元器件型号:1397
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型号: CMKZ5234B BK
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ZENER TRPL ISO SOT-363
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
1阵列配置1:3 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V
3精度(%)3:±5%
4最大功率(W)4 :200mW
5最大阻抗值(Zzt)5:7 Ohms
6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E7-1321
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMKZ5234B BK' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号: CMKZ5235B BK
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ZENER TRPL ISO SOT-363
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:5 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
1阵列配置1:3 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V
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4最大功率(W)4 :200mW
5最大阻抗值(Zzt)5:5 Ohms
6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E7-1322
包装: 卷盘
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型号: CMKZ5236B BK
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ZENER TRPL ISO SOT-363
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:5 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:6 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
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2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V
3精度(%)3:±5%
4最大功率(W)4 :200mW
5最大阻抗值(Zzt)5:6 Ohms
6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E7-1323
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMKZ5236B BK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMKZ5236B BK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
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参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:5 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:6 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 6.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
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1阵列配置1:3 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V
3精度(%)3:±5%
4最大功率(W)4 :200mW
5最大阻抗值(Zzt)5:8 Ohms
6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E7-1324
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型号: CMKZ5238B BK
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ZENER TRPL ISO SOT-363
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:5 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:6 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 6.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.7V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 6.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
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1阵列配置1:3 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.7V
3精度(%)3:±5%
4最大功率(W)4 :200mW
5最大阻抗值(Zzt)5:8 Ohms
6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E7-1325
包装: 卷盘
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型号: CMKZ5239B BK
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ZENER TRPL ISO SOT-363
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:5 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:6 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 6.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.7V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 6.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
1阵列配置1:3 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V
3精度(%)3:±5%
4最大功率(W)4 :200mW
5最大阻抗值(Zzt)5:10 Ohms
6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E7-1326
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMKZ5239B BK' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMKZ5239B BK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMKZ5239B BK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号: CMKZ5240B BK
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ZENER TRPL ISO SOT-363
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:5 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:6 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 6.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.7V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 6.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
1阵列配置1:3 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V
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4最大功率(W)4 :200mW
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6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E7-1327
包装: 卷盘
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合作现货:0
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型号: CMKZ5241B BK
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ZENER TRPL ISO SOT-363
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替代:
1阵列配置1:3 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:11V
3精度(%)3:±5%
4最大功率(W)4 :200mW
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外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E7-1328
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMKZ5241B BK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ZENER TRPL ISO SOT-363
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:5 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:6 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 6.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.7V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 6.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:11V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:22 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 8.4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 9.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
1阵列配置1:3 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V
3精度(%)3:±5%
4最大功率(W)4 :200mW
5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms
6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E7-1329
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMKZ5242B BK' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMKZ5242B BK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMKZ5242B BK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMKZ5242B BK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ZENER TRPL ISO SOT-363
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:5 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:6 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 6.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.7V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 6.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:11V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:22 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 8.4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 9.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:13 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 9.9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
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2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V
3精度(%)3:±5%
4最大功率(W)4 :200mW
5最大阻抗值(Zzt)5:13 Ohms
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外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E7-1330
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型号: CMKZ5244B BK
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ZENER TRPL ISO SOT-363
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:5 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:6 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 6.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.7V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 6.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:11V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:22 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 8.4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 9.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:13 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 9.9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:14V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 10V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMKZ5246B BK' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号: CMKZ5247B BK
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ZENER TRPL ISO SOT-363
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:5 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:6 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 6.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.7V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 6.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:11V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:22 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 8.4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 9.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:13 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 9.9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:14V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 10V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:15V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:16 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 11V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:17V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:19 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 13V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
1阵列配置1:3 个独立式
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3精度(%)3:±5%
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6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E7-1334
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMKZ5247B BK' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMKZ5247B BK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMKZ5247B BK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMKZ5247B BK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: CMKZ5248B BK
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ZENER TRPL ISO SOT-363
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:5 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:6 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 6.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.7V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 6.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:11V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:22 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 8.4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 9.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:13 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 9.9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:14V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 10V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:15V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:16 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 11V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:17V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:19 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 13V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:21 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
1阵列配置1:3 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V
3精度(%)3:±5%
4最大功率(W)4 :200mW
5最大阻抗值(Zzt)5:21 Ohms
6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E7-1335
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMKZ5248B BK' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMKZ5248B BK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMKZ5248B BK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMKZ5248B BK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: CMKZ5249B BK
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ZENER TRPL ISO SOT-363
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:5 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:6 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 6.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.7V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 6.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:11V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:22 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 8.4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 9.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:13 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 9.9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:14V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 10V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:15V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:16 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 11V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:17V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:19 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 13V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:21 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:19V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:23 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
1阵列配置1:3 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:19V
3精度(%)3:±5%
4最大功率(W)4 :200mW
5最大阻抗值(Zzt)5:23 Ohms
6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E7-1336
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMKZ5249B BK' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMKZ5249B BK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMKZ5249B BK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态: 在售
型号: CMKZ5250B BK
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ZENER TRPL ISO SOT-363
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:5 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:6 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 6.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.7V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 6.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:11V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:22 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 8.4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 9.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:13 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 9.9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:14V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 10V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:15V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:16 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 11V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:17V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:19 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 13V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:21 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:19V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:23 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 15V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
1阵列配置1:3 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V
3精度(%)3:±5%
4最大功率(W)4 :200mW
5最大阻抗值(Zzt)5:25 Ohms
6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E7-1337
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMKZ5250B BK' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: CMKZ5251B BK
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ZENER TRPL ISO SOT-363
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:5 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:6 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 6.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.7V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 6.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:11V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:22 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 8.4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 9.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:13 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 9.9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:14V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 10V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:15V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:16 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 11V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:17V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:19 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 13V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:21 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:19V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:23 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 15V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:29 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 17V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
1阵列配置1:3 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V
3精度(%)3:±5%
4最大功率(W)4 :200mW
5最大阻抗值(Zzt)5:29 Ohms
6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E7-1338
包装: 卷盘
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合作现货:0
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型号: CMKZ5252B BK
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ZENER TRPL ISO SOT-363
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:5 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:6 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 6.5V 不同 Vr 时电流 - 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替代:
1阵列配置1:3 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V
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4最大功率(W)4 :200mW
5最大阻抗值(Zzt)5:33 Ohms
6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E7-1339
包装: 卷盘
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合作现货:0
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海外现货:0
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型号: CMKZ5253B BK
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ZENER TRPL ISO SOT-363
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.2V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:7 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:6.8V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:5 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:7.5V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:6 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 6V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.2V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 6.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:8.7V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:8 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 6.5V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:9.1V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:10 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 7V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:10V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:3µA @ 8V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:11V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:22 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:2µA @ 8.4V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:12V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:30 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:1µA @ 9.1V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:13V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:13 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:500nA @ 9.9V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:14V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:15 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 10V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:15V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:16 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 11V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:17V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:19 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 13V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:21 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:19V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:23 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 15V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:29 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 17V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:33 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 18V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1阵列配置1:3 个独立式 *2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:25V *3精度(%)3:±5% *4最大功率(W)4 :200mW *5最大阻抗值(Zzt)5:35 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 19V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向(vf):900mV @ 10mA *6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
1阵列配置1:3 个独立式
2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:25V
3精度(%)3:±5%
4最大功率(W)4 :200mW
5最大阻抗值(Zzt)5:35 Ohms
6工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E7-1340
包装: 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMKZ5253B BK' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMKZ5253B BK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMKZ5253B BK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMKZ5253B BK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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