首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 单路稳压二极管（齐纳/TVS/ESD)
元器件型号：1397 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： QZX363C20-7-G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER SOT363
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:-
替代：
1阵列配置1：-
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：-
3精度（%）3：-
4最大功率(W)4 ：-
5最大阻抗值（Zzt）5：-
6工作温度：-
外壳：-
封装：-
料号：E7-1301
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'QZX363C20-7-G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： QZX363C5V6-7-F-79
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER SOT363
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:-
替代：
1阵列配置1：-
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：-
3精度（%）3：-
4最大功率(W)4 ：-
5最大阻抗值（Zzt）5：-
6工作温度：-
外壳：-
封装：-
料号：E7-1302
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'QZX363C5V6-7-F-79' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： QZX363C5V6-7-G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER SOT363
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:-
替代：
1阵列配置1：-
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：-
3精度（%）3：-
4最大功率(W)4 ：-
5最大阻抗值（Zzt）5：-
6工作温度：-
外壳：-
封装：-
料号：E7-1303
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'QZX363C5V6-7-G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'QZX363C5V6-7-G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'QZX363C5V6-7-G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'QZX363C5V6-7-G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： QZX363C6V8-7-F-79
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER SOT363
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:-
替代：
1阵列配置1：-
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：-
3精度（%）3：-
4最大功率(W)4 ：-
5最大阻抗值（Zzt）5：-
6工作温度：-
外壳：-
封装：-
料号：E7-1304
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'QZX363C6V8-7-F-79' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'QZX363C6V8-7-F-79' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'QZX363C6V8-7-F-79' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： QZX363C6V8-7-G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ZENER SOT363
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:-
替代：
1阵列配置1：-
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：-
3精度（%）3：-
4最大功率(W)4 ：-
5最大阻抗值（Zzt）5：-
6工作温度：-
外壳：-
封装：-
料号：E7-1305
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'QZX363C6V8-7-G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'QZX363C6V8-7-G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'QZX363C6V8-7-G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'QZX363C6V8-7-G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： CMXZ39VTO TR
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： DIODE-ZENER TRIPLE: OPPOSING
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :350mW *5最大阻抗值（Zzt）5:130 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 27.3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：3 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：39V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：350mW
5最大阻抗值（Zzt）5：130 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-23-6
封装：SOT-26
料号：E7-1306
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMXZ39VTO TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMXZ39VTO TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMXZ39VTO TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMXZ39VTO TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： CMXZ39VTO BK
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： DIODE ZENER SOT-26
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :350mW *5最大阻抗值（Zzt）5:130 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 27.3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :350mW *5最大阻抗值（Zzt）5:130 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 27.3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：3 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：39V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：350mW
5最大阻抗值（Zzt）5：130 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOT-23-6
封装：SOT-26
料号：E7-1307
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMXZ39VTO BK' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMXZ39VTO BK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMXZ39VTO BK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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封装：SOT-363
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参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :350mW *5最大阻抗值（Zzt）5:130 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 27.3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :350mW *5最大阻抗值（Zzt）5:130 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 27.3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.4V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.7V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:75µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
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品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： DIODE ZENER TRPL ISO SOT-363
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :350mW *5最大阻抗值（Zzt）5:130 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 27.3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :350mW *5最大阻抗值（Zzt）5:130 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 27.3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.4V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.7V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:75µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:75µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
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外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-1311
包装： 卷盘
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品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
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料号：E7-1314
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMKZ5227B BK' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： CMKZ5228B BK
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： DIODE ZENER TRPL ISO SOT-363
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :350mW *5最大阻抗值（Zzt）5:130 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 27.3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :350mW *5最大阻抗值（Zzt）5:130 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 27.3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.4V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.7V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:75µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:75µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:29 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:28 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:25µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:24 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:15µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.9V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:23 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:10µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：3 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：3.9V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：200mW
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6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-1315
包装： 卷盘
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMKZ5228B BK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMKZ5228B BK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： CMKZ5229B BK
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： DIODE ZENER TRPL ISO SOT-363
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :350mW *5最大阻抗值（Zzt）5:130 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 27.3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :350mW *5最大阻抗值（Zzt）5:130 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 27.3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.4V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.7V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:75µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:75µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:29 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:28 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:25µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:24 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:15µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.9V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:23 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:10µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.3V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:22 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：3 个独立式
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6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMKZ5229B BK' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： CMKZ5230B BK
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： DIODE ZENER TRPL ISO SOT-363
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :350mW *5最大阻抗值（Zzt）5:130 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 27.3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :350mW *5最大阻抗值（Zzt）5:130 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 27.3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.4V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.7V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:75µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:75µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:29 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:28 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:25µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:24 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:15µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.9V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:23 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:10µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.3V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:22 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:19 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：3 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：4.7V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：19 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-1317
包装： 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMKZ5230B BK' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： CMKZ5231B BK
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： DIODE ZENER TRPL ISO SOT-363
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :350mW *5最大阻抗值（Zzt）5:130 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 27.3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :350mW *5最大阻抗值（Zzt）5:130 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 27.3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.4V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.7V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:75µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:75µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:29 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:28 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:25µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:24 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:15µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.9V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:23 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:10µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.3V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:22 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:19 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：3 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：5.1V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：17 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-1318
包装： 卷盘
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMKZ5231B BK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMKZ5231B BK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMKZ5231B BK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： CMKZ5232B BK
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： DIODE ZENER TRPL ISO SOT-363
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:- *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- *3精度（%）3:- *4最大功率(W)4 :- *5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :350mW *5最大阻抗值（Zzt）5:130 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 27.3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :350mW *5最大阻抗值（Zzt）5:130 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50nA @ 27.3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.4V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.5V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.7V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:75µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:2.8V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:75µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:29 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:50µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.3V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:28 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:25µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:24 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:15µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:3.9V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:23 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:10µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.3V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:22 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:4.7V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:19 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.1V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 2V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:5.6V *3精度（%）3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值（Zzt）5:11 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:5µA @ 3V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
1阵列配置1：3 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：5.6V
3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：11 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-1319
包装： 卷盘
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： CMKZ5233B BK
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： DIODE ZENER TRPL ISO SOT-363
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替代：
1阵列配置1：3 个独立式
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3精度（%）3：±5%
4最大功率(W)4 ：200mW
5最大阻抗值（Zzt）5：7 Ohms
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E7-1320
包装： 卷盘
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