首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 单路稳压二极管（齐纳/TVS/ESD)
元器件型号：1397 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： AZ23C13-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 13V SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:25 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:25 Ohms
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：13V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：25 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E7-1095
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C13-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C13-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C13-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C13-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AZ23C24-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 24V SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:25 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:25 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：24V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：80 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E7-1096
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C24-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C24-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C24-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C24-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AZ23C30-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 30V SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:25 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:25 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:30V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：30V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：80 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E7-1097
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C30-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C30-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C30-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C30-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AZ23C33-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 33V SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:25 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:25 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:30V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：33V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：80 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E7-1098
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C33-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C33-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C33-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C33-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AZ23C39-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 39V SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:25 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:25 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:30V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:90 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:90 Ohms
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：39V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：90 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E7-1099
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C39-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C39-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C39-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C39-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AZ23C3V3-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 3.3V SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:25 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:25 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:30V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:90 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:90 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：3.3V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：95 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E7-1100
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C3V3-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C3V3-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C3V3-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C3V3-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AZ23C3V6-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 3.6V SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:25 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:25 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:30V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:90 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:90 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：3.6V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：95 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E7-1101
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C3V6-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C3V6-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C3V6-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C3V6-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AZ23C43-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 43V SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:25 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:25 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:30V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:90 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:90 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:43V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100 Ohms
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：43V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：100 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E7-1102
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C43-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C43-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C43-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C43-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AZ23C47-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 47V SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:25 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:25 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:30V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:90 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:90 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:43V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:47V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100 Ohms
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：47V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：100 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E7-1103
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C47-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C47-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C47-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C47-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AZ23C4V3-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 4.3V SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:25 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:25 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:30V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:90 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:90 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:43V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:47V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.3V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：4.3V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：95 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E7-1104
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C4V3-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C4V3-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C4V3-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C4V3-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AZ23C7V5-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 7.5V SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:25 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:25 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:30V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:90 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:90 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:43V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:47V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.3V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:7 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:7 Ohms
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：7.5V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：7 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E7-1105
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C7V5-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C7V5-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C7V5-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C7V5-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AZ23C8V2-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 8.2V SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:25 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:25 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:30V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:90 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:90 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:43V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:47V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.3V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:7 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:7 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:7 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:7 Ohms
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：8.2V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：7 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E7-1106
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C8V2-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C8V2-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C8V2-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C8V2-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BZX84C10S-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 10V SOT363
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:25 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:25 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:30V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:90 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:90 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:43V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:47V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.3V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:7 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:7 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:7 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:7 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA
替代：
1阵列配置1：2 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：10V
3精度（%）3：±6%
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：20 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-1107
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX84C10S-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C10S-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C10S-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C10S-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BZX84C13S-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 13V SOT363
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:25 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:25 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:30V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:90 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:90 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:43V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:47V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.3V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:7 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:7 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:7 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:7 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA
替代：
1阵列配置1：2 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：13V
3精度（%）3：±6%
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：30 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-1108
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX84C13S-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C13S-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C13S-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C13S-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BZX84C16S-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 16V SOT363
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:25 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:25 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:30V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:90 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:90 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:43V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:47V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.3V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:7 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:7 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:7 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:7 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 11.2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA
替代：
1阵列配置1：2 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：16V
3精度（%）3：±6%
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：40 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-1109
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX84C16S-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C16S-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C16S-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZX84C16S-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DZ23C39-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 39V SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:25 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:25 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:30V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:90 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:90 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:43V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:47V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.3V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:7 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:7 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:7 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:7 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 11.2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:90 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:90 Ohms
替代：
1阵列配置1：1 对共阴极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：39V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：90 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E7-1110
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DZ23C39-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C39-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C39-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C39-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DZ23C47-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 47V SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:25 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:25 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:30V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:90 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:90 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:43V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:47V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.3V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:7 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:7 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:7 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:7 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 11.2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:90 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:90 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:47V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100 Ohms
替代：
1阵列配置1：1 对共阴极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：47V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：100 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E7-1111
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DZ23C47-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C47-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C47-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C47-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DZ23C4V7-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 4.7V SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:25 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:25 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:30V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:90 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:90 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:43V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:47V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.3V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:7 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:7 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:7 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:7 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 11.2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:90 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:90 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:47V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:78 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:78 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:78 Ohms
替代：
1阵列配置1：1 对共阴极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：4.7V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：78 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E7-1112
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DZ23C4V7-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C4V7-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C4V7-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C4V7-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DZ23C51-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 51V SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:25 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:25 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:30V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:90 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:90 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:43V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:47V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.3V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:7 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:7 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:7 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:7 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 11.2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:90 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:90 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:47V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:78 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:78 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:78 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:51V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100 Ohms
替代：
1阵列配置1：1 对共阴极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：51V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：100 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E7-1113
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DZ23C51-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C51-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C51-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C51-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMBZ5223BS-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 2.7V SOT363
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:25 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:25 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:30V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:80 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:80 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:90 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:90 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:43V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:47V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.3V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:7 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:7 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:7 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:7 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:200nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±6% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 11.2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:90 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:90 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:47V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:78 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:78 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:78 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:51V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100 Ohms 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:2 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.7V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:75µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA
替代：
1阵列配置1：2 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：2.7V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：30 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-1114
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBZ5223BS-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5223BS-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5223BS-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5223BS-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
  共有1397个记录    每页显示20条，本页1101-1120条    56/70页    首 页    上一页   52  53  54  55  56  57  58  59  60   下一页    尾 页      
复制成功

业务介绍

芯片采购
芯片丝印
商品选型
芯片烧录
开发工具
Bom采购
SMT贴片

购物指南

注册登录
找回密码
购物流程
常见问题
支付方式
配送方式

联系我们

直线：0755-28435922
总部地址：广东省深圳市龙岗区坂田上雪村金鹏工业区新一栋5楼
联系我们
公司简介

关注我们

微信扫码
辰科芯查介绍

粤公网安备 号

粤ICP备2023141824号-1

Copyright © 2002-2025 深圳市辰科芯查有限公司 版权所有

销售在线 销售在线 工程师在线 工程师在线 电话咨询

销售在线

刘s:2355289363

手机: 15074164838

销售在线

陈s:2355289368

手机: 13510573285

工程师在线

吴工:2355289360

手机: 13824329149

工程师在线

陈工:2355289365

手机: 15818753382

电话咨询

0755-28435922