首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 单路稳压二极管（齐纳/TVS/ESD)
元器件型号：1397 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： CMSZDA5V6 TR
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： DIODE ZENER 5.6V 275MW SOT323
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：5.6V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：275mW
5最大阻抗值（Zzt）5：40 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：E7-101
包装： 3000个/ 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMSZDA5V6 TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSZDA5V6 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSZDA5V6 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSZDA5V6 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： CMSZDA8V2 TR
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： DIODE ZENER 8.2V 275MW SOT323
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:700nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：8.2V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：275mW
5最大阻抗值（Zzt）5：15 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：E7-102
包装： 3000个/ 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMSZDA8V2 TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSZDA8V2 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSZDA8V2 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSZDA8V2 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： CMSZDA9V1 TR
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： DIODE ZENER 9.1V 275MW SOT323
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:700nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：9.1V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：275mW
5最大阻抗值（Zzt）5：15 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：E7-103
包装： 3000个/ 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMSZDA9V1 TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSZDA9V1 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSZDA9V1 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSZDA9V1 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： CMSZDA20V TR
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： DIODE ZENER 20V 275MW SOT323
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:700nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：20V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：275mW
5最大阻抗值（Zzt）5：55 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：E7-104
包装： 3000个/ 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMSZDA20V TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSZDA20V TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSZDA20V TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSZDA20V TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： DZ3X068D0L
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： DIODE ZENER ARRAY 6.8V MINI3
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:700nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：6.8V
3精度（%）3：-
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：30 Ohms
6工作温度：-
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：迷你型3-G3-B
料号：E7-105
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DZ3X068D0L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ3X068D0L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ3X068D0L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ3X068D0L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMBZ5258BS-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 36V SOT363
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:700nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:-
替代：
1阵列配置1：-
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：-
3精度（%）3：-
4最大功率(W)4 ：-
5最大阻抗值（Zzt）5：-
6工作温度：-
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-106
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBZ5258BS-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5258BS-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5258BS-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5258BS-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMBZ5254BS-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 27V SOT363
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:700nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:-
替代：
1阵列配置1：-
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：-
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4最大功率(W)4 ：-
5最大阻抗值（Zzt）5：-
6工作温度：-
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-107
包装： 卷盘
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合作现货:0
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型号： MMBZ5251BS-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 22V SOT363
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:700nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:-
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1阵列配置1：-
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：-
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4最大功率(W)4 ：-
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6工作温度：-
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-108
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBZ5251BS-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： MMBZ5243BS-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 13V SOT363
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:700nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:-
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1阵列配置1：-
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：-
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4最大功率(W)4 ：-
5最大阻抗值（Zzt）5：-
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外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-109
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBZ5243BS-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5243BS-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MMBZ5242BS-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 12V SOT363
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:700nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:-
替代：
1阵列配置1：-
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：-
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外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-110
包装： 卷盘
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海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMBZ5239BS-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 9.1V SOT363
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:700nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:-
替代：
1阵列配置1：-
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：-
3精度（%）3：-
4最大功率(W)4 ：-
5最大阻抗值（Zzt）5：-
6工作温度：-
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-111
包装： 卷盘
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： MMBZ5228BS-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 3.9V SOT363
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:700nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:-
替代：
1阵列配置1：-
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：-
3精度（%）3：-
4最大功率(W)4 ：-
5最大阻抗值（Zzt）5：-
6工作温度：-
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-112
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBZ5228BS-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5228BS-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5228BS-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5228BS-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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个
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMBZ5226BS-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 3.3V SOT363
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:700nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:-
替代：
1阵列配置1：-
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：-
3精度（%）3：-
4最大功率(W)4 ：-
5最大阻抗值（Zzt）5：-
6工作温度：-
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-113
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBZ5226BS-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5226BS-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5226BS-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5226BS-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BZX84C9V1S-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 9.1V SOT363
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:700nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:-
替代：
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3精度（%）3：-
4最大功率(W)4 ：-
5最大阻抗值（Zzt）5：-
6工作温度：-
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-114
包装： 卷盘
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： CMSZDA11V TR PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： DIODE ZENER 11V 275MW SOT323
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:700nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:11V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100µA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：11V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：275mW
5最大阻抗值（Zzt）5：20 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：E7-1247
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMSZDA11V TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSZDA11V TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BZX84C22S-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 22V SOT363
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:700nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:11V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100µA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:-
替代：
1阵列配置1：-
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：-
3精度（%）3：-
4最大功率(W)4 ：-
5最大阻抗值（Zzt）5：-
6工作温度：-
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-115
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZX84C22S-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： DZ23C36-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 36V SOT23-3
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:700nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:11V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100µA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:-
替代：
1阵列配置1：-
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6工作温度：-
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E7-116
包装： 卷盘
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C36-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： DZ23C11-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 11V SOT23-3
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:700nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:11V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100µA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:-
替代：
1阵列配置1：-
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：-
3精度（%）3：-
4最大功率(W)4 ：-
5最大阻抗值（Zzt）5：-
6工作温度：-
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E7-117
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DZ23C11-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C11-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C11-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C11-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： CMPZDA12V TR PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 12.05V SOT23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:700nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:11V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100µA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12.05V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :350mW *5最大阻抗值（Zzt）5:250 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：12.05V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：350mW
5最大阻抗值（Zzt）5：250 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：E7-1246
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMPZDA12V TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMPZDA12V TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMPZDA12V TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： DZ23C43-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 43V SOT23-3
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:700nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10mA *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:11V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:20 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100µA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12.05V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :350mW *5最大阻抗值（Zzt）5:250 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:-
替代：
1阵列配置1：-
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：-
3精度（%）3：-
4最大功率(W)4 ：-
5最大阻抗值（Zzt）5：-
6工作温度：-
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E7-118
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DZ23C43-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C43-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C43-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C43-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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