首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 单路稳压二极管（齐纳/TVS/ESD)
元器件型号：1397 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： AZ23C4V7 RFG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 4.7V SOT23
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:78 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:78 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:78 Ohms *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：4.7V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：78 Ohms
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：E7-1235
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C4V7 RFG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C4V7 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C4V7 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C4V7 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： AZ23C51 RFG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 51V SOT23
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:78 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:78 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:78 Ohms *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:51V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 38V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：51V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：100 Ohms
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：E7-1236
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C51 RFG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C51 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： AZ23C5V1 RFG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 5.1V SOT23
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:78 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:78 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:78 Ohms *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:51V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 38V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 800mV 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 800mV *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：5.1V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：60 Ohms
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：E7-1237
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C5V1 RFG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C5V1 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C5V1 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C5V1 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： AZ23C5V6 RFG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 5.6V SOT23
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:78 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:78 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:78 Ohms *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:51V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 38V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 800mV 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 800mV *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 1V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：5.6V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：40 Ohms
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：E7-1238
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C5V6 RFG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C5V6 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C5V6 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C5V6 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： AZ23C6V2 RFG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 6.2V SOT23
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:78 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:78 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:78 Ohms *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:51V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 38V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 800mV 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 800mV *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 1V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 2V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：6.2V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：10 Ohms
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：E7-1239
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C6V2 RFG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C6V2 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C6V2 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C6V2 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AZ23C6V8 RFG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 6.8V SOT23
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:78 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:78 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:78 Ohms *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:51V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 38V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 800mV 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 800mV *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 1V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 2V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 3V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：6.8V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：8 Ohms
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：E7-1240
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C6V8 RFG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C6V8 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C6V8 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C6V8 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： AZ23C7V5 RFG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 7.5V SOT23
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:78 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:78 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:78 Ohms *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:51V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 38V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 800mV 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 800mV *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 1V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 2V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 3V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 5V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：7.5V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：7 Ohms
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：E7-1241
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C7V5 RFG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C7V5 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C7V5 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C7V5 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： AZ23C8V2 RFG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 8.2V SOT23
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:78 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:78 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:78 Ohms *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:51V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 38V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 800mV 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 800mV *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 1V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 2V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 3V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 5V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 6V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：8.2V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：7 Ohms
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：E7-1242
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C8V2 RFG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C8V2 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C8V2 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C8V2 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： AZ23C9V1 RFG
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 9.1V SOT23
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:78 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:78 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:78 Ohms *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:51V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 38V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 800mV 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 800mV *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 1V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 2V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 3V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 5V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 6V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 7V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：9.1V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：10 Ohms
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：E7-1243
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C9V1 RFG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C9V1 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C9V1 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C9V1 RFG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DZ23C39-TP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： DIODE ZENER ARRAY 39V SOT23
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:78 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:78 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:78 Ohms *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:51V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 38V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 800mV 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 800mV *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 1V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 2V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 3V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 5V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 6V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 7V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :30mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 29V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 29V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阴极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：39V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：30mW
5最大阻抗值（Zzt）5：90 Ohms
6工作温度：-
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：E7-1244
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DZ23C39-TP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MCC/美微科' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C39-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C39-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZ23C39-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： UMZ8.2TFHT106
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： ZENER ARRAYS FOR TERMINAL PROTEC
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:78 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:78 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:78 Ohms *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:51V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 38V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 800mV 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 800mV *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 1V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 2V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 3V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 5V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 6V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 7V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :30mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 29V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 29V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5.37% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500nA @ 5V *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阴极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：8.2V
3精度（%）3：±5.37%
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：30 Ohms
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SC-70，SOT-323
封装：UMD3
料号：E7-1245
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UMZ8.2TFHT106' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMZ8.2TFHT106' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMZ8.2TFHT106' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMZ8.2TFHT106' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： CMSZDA33V TR PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： DIODE ZENER 33V 275MW SOT323
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:78 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:78 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:78 Ohms *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:51V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 38V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 800mV 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 800mV *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 1V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 2V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 3V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 5V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 6V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 7V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :30mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 29V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 29V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5.37% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500nA @ 5V *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 23.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：33V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：275mW
5最大阻抗值（Zzt）5：80 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 175°C
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：E7-1249
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMSZDA33V TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSZDA33V TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSZDA33V TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSZDA33V TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： CMSZDA9V1 TR PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： DIODE ZENER 9.1V 275MW SOT323
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:78 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:78 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:78 Ohms *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:51V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 38V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 800mV 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 800mV *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 1V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 2V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 3V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 5V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 6V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 7V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :30mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 29V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 29V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5.37% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500nA @ 5V *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 23.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：9.1V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：275mW
5最大阻抗值（Zzt）5：15 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：E7-1250
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMSZDA9V1 TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSZDA9V1 TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSZDA9V1 TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSZDA9V1 TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： CMSZDA20V TR PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： DIODE ZENER 20V 275MW SOT323
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:78 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:78 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:78 Ohms *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:51V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 38V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 800mV 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 800mV *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 1V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 2V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 3V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 5V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 6V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 7V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :30mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 29V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 29V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5.37% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500nA @ 5V *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 23.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：20V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：275mW
5最大阻抗值（Zzt）5：55 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：E7-1251
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMSZDA20V TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSZDA20V TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSZDA20V TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSZDA20V TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BZB84-B16VL
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： BZB84-B16/SOT23/TO-236AB
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:78 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:78 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:78 Ohms *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:51V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 38V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 800mV 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 800mV *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 1V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 2V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 3V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 5V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 6V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 7V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :30mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 29V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 29V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5.37% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500nA @ 5V *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 23.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±2% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：16V
3精度（%）3：±2%
4最大功率(W)4 ：300mW
5最大阻抗值（Zzt）5：40 Ohms
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：TO-236AB
料号：E7-1252
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BZB84-B16VL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZB84-B16VL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BZB84-B16VL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： CMSZDA5V1 TR PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： DIODE ZENER 5.1V 275MW SOT323
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:78 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:78 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:78 Ohms *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:51V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 38V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 800mV 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 800mV *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 1V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 2V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 3V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 5V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 6V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 7V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :30mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 29V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 29V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5.37% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500nA @ 5V *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 23.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±2% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：5.1V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：275mW
5最大阻抗值（Zzt）5：60 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 175°C
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：E7-1253
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMSZDA5V1 TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSZDA5V1 TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSZDA5V1 TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSZDA5V1 TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： CMPZDA24V TR PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY 24.2V SOT23
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:78 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:78 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:78 Ohms *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:51V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 38V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 800mV 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 800mV *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 1V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 2V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 3V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 5V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 6V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 7V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :30mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 29V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 29V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5.37% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500nA @ 5V *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 23.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±2% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24.2V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :350mW *5最大阻抗值（Zzt）5:70 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 16.8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：24.2V
3精度（%）3：-
4最大功率(W)4 ：350mW
5最大阻抗值（Zzt）5：70 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 175°C
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：E7-1254
包装： 卷盘
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合作现货:0
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型号： STZ5.6NFHT146
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： ZENER ARRAYS FOR TERMINAL PROTEC
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:78 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:78 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:78 Ohms *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:51V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 38V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 800mV 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 800mV *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 1V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 2V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 3V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 5V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 6V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 7V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :30mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 29V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 29V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5.37% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500nA @ 5V *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 23.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±2% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24.2V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :350mW *5最大阻抗值（Zzt）5:70 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 16.8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5.45% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1µA @ 2.5V *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：5.6V
3精度（%）3：±5.45%
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：60 Ohms
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SMD3
料号：E7-1255
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STZ5.6NFHT146' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STZ5.6NFHT146' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STZ5.6NFHT146' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STZ5.6NFHT146' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： UMZ5.1NFHT106
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： ZENER ARRAYS FOR TERMINAL PROTEC
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:78 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:78 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:78 Ohms *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:51V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 38V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 800mV 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 800mV *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 1V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 2V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 3V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 5V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 6V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 7V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :30mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 29V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 29V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5.37% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500nA @ 5V *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 23.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±2% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24.2V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :350mW *5最大阻抗值（Zzt）5:70 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 16.8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5.45% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1µA @ 2.5V *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度（%）3:±5.19% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:200mW Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 1.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2µA @ 1.5V *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：5.1V
3精度（%）3：±5.19%
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：200mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SC-70，SOT-323
封装：UMD3
料号：E7-1256
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UMZ5.1NFHT106' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMZ5.1NFHT106' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMZ5.1NFHT106' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMZ5.1NFHT106' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： CMSZDA8V2 TR PBFREE
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： DIODE ZENER 8.2V 275MW SOT323
参数： 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:78 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:78 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:78 Ohms *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:51V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:100 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 38V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 38V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 800mV 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 800mV *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 1V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 2V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 3V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 5V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 6V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 7V *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :30mW *5最大阻抗值（Zzt）5:90 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 29V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100nA @ 29V *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阴极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5.37% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500nA @ 5V *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 23.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:55 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度（%）3:±2% *4最大功率(W)4 :300mW *5最大阻抗值（Zzt）5:40 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24.2V *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :350mW *5最大阻抗值（Zzt）5:70 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 16.8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5.45% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:60 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 2.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1µA @ 2.5V *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度（%）3:±5.19% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:200mW Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 1.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2µA @ 1.5V *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:1 对共阳极 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :275mW *5最大阻抗值（Zzt）5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:700nA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：1 对共阳极
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：8.2V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：275mW
5最大阻抗值（Zzt）5：15 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：E7-1258
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMSZDA8V2 TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSZDA8V2 TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSZDA8V2 TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSZDA8V2 TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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