首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 单路稳压二极管（齐纳/TVS/ESD)
元器件型号：1397 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： AZ23C13 RFG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 13V SOT23
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 10V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 10V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：13V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：25 Ohms
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：E7-1215
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C13 RFG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态： 在售
型号： AZ23C15 RFG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 15V SOT23
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 10V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 10V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:15V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 11V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 11V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：15V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：30 Ohms
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：E7-1216
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C15 RFG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C15 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： AZ23C16 RFG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 16V SOT23
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 10V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 10V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:15V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 11V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 11V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 12V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：16V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：40 Ohms
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：E7-1217
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C16 RFG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C16 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C16 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C16 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： AZ23C18 RFG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 18V SOT23
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 10V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 10V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:15V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 11V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 11V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 12V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 14V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：18V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：50 Ohms
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：E7-1218
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C18 RFG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C18 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C18 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C18 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： AZ23C20 RFG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 20V SOT23
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 10V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 10V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:15V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 11V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 11V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 12V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 14V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 15V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 15V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：20V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：50 Ohms
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：E7-1219
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C20 RFG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C20 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C20 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C20 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AZ23C22 RFG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 22V SOT23
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 10V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 10V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:15V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 11V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 11V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 12V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 14V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 15V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 15V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 17V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 17V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：22V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：55 Ohms
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：E7-1220
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C22 RFG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C22 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C22 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C22 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AZ23C24 RFG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 24V SOT23
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 10V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 10V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:15V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 11V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 11V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 12V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 14V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 15V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 15V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 17V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 17V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 18V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 18V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：24V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：80 Ohms
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：E7-1221
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C24 RFG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C24 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： AZ23C27 RFG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 27V SOT23
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 10V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 10V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:15V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 11V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 11V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 12V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 14V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 15V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 15V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 17V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 17V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 18V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 18V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 20V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 20V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：27V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：80 Ohms
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：E7-1222
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C27 RFG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C27 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C27 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C27 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： AZ23C2V7 RFG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 2.7V SOT23
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 10V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 10V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:15V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 11V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 11V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 12V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 14V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 15V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 15V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 17V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 17V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 18V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 18V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 20V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 20V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.7V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:83 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:83 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:83 Ohms *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：2.7V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：83 Ohms
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：E7-1223
包装： 卷盘
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C2V7 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AZ23C30 RFG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 30V SOT23
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 10V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 10V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:15V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 11V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 11V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 12V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 14V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 15V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 15V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 17V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 17V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 18V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 18V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 20V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 20V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.7V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:83 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:83 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:83 Ohms *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:30V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 22.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 22.5V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：30V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：80 Ohms
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：E7-1224
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C30 RFG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： AZ23C33 RFG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 33V SOT23
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 10V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 10V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:15V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 11V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 11V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 12V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 14V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 15V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 15V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 17V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 17V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 18V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 18V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 20V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 20V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.7V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:83 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:83 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:83 Ohms *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:30V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 22.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 22.5V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 25V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 25V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
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1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：33V
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6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：E7-1225
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C33 RFG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： AZ23C36 RFG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 36V SOT23
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 10V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 10V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:15V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 11V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 11V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 12V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 14V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 15V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 15V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 17V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 17V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 18V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 18V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 20V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 20V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.7V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:83 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:83 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:83 Ohms *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:30V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 22.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 22.5V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 25V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 25V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 27V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：36V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：90 Ohms
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：E7-1226
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C36 RFG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
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品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 39V SOT23
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 10V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 10V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:15V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 11V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 11V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 12V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 14V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 15V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 15V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 17V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 17V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 18V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 18V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 20V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 20V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.7V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:83 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:83 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:83 Ohms *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:30V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 22.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 22.5V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 25V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 25V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 27V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 29V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 29V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：39V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：90 Ohms
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：E7-1227
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C39 RFG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C39 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C39 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： AZ23C3V0 RFG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 3V SOT23
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 10V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 10V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:15V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 11V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 11V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 12V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 14V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 15V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 15V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 17V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 17V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 18V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 18V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 20V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 20V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.7V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:83 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:83 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:83 Ohms *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:30V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 22.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 22.5V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 25V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 25V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 27V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 29V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 29V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：3V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：95 Ohms
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：E7-1228
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C3V0 RFG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C3V0 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C3V0 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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海外现货:0
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个
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AZ23C3V3 RFG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 3.3V SOT23
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 10V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 10V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:15V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 11V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 11V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 12V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 14V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 15V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 15V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 17V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 17V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 18V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 18V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 20V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 20V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.7V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:83 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:83 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:83 Ohms *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:30V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 22.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 22.5V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 25V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 25V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 27V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 29V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 29V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：3.3V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：95 Ohms
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：E7-1229
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C3V3 RFG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C3V3 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C3V3 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： AZ23C3V6 RFG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 3.6V SOT23
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 10V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 10V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:15V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 11V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 11V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 12V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 14V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 15V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 15V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 17V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 17V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 18V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 18V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 20V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 20V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.7V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:83 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:83 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:83 Ohms *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:30V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 22.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 22.5V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 25V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 25V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 27V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 29V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 29V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：3.6V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：95 Ohms
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：E7-1230
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C3V6 RFG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C3V6 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C3V6 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C3V6 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AZ23C3V9 RFG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 3.9V SOT23
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 10V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 10V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:15V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 11V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 11V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 12V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 14V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 15V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 15V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 17V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 17V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 18V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 18V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 20V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 20V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.7V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:83 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:83 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:83 Ohms *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:30V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 22.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 22.5V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 25V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 25V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 27V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 29V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 29V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.9V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：3.9V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：95 Ohms
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：E7-1231
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C3V9 RFG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C3V9 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C3V9 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C3V9 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： AZ23C43 RFG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 43V SOT23
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 10V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 10V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:15V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 11V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 11V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 12V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 14V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 15V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 15V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 17V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 17V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 18V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 18V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 20V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 20V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.7V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:83 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:83 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:83 Ohms *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:30V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 22.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 22.5V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 25V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 25V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 27V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 29V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 29V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.9V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:95 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:95 Ohms *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:43V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 32V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 32V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：43V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：100 Ohms
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：E7-1232
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C43 RFG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C43 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C43 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C43 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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个
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AZ23C47 RFG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 47V SOT23
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 10V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 10V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:15V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 11V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 11V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 12V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - 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替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：47V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：100 Ohms
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：E7-1233
包装： 卷盘
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： AZ23C4V3 RFG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 4.3V SOT23
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 10V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 10V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:15V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 11V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 11V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 12V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:50 Ohms Current - 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替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：4.3V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：95 Ohms
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：E7-1234
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C4V3 RFG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C4V3 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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