% *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值(Zzt)5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值(Zzt)5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.7V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:83 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:83 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):83 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:40 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):40 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):50 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:20 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):20 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:78 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:78 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):78 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):50 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):100nA @ 1V *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代:
1阵列配置1:1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V
3精度(%)3:±5%
4最大功率(W)4 :300mW
5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms
6工作温度:-65°C ~ 150°C
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23-3
料号:E7-1090
包装: 卷盘
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合作现货:0
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状态: 在售
型号: DZ23C3V3-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 3.3V SOT23-3
参数: 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:±2% *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值(Zzt)5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度(%)3:±2% *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值(Zzt)5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值(Zzt)5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.7V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:83 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:83 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):83 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:40 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):40 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):50 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:20 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):20 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:78 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:78 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):78 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):50 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):100nA @ 1V *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):95 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代:
1阵列配置1:1 对共阴极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V
3精度(%)3:±5%
4最大功率(W)4 :300mW
5最大阻抗值(Zzt)5:95 Ohms
6工作温度:-65°C ~ 150°C
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23-3
料号:E7-1091
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DZ23C3V3-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C3V3-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C3V3-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C3V3-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: DZ23C2V7-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 2.7V SOT23-3
参数: 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:±2% *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值(Zzt)5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度(%)3:±2% *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值(Zzt)5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值(Zzt)5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.7V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:83 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:83 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):83 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:40 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):40 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):50 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:20 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):20 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:78 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:78 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):78 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):50 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):100nA @ 1V *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):95 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.7V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:83 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:83 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):83 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代:
1阵列配置1:1 对共阴极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.7V
3精度(%)3:±5%
4最大功率(W)4 :300mW
5最大阻抗值(Zzt)5:83 Ohms
6工作温度:-65°C ~ 150°C
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23-3
料号:E7-1092
包装: 卷盘
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合作现货:0
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状态: 在售
型号: DZ23C5V1-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 5.1V SOT23-3
参数: 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:±2% *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值(Zzt)5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度(%)3:±2% *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值(Zzt)5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值(Zzt)5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.7V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:83 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:83 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):83 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:40 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):40 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):50 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:20 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):20 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:78 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:78 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):78 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):50 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):100nA @ 1V *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):95 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.7V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:83 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:83 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):83 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:60 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):60 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代:
1阵列配置1:1 对共阴极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V
3精度(%)3:±5%
4最大功率(W)4 :300mW
5最大阻抗值(Zzt)5:60 Ohms
6工作温度:-65°C ~ 150°C
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23-3
料号:E7-1093
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DZ23C5V1-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: DZ23C33-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ZENER ARRAY 33V SOT23-3
参数: 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :150mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值(Zzt)5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:±2% *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值(Zzt)5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 3.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度(%)3:±2% *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值(Zzt)5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:- *4最大功率(W)4 :250mW *5最大阻抗值(Zzt)5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度(%)3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.7V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:83 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:83 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):83 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:40 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):40 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):50 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:20 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):20 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:78 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:78 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):78 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):50 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):100nA @ 1V *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):95 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.7V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:83 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:83 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):83 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:60 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):60 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):80 Ohms *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代:
1阵列配置1:1 对共阴极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V
3精度(%)3:±5%
4最大功率(W)4 :300mW
5最大阻抗值(Zzt)5:80 Ohms
6工作温度:-65°C ~ 150°C
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23-3
料号:E7-1094
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DZ23C33-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C33-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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