二极管单路稳压二极管（齐纳/TVS/ESD)商品目录【辰科物联】

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元器件型号：1397 件

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	状态：在售型号： BZX84C4V7S-7-F-79 品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体描述： DIODE ZENER 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:- 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- 3精度（%）3:- 4最大功率(W)4 :- 5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- 6工作温度:- 安装类型:- 类别：稳压二极管-多路替代：	1阵列配置1：- 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：- 3精度（%）3：- 4最大功率(W)4 ：- 5最大阻抗值（Zzt）5：- 6工作温度：-	外壳：- 封装：- 料号：E7-1378 包装：卷盘		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
	状态：在售型号： CMKZ5248B TR 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： DIODE ZENER TRPL ISO SOT-363 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:- 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- 3精度（%）3:- 4最大功率(W)4 :- 5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- 6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:21 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：稳压二极管-多路替代：	1阵列配置1：3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：18V 3精度（%）3：±5% 4最大功率(W)4 ：200mW 5最大阻抗值（Zzt）5：21 Ohms 6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）	外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363 封装：SOT-363 料号：E7-1384 资料：规格书/封装库包装：卷盘		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
	状态：在售型号： CMKZ5246B TR 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： DIODE ZENER TRPL ISO SOT-363 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:- 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- 3精度（%）3:- 4最大功率(W)4 :- 5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- 6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:21 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：稳压二极管-多路替代：	1阵列配置1：3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：16V 3精度（%）3：±5% 4最大功率(W)4 ：200mW 5最大阻抗值（Zzt）5：17 Ohms 6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）	外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363 封装：SOT-363 料号：E7-1382 资料：规格书/封装库包装：卷盘		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
	状态：在售型号： CMKZ5249B TR 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： DIODE ZENER TRPL ISO SOT-363 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:- 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- 3精度（%）3:- 4最大功率(W)4 :- 5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- 6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:21 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:19V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:23 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：稳压二极管-多路替代：	1阵列配置1：3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：19V 3精度（%）3：±5% 4最大功率(W)4 ：200mW 5最大阻抗值（Zzt）5：23 Ohms 6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）	外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363 封装：SOT-363 料号：E7-1385 资料：规格书/封装库包装：卷盘		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
	状态：在售型号： CMKZ5250B TR 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： DIODE ZENER TRPL ISO SOT-363 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:- 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- 3精度（%）3:- 4最大功率(W)4 :- 5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- 6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:21 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:19V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:23 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 15V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：稳压二极管-多路替代：	1阵列配置1：3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：20V 3精度（%）3：±5% 4最大功率(W)4 ：200mW 5最大阻抗值（Zzt）5：25 Ohms 6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）	外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363 封装：SOT-363 料号：E7-1386 资料：规格书/封装库包装：卷盘		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
	状态：在售型号： CMKZ5251B TR 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： DIODE ZENER TRPL ISO SOT-363 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:- 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- 3精度（%）3:- 4最大功率(W)4 :- 5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- 6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:21 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:19V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:23 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 15V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:29 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 17V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：稳压二极管-多路替代：	1阵列配置1：3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：22V 3精度（%）3：±5% 4最大功率(W)4 ：200mW 5最大阻抗值（Zzt）5：29 Ohms 6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）	外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363 封装：SOT-363 料号：E7-1387 资料：规格书/封装库包装：卷盘		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
	状态：在售型号： CMKZ5252B TR 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： DIODE ZENER TRPL ISO SOT-363 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:- 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- 3精度（%）3:- 4最大功率(W)4 :- 5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- 6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:21 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:19V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:23 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 15V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:29 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 17V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:33 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 18V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：稳压二极管-多路替代：	1阵列配置1：3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：24V 3精度（%）3：±5% 4最大功率(W)4 ：200mW 5最大阻抗值（Zzt）5：33 Ohms 6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）	外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363 封装：SOT-363 料号：E7-1388 资料：规格书/封装库包装：卷盘		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
	状态：在售型号： CMKZ5253B TR 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： DIODE ZENER TRPL ISO SOT-363 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:- 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- 3精度（%）3:- 4最大功率(W)4 :- 5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- 6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:21 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:19V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:23 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 15V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:29 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 17V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:33 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 18V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:25V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:35 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 19V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：稳压二极管-多路替代：	1阵列配置1：3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：25V 3精度（%）3：±5% 4最大功率(W)4 ：200mW 5最大阻抗值（Zzt）5：35 Ohms 6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）	外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363 封装：SOT-363 料号：E7-1389 资料：规格书/封装库包装：卷盘		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
	状态：在售型号： CMKZ5254B TR 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： DIODE ZENER TRPL ISO SOT-363 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:- 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- 3精度（%）3:- 4最大功率(W)4 :- 5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- 6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:21 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:19V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:23 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 15V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:29 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 17V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:33 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 18V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:25V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:35 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 19V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:41 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 21V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：稳压二极管-多路替代：	1阵列配置1：3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：27V 3精度（%）3：±5% 4最大功率(W)4 ：200mW 5最大阻抗值（Zzt）5：41 Ohms 6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）	外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363 封装：SOT-363 料号：E7-1390 资料：规格书/封装库包装：卷盘		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
	状态：在售型号： CMKZ5255B TR 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： DIODE ZENER TRPL ISO SOT-363 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:- 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- 3精度（%）3:- 4最大功率(W)4 :- 5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- 6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:21 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:19V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:23 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 15V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:29 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 17V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:33 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 18V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:25V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:35 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 19V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:41 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 21V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:28V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:200mW Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 21V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：稳压二极管-多路替代：	1阵列配置1：3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：28V 3精度（%）3：±5% 4最大功率(W)4 ：200mW 5最大阻抗值（Zzt）5：200mW 6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）	外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363 封装：SOT-363 料号：E7-1391 资料：规格书/封装库包装：卷盘		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
	状态：在售型号： CMKZ5256B TR 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： DIODE ZENER TRPL ISO SOT-363 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:- 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- 3精度（%）3:- 4最大功率(W)4 :- 5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- 6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:21 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:19V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:23 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 15V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:29 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 17V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:33 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 18V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:25V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:35 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 19V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:41 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 21V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:28V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:200mW Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 21V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:30V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:49 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 23V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：稳压二极管-多路替代：	1阵列配置1：3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：30V 3精度（%）3：±5% 4最大功率(W)4 ：200mW 5最大阻抗值（Zzt）5：49 Ohms 6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）	外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363 封装：SOT-363 料号：E7-1392 资料：规格书/封装库包装：卷盘		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
	状态：在售型号： CMKZ5257B TR 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： DIODE ZENER TRPL ISO SOT-363 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:- 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- 3精度（%）3:- 4最大功率(W)4 :- 5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- 6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:21 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:19V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:23 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 15V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:29 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 17V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:33 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 18V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:25V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:35 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 19V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:41 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 21V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:28V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:200mW Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 21V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:30V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:49 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 23V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:58 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 25V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：稳压二极管-多路替代：	1阵列配置1：3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：33V 3精度（%）3：±5% 4最大功率(W)4 ：200mW 5最大阻抗值（Zzt）5：58 Ohms 6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）	外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363 封装：SOT-363 料号：E7-1393 资料：规格书/封装库包装：卷盘		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
	状态：在售型号： CMKZ5258B TR 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： DIODE ZENER TRPL ISO SOT-363 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:- 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- 3精度（%）3:- 4最大功率(W)4 :- 5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- 6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:21 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:19V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:23 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 15V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:29 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 17V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:33 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 18V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:25V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:35 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 19V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:41 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 21V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:28V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:200mW Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 21V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:30V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:49 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 23V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:58 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 25V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:70 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：稳压二极管-多路替代：	1阵列配置1：3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：36V 3精度（%）3：±5% 4最大功率(W)4 ：200mW 5最大阻抗值（Zzt）5：70 Ohms 6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）	外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363 封装：SOT-363 料号：E7-1394 资料：规格书/封装库包装：卷盘		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
	状态：在售型号： CMKZ5259B TR 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： DIODE ZENER TRPL ISO SOT-363 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:- 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- 3精度（%）3:- 4最大功率(W)4 :- 5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- 6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:21 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:19V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:23 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 15V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:29 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 17V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:33 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 18V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:25V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:35 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 19V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:41 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 21V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:28V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:200mW Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 21V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:30V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:49 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 23V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:58 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 25V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:70 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 30V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：稳压二极管-多路替代：	1阵列配置1：3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：39V 3精度（%）3：±5% 4最大功率(W)4 ：200mW 5最大阻抗值（Zzt）5：80 Ohms 6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）	外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363 封装：SOT-363 料号：E7-1395 资料：规格书/封装库包装：卷盘		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
	状态：在售型号： CMKZ5260B TR 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： DIODE ZENER TRPL ISO SOT-363 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:- 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- 3精度（%）3:- 4最大功率(W)4 :- 5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- 6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:21 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:19V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:23 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 15V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:29 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 17V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:33 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 18V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:25V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:35 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 19V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:41 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 21V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:28V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:200mW Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 21V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:30V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:49 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 23V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:58 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 25V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:70 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 30V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:43V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:200mW Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 33V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：稳压二极管-多路替代：	1阵列配置1：3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：43V 3精度（%）3：±5% 4最大功率(W)4 ：200mW 5最大阻抗值（Zzt）5：200mW 6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）	外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363 封装：SOT-363 料号：E7-1396 资料：规格书/封装库包装：卷盘		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
	状态：在售型号： CMKZ5261B TR 品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体描述： DIODE ZENER TRPL ISO SOT-363 参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:- 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- 3精度（%）3:- 4最大功率(W)4 :- 5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- 6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:21 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:19V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:23 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 15V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:29 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 17V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:33 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 18V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:25V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:35 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 19V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:41 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 21V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:28V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:200mW Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 21V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:30V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:49 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 23V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:58 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 25V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:70 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 30V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:43V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:200mW Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 33V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:47V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:200mW Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 36V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：稳压二极管-多路替代：	1阵列配置1：3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2：47V 3精度（%）3：±5% 4最大功率(W)4 ：200mW 5最大阻抗值（Zzt）5：200mW 6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）	外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363 封装：SOT-363 料号：E7-1397 资料：规格书/封装库包装：卷盘		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘
	状态：在售型号： TZT6V8CW 品牌： taitroncomponents 描述：参数：制造商统称:DIODES/美台制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:- 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:- 3精度（%）3:- 4最大功率(W)4 :- 5最大阻抗值（Zzt）5:- Current - Reverse Leakage @ Vr:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- 6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:18V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:21 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:16V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:17 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 12V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:19V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:23 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 14V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:20V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:25 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 15V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:22V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:29 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 17V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:24V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:33 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 18V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:25V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:35 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 19V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:27V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:41 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 21V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:28V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:200mW Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 21V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:30V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:49 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 23V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:33V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:58 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 25V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:36V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:70 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 27V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:39V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:80 Ohms Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 30V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:43V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:200mW Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 33V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1:3 个独立式 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2:47V 3精度（%）3:±5% 4最大功率(W)4 :200mW 5最大阻抗值（Zzt）5:200mW Current - Reverse Leakage @ Vr:100nA @ 36V 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10mA 6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装型制造商统称:未设定制造商统称:taitroncomponents 类目:未设替代选料:未设定 1阵列配置1: 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2: 3精度（%）3: 4最大功率(W)4 : 5最大阻抗值（Zzt）5: Current - Reverse Leakage @ Vr: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 6工作温度: 安装类型: 类别：稳压二极管-多路替代：	1阵列配置1： 2稳压电压/齐纳标称(Vz)2： 3精度（%）3： 4最大功率(W)4 ： 5最大阻抗值（Zzt）5： 6工作温度：	外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 封装：料号：E7-1398 包装：卷盘		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！自营现货:0 合作现货:0 海外现货:0 最小起订: 个咨询客服	当天可发货 2~5天可到达 1~2周可到达加入询盘

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