首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 单路稳压二极管（齐纳/TVS/ESD)
元器件型号：1397 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： AZ23C22-7-G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY SOT323
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:-
替代：
1阵列配置1：-
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：-
3精度（%）3：-
4最大功率(W)4 ：-
5最大阻抗值（Zzt）5：-
6工作温度：-
外壳：-
封装：-
料号：E7-1281
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C22-7-G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： AZ23C24-7-G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY SOT323
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4最大功率(W)4 ：-
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6工作温度：-
外壳：-
封装：-
料号：E7-1282
包装： 卷盘
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型号： AZ23C27-7-G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY SOT323
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6工作温度：-
外壳：-
封装：-
料号：E7-1283
包装： 卷盘
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品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY SOT323
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:-
替代：
1阵列配置1：-
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：-
3精度（%）3：-
4最大功率(W)4 ：-
5最大阻抗值（Zzt）5：-
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外壳：-
封装：-
料号：E7-1284
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C2V7-7-G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： AZ23C30-7-G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY SOT323
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:-
替代：
1阵列配置1：-
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：-
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4最大功率(W)4 ：-
5最大阻抗值（Zzt）5：-
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外壳：-
封装：-
料号：E7-1285
包装： 卷盘
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型号： AZ23C33-7-G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY SOT323
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:-
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1阵列配置1：-
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：-
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4最大功率(W)4 ：-
5最大阻抗值（Zzt）5：-
6工作温度：-
外壳：-
封装：-
料号：E7-1286
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C33-7-G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C33-7-G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C33-7-G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： AZ23C36-7-G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY SOT323
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:-
替代：
1阵列配置1：-
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：-
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4最大功率(W)4 ：-
5最大阻抗值（Zzt）5：-
6工作温度：-
外壳：-
封装：-
料号：E7-1287
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C36-7-G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C36-7-G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AZ23C36-7-G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER ARRAY SOT323
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封装：-
料号：E7-1288
包装： 卷盘
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品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
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1阵列配置1：-
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：-
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4最大功率(W)4 ：-
5最大阻抗值（Zzt）5：-
6工作温度：-
外壳：-
封装：-
料号：E7-1290
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AZ23C3V3-7-G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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1阵列配置1：-
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型号： MMBZ5226BTS-7-G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER SOT523
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封装：-
料号：E7-1292
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型号： MMBZ5232BTS-7-G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER SOT523
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料号：E7-1293
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型号： MMBZ5245BTS-7-G
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替代：
1阵列配置1：-
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：-
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5245BTS-7-G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ5245BTS-7-G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER SOT523
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6工作温度：-
外壳：-
封装：-
料号：E7-1295
包装： 卷盘
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品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER SOT363
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1阵列配置1：-
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：-
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4最大功率(W)4 ：-
5最大阻抗值（Zzt）5：-
6工作温度：-
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包装： 卷盘
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1阵列配置1：-
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包装： 卷盘
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品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER SOT363
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:-
替代：
1阵列配置1：-
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4最大功率(W)4 ：-
5最大阻抗值（Zzt）5：-
6工作温度：-
外壳：-
封装：-
料号：E7-1298
包装： 卷盘
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型号： QZX363C15-7-G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER SOT363
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替代：
1阵列配置1：-
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：-
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4最大功率(W)4 ：-
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封装：-
料号：E7-1299
包装： 卷盘
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型号： QZX363C20-7-F-79
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER SOT363
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:-
替代：
1阵列配置1：-
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：-
3精度（%）3：-
4最大功率(W)4 ：-
5最大阻抗值（Zzt）5：-
6工作温度：-
外壳：-
封装：-
料号：E7-1300
包装： 卷盘
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
个
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