元器件型号:3387
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制造商统称

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电流 - DC 正向 (If)(最大值)

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 停产
型号: GL528V
品牌: SHARP/夏普 Sharp Microelectronics 夏普株式会社
描述: EMITTER IR 940NM 100MA T 1 3/4
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:12mW/sr @ 50mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:26° *2方向*2:顶视图
1类型1:红外(IR)
6电流-DC正向(If)(最大值)6:100mA
7不同If时最小辐射强度 (Ie)7:12mW/sr @ 50mA
5波长5:940nm
4电压-正向(Vf)(典型值)4:1.2V
3视角3:26°
2方向2:顶视图
8工作温度8:-25°C ~ 85°C(TA)
外壳:T 1 3/4
封装: -
料号:GDQJ4-1716
包装: -
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GL528V' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SHARP/夏普' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态: 停产
型号: GL100MD1MP1
品牌: SHARP/夏普 Sharp Microelectronics 夏普株式会社
描述: EMITTER IR 940NM 50MA SMD
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:12mW/sr @ 50mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:26° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:卷带(TR) 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:0.3mW/sr @ 20mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:160° *2方向*2:顶视图
1类型1:红外(IR)
6电流-DC正向(If)(最大值)6:50mA
7不同If时最小辐射强度 (Ie)7:0.3mW/sr @ 20mA
5波长5:940nm
4电压-正向(Vf)(典型值)4:1.2V
3视角3:160°
2方向2:顶视图
8工作温度8:-30°C ~ 85°C(TA)
外壳:2-SMD,无引线
封装: -
料号:GDQJ4-1717
包装: 卷带(TR)
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GL100MD1MP1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SHARP/夏普' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GL100MD1MP1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GL100MD1MP1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态: 停产
型号: GL100MD0MP1
品牌: SHARP/夏普 Sharp Microelectronics 夏普株式会社
描述: EMITTER IR 940NM 50MA SMD
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:12mW/sr @ 50mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:26° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:卷带(TR) 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:0.3mW/sr @ 20mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:160° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:卷带(TR) 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:160° *2方向*2:顶视图
1类型1:红外(IR)
6电流-DC正向(If)(最大值)6:50mA
7不同If时最小辐射强度 (Ie)7:-
5波长5:940nm
4电压-正向(Vf)(典型值)4:1.5V
3视角3:160°
2方向2:顶视图
8工作温度8:-30°C ~ 85°C(TA)
外壳:2-SMD,无引线
封装: -
料号:GDQJ4-1718
包装: 卷带(TR)
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GL100MD0MP1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SHARP/夏普' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GL100MD0MP1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GL100MD0MP1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GL100MD0MP1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 停产
型号: GL551
品牌: SHARP/夏普 Sharp Microelectronics 夏普株式会社
描述: EMITTER IR 880NM 100MA T 1 3/4
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:12mW/sr @ 50mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:26° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:卷带(TR) 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:0.3mW/sr @ 20mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:160° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:卷带(TR) 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:160° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:20° *2方向*2:顶视图
1类型1:红外(IR)
6电流-DC正向(If)(最大值)6:100mA
7不同If时最小辐射强度 (Ie)7:-
5波长5:880nm
4电压-正向(Vf)(典型值)4:1.5V
3视角3:20°
2方向2:顶视图
8工作温度8:-20°C ~ 85°C(TA)
外壳:T 1 3/4
封装: -
料号:GDQJ4-1719
包装: -
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GL551' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SHARP/夏普' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GL551' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GL551' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GL551' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 停产
型号: GL4910JE000F
品牌: SHARP/夏普 Sharp Microelectronics 夏普株式会社
描述: EMITTER IR 850NM 50MA RADIAL
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:12mW/sr @ 50mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:26° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:卷带(TR) 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:0.3mW/sr @ 20mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:160° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:卷带(TR) 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:160° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:20° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:850nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.55V *3视角*3:64° *2方向*2:侧视图
1类型1:红外(IR)
6电流-DC正向(If)(最大值)6:50mA
7不同If时最小辐射强度 (Ie)7:-
5波长5:850nm
4电压-正向(Vf)(典型值)4:1.55V
3视角3:64°
2方向2:侧视图
8工作温度8:-25°C ~ 60°C(TA)
外壳:径向
封装: -
料号:GDQJ4-1720
包装: -
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GL4910JE000F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SHARP/夏普' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GL4910JE000F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GL4910JE000F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GL4910JE000F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态: 停产
型号: GL513F
品牌: SHARP/夏普 Sharp Microelectronics 夏普株式会社
描述: EMITTER IR 950NM 150MA TO-18
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:12mW/sr @ 50mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:26° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:卷带(TR) 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:0.3mW/sr @ 20mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:160° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:卷带(TR) 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:160° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:20° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:850nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.55V *3视角*3:64° *2方向*2:侧视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:150mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.35V *3视角*3:100° *2方向*2:顶视图
1类型1:红外(IR)
6电流-DC正向(If)(最大值)6:150mA
7不同If时最小辐射强度 (Ie)7:-
5波长5:950nm
4电压-正向(Vf)(典型值)4:1.35V
3视角3:100°
2方向2:顶视图
8工作温度8:-40°C ~ 125°C(TA)
外壳:TO-18-2 金属罐
封装: -
料号:GDQJ4-1721
包装: -
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GL513F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SHARP/夏普' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GL513F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GL513F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GL513F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 停产
型号: GL514
品牌: SHARP/夏普 Sharp Microelectronics 夏普株式会社
描述: EMITTER IR 950NM 150MA TO-18
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:12mW/sr @ 50mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:26° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:卷带(TR) 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:0.3mW/sr @ 20mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:160° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:卷带(TR) 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:160° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:20° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:850nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.55V *3视角*3:64° *2方向*2:侧视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:150mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.35V *3视角*3:100° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:150mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.35V *3视角*3:14° *2方向*2:顶视图
1类型1:红外(IR)
6电流-DC正向(If)(最大值)6:150mA
7不同If时最小辐射强度 (Ie)7:-
5波长5:950nm
4电压-正向(Vf)(典型值)4:1.35V
3视角3:14°
2方向2:顶视图
8工作温度8:-40°C ~ 125°C(TA)
外壳:TO-18-2 金属罐
封装: -
料号:GDQJ4-1722
包装: -
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合作现货:0
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状态: 停产
型号: GL527V
品牌: SHARP/夏普 Sharp Microelectronics 夏普株式会社
描述: EMITTER IR 940NM 100MA T 1 3/4
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:12mW/sr @ 50mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:26° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:卷带(TR) 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:0.3mW/sr @ 20mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:160° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:卷带(TR) 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:160° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:20° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:850nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.55V *3视角*3:64° *2方向*2:侧视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:150mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.35V *3视角*3:100° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:150mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.35V *3视角*3:14° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:5mW/sr @ 50mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:42° *2方向*2:顶视图
1类型1:红外(IR)
6电流-DC正向(If)(最大值)6:100mA
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5波长5:940nm
4电压-正向(Vf)(典型值)4:1.2V
3视角3:42°
2方向2:顶视图
8工作温度8:-25°C ~ 85°C(TA)
外壳:T 1 3/4
封装: -
料号:GDQJ4-1723
包装: -
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GL527V' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SHARP/夏普' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GL527V' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GL527V' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GL527V' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: GL453E00000F
品牌: SHARP/夏普 Sharp Microelectronics 夏普株式会社
描述: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:12mW/sr @ 50mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:26° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:卷带(TR) 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:0.3mW/sr @ 20mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:160° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:卷带(TR) 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:160° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:20° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:850nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.55V *3视角*3:64° *2方向*2:侧视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:150mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.35V *3视角*3:100° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:150mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.35V *3视角*3:14° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:5mW/sr @ 50mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:42° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:46° *2方向*2:侧视图,双面
1类型1:红外(IR)
6电流-DC正向(If)(最大值)6:50mA
7不同If时最小辐射强度 (Ie)7:-
5波长5:950nm
4电压-正向(Vf)(典型值)4:1.2V
3视角3:46°
2方向2:侧视图,双面
8工作温度8:-25°C ~ 85°C(TA)
外壳:径向
封装: -
料号:GDQJ4-1724
包装: -
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GL453E00000F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SHARP/夏普' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GL453E00000F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GL453E00000F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GL453E00000F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 停产
型号: SFH 480-2
品牌: AMS/艾迈斯 AMS 艾迈斯半导体
描述: EMITTER IR 880NM 200MA RADIAL
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:12mW/sr @ 50mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:26° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:卷带(TR) 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:0.3mW/sr @ 20mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:160° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:卷带(TR) 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:160° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:20° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:850nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.55V *3视角*3:64° *2方向*2:侧视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:150mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.35V *3视角*3:100° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:150mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.35V *3视角*3:14° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:5mW/sr @ 50mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:42° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:46° *2方向*2:侧视图,双面 制造商统称:AMS/艾迈斯 制造商统称:ams-OSRAM USA INC. 类目:- 替代选料:未设定 包装:散装 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:200mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:40mW/sr @ 100mA *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:12° *2方向*2:顶视图
1类型1:红外(IR)
6电流-DC正向(If)(最大值)6:200mA
7不同If时最小辐射强度 (Ie)7:40mW/sr @ 100mA
5波长5:880nm
4电压-正向(Vf)(典型值)4:1.5V
3视角3:12°
2方向2:顶视图
8工作温度8:-40°C ~ 125°C(TA)
外壳:径向
封装: -
料号:GDQJ4-1725
包装: 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SFH 480-2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AMS/艾迈斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SFH 480-2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 停产
型号: SFH 487 P
品牌: AMS/艾迈斯 AMS 艾迈斯半导体
描述: EMITTER IR 880NM 100MA T 3/4
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:12mW/sr @ 50mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:26° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:卷带(TR) 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:0.3mW/sr @ 20mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:160° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:卷带(TR) 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:160° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:20° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:850nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.55V *3视角*3:64° *2方向*2:侧视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:150mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.35V *3视角*3:100° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:150mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.35V *3视角*3:14° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:5mW/sr @ 50mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:42° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:46° *2方向*2:侧视图,双面 制造商统称:AMS/艾迈斯 制造商统称:ams-OSRAM USA INC. 类目:- 替代选料:未设定 包装:散装 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:200mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:40mW/sr @ 100mA *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:12° *2方向*2:顶视图 制造商统称:AMS/艾迈斯 制造商统称:ams-OSRAM USA INC. 类目:- 替代选料:未设定 包装:散装 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:2mW/sr @ 100mA *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:130° *2方向*2:顶视图
1类型1:红外(IR)
6电流-DC正向(If)(最大值)6:100mA
7不同If时最小辐射强度 (Ie)7:2mW/sr @ 100mA
5波长5:880nm
4电压-正向(Vf)(典型值)4:1.5V
3视角3:130°
2方向2:顶视图
8工作温度8:-40°C ~ 100°C(TA)
外壳:T 3/4
封装: -
料号:GDQJ4-1726
包装: 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SFH 487 P' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'AMS/艾迈斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号: LN69
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: EMITTER IR 940NM 50MA T-1
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:12mW/sr @ 50mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:26° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:卷带(TR) 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:0.3mW/sr @ 20mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:160° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:卷带(TR) 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:160° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:20° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:850nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.55V *3视角*3:64° *2方向*2:侧视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:150mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.35V *3视角*3:100° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:150mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.35V *3视角*3:14° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:5mW/sr @ 50mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:42° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:46° *2方向*2:侧视图,双面 制造商统称:AMS/艾迈斯 制造商统称:ams-OSRAM USA INC. 类目:- 替代选料:未设定 包装:散装 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:200mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:40mW/sr @ 100mA *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:12° *2方向*2:顶视图 制造商统称:AMS/艾迈斯 制造商统称:ams-OSRAM USA INC. 类目:- 替代选料:未设定 包装:散装 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:2mW/sr @ 100mA *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:130° *2方向*2:顶视图 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:- 替代选料:未设定 包装:散装 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:3.5mW/sr @ 50mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.3V *3视角*3:30° *2方向*2:顶视图
1类型1:红外(IR)
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5波长5:940nm
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3视角3:30°
2方向2:顶视图
8工作温度8:-25°C ~ 85°C(TA)
外壳:T-1
封装: -
料号:GDQJ4-1727
包装: 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LN69' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LN69' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LN69' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LN69' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: LN75X
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: EMITTER IR 880NM 100MA RADIAL
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:12mW/sr @ 50mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:26° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:卷带(TR) 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:0.3mW/sr @ 20mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:160° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:卷带(TR) 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:160° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:20° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:850nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.55V *3视角*3:64° *2方向*2:侧视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:150mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.35V *3视角*3:100° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:150mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.35V *3视角*3:14° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:5mW/sr @ 50mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:42° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:46° *2方向*2:侧视图,双面 制造商统称:AMS/艾迈斯 制造商统称:ams-OSRAM USA INC. 类目:- 替代选料:未设定 包装:散装 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:200mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:40mW/sr @ 100mA *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:12° *2方向*2:顶视图 制造商统称:AMS/艾迈斯 制造商统称:ams-OSRAM USA INC. 类目:- 替代选料:未设定 包装:散装 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:2mW/sr @ 100mA *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:130° *2方向*2:顶视图 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:- 替代选料:未设定 包装:散装 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:3.5mW/sr @ 50mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.3V *3视角*3:30° *2方向*2:顶视图 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:6mW/sr @ 50mA *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:50° *2方向*2:侧视图
1类型1:红外(IR)
6电流-DC正向(If)(最大值)6:100mA
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5波长5:880nm
4电压-正向(Vf)(典型值)4:1.5V
3视角3:50°
2方向2:侧视图
8工作温度8:-25°C ~ 85°C(TA)
外壳:径向
封装: -
料号:GDQJ4-1728
包装: -
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LN75X' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LN75X' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LN75X' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号: LNA2402L
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: EMITTER IR 950NM 100MA TO-18
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:12mW/sr @ 50mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:26° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:卷带(TR) 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:0.3mW/sr @ 20mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:160° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:卷带(TR) 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:160° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:20° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:850nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.55V *3视角*3:64° *2方向*2:侧视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:150mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.35V *3视角*3:100° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:150mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.35V *3视角*3:14° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:5mW/sr @ 50mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:42° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:46° *2方向*2:侧视图,双面 制造商统称:AMS/艾迈斯 制造商统称:ams-OSRAM USA INC. 类目:- 替代选料:未设定 包装:散装 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:200mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:40mW/sr @ 100mA *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:12° *2方向*2:顶视图 制造商统称:AMS/艾迈斯 制造商统称:ams-OSRAM USA INC. 类目:- 替代选料:未设定 包装:散装 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:2mW/sr @ 100mA *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:130° *2方向*2:顶视图 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:- 替代选料:未设定 包装:散装 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:3.5mW/sr @ 50mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.3V *3视角*3:30° *2方向*2:顶视图 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:6mW/sr @ 50mA *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:50° *2方向*2:侧视图 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:5mW/sr @ 100mA *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.3V *3视角*3:16° *2方向*2:顶视图
1类型1:红外(IR)
6电流-DC正向(If)(最大值)6:100mA
7不同If时最小辐射强度 (Ie)7:5mW/sr @ 100mA
5波长5:950nm
4电压-正向(Vf)(典型值)4:1.3V
3视角3:16°
2方向2:顶视图
8工作温度8:-25°C ~ 100°C(TA)
外壳:TO-18-2 金属罐
封装: -
料号:GDQJ4-1729
包装: -
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LNA2402L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LNA2402L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LNA2402L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LNA2402L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 停产
型号: LNA2902L
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: EMITTER IR 950NM 100MA T 1 3/4
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:12mW/sr @ 50mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:26° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:卷带(TR) 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:0.3mW/sr @ 20mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:160° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:卷带(TR) 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:160° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:20° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:850nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.55V *3视角*3:64° *2方向*2:侧视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:150mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.35V *3视角*3:100° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:150mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.35V *3视角*3:14° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:5mW/sr @ 50mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:42° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:46° *2方向*2:侧视图,双面 制造商统称:AMS/艾迈斯 制造商统称:ams-OSRAM USA INC. 类目:- 替代选料:未设定 包装:散装 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:200mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:40mW/sr @ 100mA *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:12° *2方向*2:顶视图 制造商统称:AMS/艾迈斯 制造商统称:ams-OSRAM USA INC. 类目:- 替代选料:未设定 包装:散装 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:2mW/sr @ 100mA *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:130° *2方向*2:顶视图 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:- 替代选料:未设定 包装:散装 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:3.5mW/sr @ 50mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.3V *3视角*3:30° *2方向*2:顶视图 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:6mW/sr @ 50mA *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:50° *2方向*2:侧视图 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:5mW/sr @ 100mA *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.3V *3视角*3:16° *2方向*2:顶视图 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:- 替代选料:未设定 包装:散装 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:9mW/sr @ 50mA *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.4V *3视角*3:40° *2方向*2:顶视图
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3视角3:40°
2方向2:顶视图
8工作温度8:-25°C ~ 85°C(TA)
外壳:T 1 3/4
封装: -
料号:GDQJ4-1730
包装: 散装
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合作现货:0
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状态: 停产
型号: LNA4801L
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: EMITTER IR 860NM 100MA T-1
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:12mW/sr @ 50mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:26° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:卷带(TR) 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:0.3mW/sr @ 20mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:160° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:卷带(TR) 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:160° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:20° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:850nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.55V *3视角*3:64° *2方向*2:侧视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:150mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.35V *3视角*3:100° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:150mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.35V *3视角*3:14° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:5mW/sr @ 50mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:42° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:46° *2方向*2:侧视图,双面 制造商统称:AMS/艾迈斯 制造商统称:ams-OSRAM USA INC. 类目:- 替代选料:未设定 包装:散装 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:200mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:40mW/sr @ 100mA *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:12° *2方向*2:顶视图 制造商统称:AMS/艾迈斯 制造商统称:ams-OSRAM USA INC. 类目:- 替代选料:未设定 包装:散装 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:2mW/sr @ 100mA *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:130° *2方向*2:顶视图 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:- 替代选料:未设定 包装:散装 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:3.5mW/sr @ 50mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.3V *3视角*3:30° *2方向*2:顶视图 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:6mW/sr @ 50mA *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:50° *2方向*2:侧视图 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:5mW/sr @ 100mA *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.3V *3视角*3:16° *2方向*2:顶视图 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:- 替代选料:未设定 包装:散装 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:9mW/sr @ 50mA *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.4V *3视角*3:40° *2方向*2:顶视图 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:- 替代选料:未设定 包装:散装 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:12mW/sr @ 50mA *5波长*5:860nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.6V *3视角*3:44° *2方向*2:顶视图
1类型1:红外(IR)
6电流-DC正向(If)(最大值)6:100mA
7不同If时最小辐射强度 (Ie)7:12mW/sr @ 50mA
5波长5:860nm
4电压-正向(Vf)(典型值)4:1.6V
3视角3:44°
2方向2:顶视图
8工作温度8:-25°C ~ 85°C(TA)
外壳:T-1
封装: -
料号:GDQJ4-1731
包装: 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LNA4801L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LNA4801L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LNA4801L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LNA4801L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 停产
型号: F5D1B
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: EMITTER IR 880NM 100MA TO-46
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:12mW/sr @ 50mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:26° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:卷带(TR) 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:0.3mW/sr @ 20mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:160° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:卷带(TR) 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:160° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:20° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:850nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.55V *3视角*3:64° *2方向*2:侧视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:150mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.35V *3视角*3:100° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:150mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.35V *3视角*3:14° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:5mW/sr @ 50mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:42° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:46° *2方向*2:侧视图,双面 制造商统称:AMS/艾迈斯 制造商统称:ams-OSRAM USA INC. 类目:- 替代选料:未设定 包装:散装 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:200mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:40mW/sr @ 100mA *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:12° *2方向*2:顶视图 制造商统称:AMS/艾迈斯 制造商统称:ams-OSRAM USA INC. 类目:- 替代选料:未设定 包装:散装 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:2mW/sr @ 100mA *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:130° *2方向*2:顶视图 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:- 替代选料:未设定 包装:散装 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:3.5mW/sr @ 50mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.3V *3视角*3:30° *2方向*2:顶视图 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:6mW/sr @ 50mA *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:50° *2方向*2:侧视图 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:5mW/sr @ 100mA *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.3V *3视角*3:16° *2方向*2:顶视图 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:- 替代选料:未设定 包装:散装 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:9mW/sr @ 50mA *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.4V *3视角*3:40° *2方向*2:顶视图 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:- 替代选料:未设定 包装:散装 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:12mW/sr @ 50mA *5波长*5:860nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.6V *3视角*3:44° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 包装:散装 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.7V *3视角*3:16° *2方向*2:顶视图
1类型1:红外(IR)
6电流-DC正向(If)(最大值)6:100mA
7不同If时最小辐射强度 (Ie)7:-
5波长5:880nm
4电压-正向(Vf)(典型值)4:1.7V
3视角3:16°
2方向2:顶视图
8工作温度8:-65°C ~ 125°C(TA)
外壳:TO-46-2 透镜顶部金属罐
封装: -
料号:GDQJ4-1732
包装: 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'F5D1B' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'F5D1B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'F5D1B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'F5D1B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 停产
型号: PDI-E808-A
品牌: Advanced Photonix
描述: EMITTER IR 880NM 100MA T 1 3/4
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:12mW/sr @ 50mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:26° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:卷带(TR) 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:0.3mW/sr @ 20mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:160° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:卷带(TR) 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:160° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:20° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:850nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.55V *3视角*3:64° *2方向*2:侧视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:150mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.35V *3视角*3:100° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:150mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.35V *3视角*3:14° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:5mW/sr @ 50mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:42° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:46° *2方向*2:侧视图,双面 制造商统称:AMS/艾迈斯 制造商统称:ams-OSRAM USA INC. 类目:- 替代选料:未设定 包装:散装 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:200mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:40mW/sr @ 100mA *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:12° *2方向*2:顶视图 制造商统称:AMS/艾迈斯 制造商统称:ams-OSRAM USA INC. 类目:- 替代选料:未设定 包装:散装 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:2mW/sr @ 100mA *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:130° *2方向*2:顶视图 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:- 替代选料:未设定 包装:散装 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:3.5mW/sr @ 50mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.3V *3视角*3:30° *2方向*2:顶视图 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:6mW/sr @ 50mA *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:50° *2方向*2:侧视图 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:5mW/sr @ 100mA *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.3V *3视角*3:16° *2方向*2:顶视图 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:- 替代选料:未设定 包装:散装 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:9mW/sr @ 50mA *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.4V *3视角*3:40° *2方向*2:顶视图 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:- 替代选料:未设定 包装:散装 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:12mW/sr @ 50mA *5波长*5:860nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.6V *3视角*3:44° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 包装:散装 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.7V *3视角*3:16° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Advanced Photonix 类目:- 替代选料:未设定 包装:托盘 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:- *2方向*2:顶视图
1类型1:红外(IR)
6电流-DC正向(If)(最大值)6:100mA
7不同If时最小辐射强度 (Ie)7:-
5波长5:880nm
4电压-正向(Vf)(典型值)4:1.5V
3视角3:-
2方向2:顶视图
8工作温度8:-65°C ~ 125°C(TA)
外壳:T 1 3/4
封装: -
料号:GDQJ4-1733
包装: 托盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PDI-E808-A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Advanced Photonix' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDI-E808-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDI-E808-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PDI-E808-A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 停产
型号: QED121A4R0
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: EMITTER IR 880NM 100MA RADIAL
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:12mW/sr @ 50mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:26° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:卷带(TR) 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:0.3mW/sr @ 20mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:160° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:卷带(TR) 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:160° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:20° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:850nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.55V *3视角*3:64° *2方向*2:侧视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:150mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.35V *3视角*3:100° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:150mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.35V *3视角*3:14° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:5mW/sr @ 50mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:42° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:46° *2方向*2:侧视图,双面 制造商统称:AMS/艾迈斯 制造商统称:ams-OSRAM USA INC. 类目:- 替代选料:未设定 包装:散装 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:200mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:40mW/sr @ 100mA *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:12° *2方向*2:顶视图 制造商统称:AMS/艾迈斯 制造商统称:ams-OSRAM USA INC. 类目:- 替代选料:未设定 包装:散装 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:2mW/sr @ 100mA *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:130° *2方向*2:顶视图 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:- 替代选料:未设定 包装:散装 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:3.5mW/sr @ 50mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.3V *3视角*3:30° *2方向*2:顶视图 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:6mW/sr @ 50mA *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:50° *2方向*2:侧视图 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:5mW/sr @ 100mA *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.3V *3视角*3:16° *2方向*2:顶视图 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:- 替代选料:未设定 包装:散装 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:9mW/sr @ 50mA *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.4V *3视角*3:40° *2方向*2:顶视图 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:- 替代选料:未设定 包装:散装 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:12mW/sr @ 50mA *5波长*5:860nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.6V *3视角*3:44° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 包装:散装 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.7V *3视角*3:16° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Advanced Photonix 类目:- 替代选料:未设定 包装:托盘 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:- *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 包装:卷带(TR) 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:16mW/sr @ 100mA *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.7V *3视角*3:18° *2方向*2:顶视图
1类型1:红外(IR)
6电流-DC正向(If)(最大值)6:100mA
7不同If时最小辐射强度 (Ie)7:16mW/sr @ 100mA
5波长5:880nm
4电压-正向(Vf)(典型值)4:1.7V
3视角3:18°
2方向2:顶视图
8工作温度8:-40°C ~ 100°C(TA)
外壳:径向,5mm 直径(T 1 3/4)
封装: -
料号:GDQJ4-1734
包装: 卷带(TR)
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'QED121A4R0' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'QED121A4R0' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'QED121A4R0' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'QED121A4R0' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 停产
型号: QED233A4R0
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: EMITTER IR 940NM 100MA RADIAL
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:12mW/sr @ 50mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:26° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:卷带(TR) 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:0.3mW/sr @ 20mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:160° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:卷带(TR) 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:160° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:20° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:850nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.55V *3视角*3:64° *2方向*2:侧视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:150mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.35V *3视角*3:100° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:150mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.35V *3视角*3:14° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:5mW/sr @ 50mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:42° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Sharp Microelectronics 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.2V *3视角*3:46° *2方向*2:侧视图,双面 制造商统称:AMS/艾迈斯 制造商统称:ams-OSRAM USA INC. 类目:- 替代选料:未设定 包装:散装 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:200mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:40mW/sr @ 100mA *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:12° *2方向*2:顶视图 制造商统称:AMS/艾迈斯 制造商统称:ams-OSRAM USA INC. 类目:- 替代选料:未设定 包装:散装 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:2mW/sr @ 100mA *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:130° *2方向*2:顶视图 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:- 替代选料:未设定 包装:散装 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:50mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:3.5mW/sr @ 50mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.3V *3视角*3:30° *2方向*2:顶视图 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:6mW/sr @ 50mA *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:50° *2方向*2:侧视图 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:- 替代选料:未设定 包装:- 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:5mW/sr @ 100mA *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.3V *3视角*3:16° *2方向*2:顶视图 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:- 替代选料:未设定 包装:散装 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:9mW/sr @ 50mA *5波长*5:950nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.4V *3视角*3:40° *2方向*2:顶视图 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:- 替代选料:未设定 包装:散装 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:12mW/sr @ 50mA *5波长*5:860nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.6V *3视角*3:44° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 包装:散装 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.7V *3视角*3:16° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:Advanced Photonix 类目:- 替代选料:未设定 包装:托盘 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:- *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.5V *3视角*3:- *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 包装:卷带(TR) 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:16mW/sr @ 100mA *5波长*5:880nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.7V *3视角*3:18° *2方向*2:顶视图 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 包装:卷带(TR) 系列:- 零件状态:停产 *1类型*1:红外(IR) *6电流-DC正向(If)(最大值)*6:100mA *7不同If时最小辐射强度 (Ie)*7:10mW/sr @ 100mA *5波长*5:940nm *4电压-正向(Vf)(典型值)*4:1.6V *3视角*3:40° *2方向*2:顶视图
1类型1:红外(IR)
6电流-DC正向(If)(最大值)6:100mA
7不同If时最小辐射强度 (Ie)7:10mW/sr @ 100mA
5波长5:940nm
4电压-正向(Vf)(典型值)4:1.6V
3视角3:40°
2方向2:顶视图
8工作温度8:-40°C ~ 100°C(TA)
外壳:径向,5mm 直径(T 1 3/4)
封装: -
料号:GDQJ4-1735
包装: 卷带(TR)
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'QED233A4R0' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'QED233A4R0' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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