元器件型号:1903
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系列

  • *
  • -
  • Automotive
  • Automotive, AEC-Q100
  • Automotive, AEC-Q100, EiceDriver™
  • Automotive, AEC-Q100, R²Coupler™
  • Automotive, AEC-Q100, SCALE-iDriver™
  • Automotive, AEC-Q100, gapDRIVE™
  • EiceDriver™
  • IsoPower®, iCoupler®
  • NEPOC
  • OPIC™
  • OPTOPLANAR®
  • SCALE-iDriver™
  • iCoupler®
  • 在售
  • 汽车级,AEC-Q100
  • 汽车级,AEC-Q100,gapDRIVE™
清除

*技术

  • -
  • 光学耦合
  • 容性耦合
  • 磁耦合
清除

*类型

清除

*隔离式电源

清除

*通道数

  • -
  • 1
  • 2
  • 4
清除

输入 - 输入侧 1/输入侧 2

清除

*通道类型

清除

电压 - 隔离

  • -
  • 1
  • 1000Vrms
  • 1200Vrms
  • 1500VDC
  • 1667Vrms
  • 1700VDC
  • 2500Vrms
  • 3000Vrms
  • 3250Vrms
  • 3750VDC
  • 3750Vrms
  • 4000Vrms
  • 4243Vrms
  • 4500Vrms
  • 5000Vrms
  • 5300Vrms
  • 5700Vrms
  • 7500Vrms
清除

共模瞬态抗扰度(最小值)

  • -
  • 1
  • 1.5kV/µs
  • 5kV/µs
  • 9kV/µs
  • 10kV/µs
  • 15kV/µs
  • 20kV/µs
  • 25kV/µs
  • 30kV/µs
  • 30kV/µs(标准
  • 30kV/µs(标准)
  • 35kV/µs
  • 35kV/µs(标准)
  • 40kV/µs
  • 45kV/µs
  • 48kV/µs
  • 50kV/µs
  • 50kV/µs(标准)
  • 75kV/µs
  • 100V/ns
  • 100V/µs
  • 100kV/µs
  • 120kV/µs
  • 125kV/µs
  • 150V/ns
  • 150kV/µs
  • 200kV/µs
  • 300kV/µs
  • 300kV/µs(标准)
  • 500V/µs(标准)
  • 2500Vrms
  • 3750Vrms
  • 4500Vrms
  • 5000Vrms
清除

*数据速率

清除

传播延迟 tpLH / tpHL(最大值)

  • -
  • 0.7µs,1µs
  • 1µs,1µs
  • 2ms,0.5ms
  • 2ms, 0.12ms
  • 2µs,2µs
  • 5ms,5ms
  • 30ns,30ns
  • 30ns,58ns
  • 33ns,44ns
  • 36ns,36ns
  • 40ns,40ns
  • 40ns,48ns
  • 42ns,53ns
  • 42ns,58ns
  • 44ns, 44ns
  • 45ns,45ns
  • 50ns,50ns
  • 54ns,54ns
  • 55ns,40ns
  • 59ns,59ns
  • 60ns,40ns
  • 60ns,50ns
  • 60ns,60ns
  • 62ns,62ns
  • 65ns,65ns
  • 66ns,66ns
  • 68ns,68ns
  • 69ns,79ns
  • 72ns,75ns
  • 75ns,60ns
  • 75ns,75ns
  • 85ns,85ns
  • 90ns,90ns
  • 100ns,100ns
  • 105ns,75ns
  • 105ns,105ns
  • 110ns,110ns
  • 115ns,115ns
  • 120ns,120ns
  • 120ns,150ns
  • 128ns,128ns
  • 130ns, 121ns
  • 130ns,130ns
  • 131ns,137ns
  • 135ns,95ns
  • 145ns,165ns
  • 150ns,150ns
  • 160ns,160ns
  • 170ns,170ns
  • 170ns,190ns
  • 175ns,175ns
  • 200ns,200ns
  • 200ns,220ns
  • 210ns,210ns
  • 220ns,250ns
  • 250ns,250ns
  • 250ns,280ns
  • 250ns,300ns
  • 260ns,260ns
  • 300ns,300ns
  • 305ns, 325ns
  • 340ns,330ns
  • 350ns,250ns
  • 350ns,350ns
  • 400ns,400ns
  • 500ns,500ns
  • 650ns,650ns
  • 700ns,700ns
清除

脉宽失真(最大)

  • -
  • 2ns
  • 5.5ns
  • 5.6ns
  • 5ns
  • 6.5ns
  • 6ns
  • 8ns
  • 10ns
  • 10ns(
  • 13ns
  • 14ns
  • 15ns
  • 16.5n
  • 16ns
  • 18ns(
  • 19ns
  • 20ns
  • 25ns
  • 28ns
  • 30ns
  • 35ns
  • 40ns
  • 47ns
  • 50ns
  • 60ns
  • 65ns
  • 70ns
  • 70ns(
  • 75ns
  • 80ns
  • 90ns
  • 100ns
  • 120ns
  • 140ns
  • 150ns
  • 200ns
  • 230ns
  • 250ns
  • 300ns
  • 350ns
  • 500ns
清除

上升/下降时间(典型值)

  • -
  • 2.5ns,2.5ns (最大
  • 3.6ns,1.8ns(最大)
  • 3.6ns,2.5ns
  • 5.5ns,8.5ns
  • 5ns,6ns
  • 6.5ns,4.5ns
  • 6ns,6ns
  • 6ns,7ns
  • 8ns,8ns
  • 8ns,9ns
  • 9ns,6ns
  • 10.5ns,13.3ns
  • 10ns,9ns
  • 10ns,10ns
  • 10ns,15ns
  • 12ns,10ns
  • 12ns,12ns
  • 12ns,12ns(最大)
  • 13ns,13ns
  • 14ns,14ns
  • 14ns,19ns
  • 15ns,8ns
  • 15ns,10ns
  • 15ns,15ns
  • 15ns,15ns(最大)
  • 15ns,20ns
  • 16ns,14ns
  • 16ns,16ns
  • 17ns,17ns
  • 18ns,18ns
  • 18ns,20ns
  • 18ns,22ns
  • 20ns,10ns
  • 20ns,20ns
  • 20ns,20ns(最大)
  • 22ns,18ns
  • 23ns,22ns
  • 25ns,10ns(最大)
  • 25ns,25ns
  • 25ns,25ns(最大)
  • 25ns,30ns
  • 28ns,24ns(最大)
  • 28ns,25ns
  • 28ns,25ns(最大)
  • 29ns,14ns
  • 30ns,20ns
  • 30ns,30ns
  • 30ns,30ns(最大)
  • 30ns,50ns
  • 30ns,60ns
  • 32ns,18ns
  • 33ns,27ns
  • 34ns,34ns
  • 35ns,15ns
  • 35ns,25ns
  • 35ns,35ns
  • 37ns,30ns
  • 38ns,24ns
  • 40ns,40ns
  • 42ns,50ns
  • 43ns,40ns
  • 50ns,50ns
  • 55ns,10ns
  • 60ns,40ns
  • 60ns,50ns
  • 60ns,60ns
  • 70ns,35ns
  • 70ns,50ns
  • 75ns,55ns
  • 80ns,45ns
  • 90ns,81ns
  • 95ns,100ns
  • 100ns,100ns
  • 105ns,107ns
  • 120ns,150ns
  • 150ns,150ns
  • 200ns,200ns
  • 225ns,225ns(最大)
  • 450ns,450ns
  • 450ns,450ns(最大)
  • 465ns,460ns
  • 475ns, 447ns
  • 1125ns(最大),1125
清除

电压 - 电源

清除

工作温度

  • -
  • -20°C ~ 80°C
  • -20°C ~ 85°C
  • -25°C ~ 80°C
  • -30°C ~ 105°C
  • -40 to 125
  • -40¡ãC ~ 105¡
  • -40¡ãC ~ 125¡
  • -40°C ~ 85°C
  • -40°C ~ 100°C
  • -40°C ~ 105°C
  • -40°C ~ 110°C
  • -40°C ~ 125°C
  • -40°C ~ 125°C(TA)
  • -40°C ~ 125°C (TJ)
  • -40°C ~ 150°C
  • -40°C ~ 150°C(TJ)
  • -55 to 125
  • -55°C ~ 125°C
清除

安装类型

  • -
  • -40°C ~ 100°C
  • 表面贴装
  • 表面贴装型
  • 通孔
清除
清除筛选 应用筛选 筛选结果: 1903
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
型号: UCC23511DWYR
品牌: TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述: 1A- SGNL CHAN ISO GD WITH OPTO 5
参数: 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5700Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):105ns,105ns 电流 - 输出高,低:1.5A,
1技术1:容性耦合
2通道数2:1
3电压-隔离(v)3:5700Vrms
8上升/下降时间(典型值)8:28ns,25ns
7电流-峰值输出7:2A,1.
4电压-正向(vf)(典型值):2.1V
6电流-dc正向(if)6:16mA
5电压-电源(vin)5:14V ~ 33V
外壳:6-SOIC(7.50mm宽)
封装:6-SOIC
料号:GL7-1537
包装: 850个/
1.86 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UCC23511DWYR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TI/德州仪器' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UCC23511DWYR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UCC23511DWYR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UCC23511DWYR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: UCC23513BDWYR
品牌: TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述: 4-A/5-A, 5.7-KVRMS SINGLE-CHANNE
参数: 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5700Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):105ns,105ns 电流 - 输出高,低:1.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5700Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):105ns,105ns 电流 - 输出高,低:4.5A,
1技术1:光学耦合
2通道数2:1
3电压-隔离(v)3:5700Vrms
8上升/下降时间(典型值)8:28ns,25ns(最大)
7电流-峰值输出7:4.5A,
4电压-正向(vf)(典型值):2.1V
6电流-dc正向(if)6:25mA
5电压-电源(vin)5:10V ~ 33V
外壳:6-SOIC(7.50mm宽)
封装:6-SOIC
料号:GL7-1538
包装: 850个/
1.86 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UCC23513BDWYR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TI/德州仪器' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UCC23513BDWYR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UCC23513BDWYR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UCC23513BDWYR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: UCC23513DWYR
品牌: TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述: IC POWER MANAGEMENT
参数: 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5700Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):105ns,105ns 电流 - 输出高,低:1.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5700Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):105ns,105ns 电流 - 输出高,低:4.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):115ns,115ns 电流 - 输出高,低:4.5A,
1技术1:光学耦合
2通道数2:1
3电压-隔离(v)3:5000Vrms
8上升/下降时间(典型值)8:28ns,25ns(最大)
7电流-峰值输出7:3A
4电压-正向(vf)(典型值):2V
6电流-dc正向(if)6:25mA
5电压-电源(vin)5:13.2V ~ 33V
外壳:6-SOIC(7.50mm宽)
封装:6-SOIC
料号:GL7-1539
包装: 850个/
1.86 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UCC23513DWYR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TI/德州仪器' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UCC23513DWYR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UCC23513DWYR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UCC23513DWYR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: UCC5310MCDWVR
品牌: TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述: PWR MGMT MOSFET/PWR DRIVER
参数: 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5700Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):105ns,105ns 电流 - 输出高,低:1.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5700Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):105ns,105ns 电流 - 输出高,低:4.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):115ns,115ns 电流 - 输出高,低:4.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:3000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100kV/µs 脉宽失真(最大):20ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns,10ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):75ns,75ns 电流 - 输出高,低:2.4A,
1技术1:容性耦合
2通道数2:1
3电压-隔离(v)3:3000Vrms
8上升/下降时间(典型值)8:12ns,10ns
7电流-峰值输出7:4.3A
4电压-正向(vf)(典型值):-
6电流-dc正向(if)6:-
5电压-电源(vin)5:13.2V ~ 33V
外壳:8-SOIC(7.50mm 宽)
封装:8-SOIC
料号:GL7-1540
包装:
5.54 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UCC5310MCDWVR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TI/德州仪器' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UCC5310MCDWVR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UCC5310MCDWVR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UCC5310MCDWVR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态: 在售
型号: UCC5304DWVR
品牌: TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述: 4A/6A 5.7KVRMS SING CH ISODR 5V
参数: 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5700Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):105ns,105ns 电流 - 输出高,低:1.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5700Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):105ns,105ns 电流 - 输出高,低:4.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):115ns,115ns 电流 - 输出高,低:4.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:3000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100kV/µs 脉宽失真(最大):20ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns,10ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):75ns,75ns 电流 - 输出高,低:2.4A, 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100V/ns 脉宽失真(最大):5.5ns *8上升/下降时间(典型值)*8:5ns,6ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):40ns,40ns 电流 - 输出高,低:4A,6A
1技术1:容性耦合
2通道数2:1
3电压-隔离(v)3:5000Vrms
8上升/下降时间(典型值)8:5ns,6ns
7电流-峰值输出7:4A,6A
4电压-正向(vf)(典型值):-
6电流-dc正向(if)6:-
5电压-电源(vin)5:6V ~ 18V
外壳:8-SOIC(7.50mm 宽)
封装:8-SOIC
料号:GL7-1541
包装:
6.36 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UCC5304DWVR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TI/德州仪器' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UCC5304DWVR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UCC5304DWVR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UCC5304DWVR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: UCC5390ECQDWVRQ1
品牌: TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述: 10A /10A 5KVRMS ISOGATE DR- BIPO
参数: 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5700Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):105ns,105ns 电流 - 输出高,低:1.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5700Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):105ns,105ns 电流 - 输出高,低:4.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):115ns,115ns 电流 - 输出高,低:4.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:3000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100kV/µs 脉宽失真(最大):20ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns,10ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):75ns,75ns 电流 - 输出高,低:2.4A, 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100V/ns 脉宽失真(最大):5.5ns *8上升/下降时间(典型值)*8:5ns,6ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):40ns,40ns 电流 - 输出高,低:4A,6A 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):120kV/µs 脉宽失真(最大):20ns *8上升/下降时间(典型值)*8:10ns,10ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns 电流 - 输出高,低:17A,1
1技术1:容性耦合
2通道数2:1
3电压-隔离(v)3:5000Vrms
8上升/下降时间(典型值)8:10ns,10ns
7电流-峰值输出7:10A
4电压-正向(vf)(典型值):-
6电流-dc正向(if)6:-
5电压-电源(vin)5:13.2V ~ 33V
外壳:8-SOIC(7.50mm 宽)
封装:8-SOIC
料号:GL7-1542
包装:
9.54 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UCC5390ECQDWVRQ1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TI/德州仪器' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UCC5390ECQDWVRQ1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UCC5390ECQDWVRQ1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UCC5390ECQDWVRQ1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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总额:
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状态: 在售
型号: FOD8482TR2
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: IPM DRIVER WL T&R
参数: 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5700Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):105ns,105ns 电流 - 输出高,低:1.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5700Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):105ns,105ns 电流 - 输出高,低:4.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):115ns,115ns 电流 - 输出高,低:4.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:3000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100kV/µs 脉宽失真(最大):20ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns,10ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):75ns,75ns 电流 - 输出高,低:2.4A, 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100V/ns 脉宽失真(最大):5.5ns *8上升/下降时间(典型值)*8:5ns,6ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):40ns,40ns 电流 - 输出高,低:4A,6A 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):120kV/µs 脉宽失真(最大):20ns *8上升/下降时间(典型值)*8:10ns,10ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns 电流 - 输出高,低:17A,1 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):250ns *8上升/下降时间(典型值)*8:15ns,10ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):300ns,300ns 电流 - 输出高,低:-
1技术1:光学耦合
2通道数2:1
3电压-隔离(v)3:5000Vrms
8上升/下降时间(典型值)8:15ns,10ns
7电流-峰值输出7:-
4电压-正向(vf)(典型值):1.4V
6电流-dc正向(if)6:20mA
5电压-电源(vin)5:4.5V ~ 30V
外壳:6-SOIC(6.80mm 宽)
封装:6-SOP
料号:GL7-1543
包装:
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FOD8482TR2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FOD8482TR2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FOD8482TR2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FOD8482TR2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: SI8286CC-IS
品牌: SILICON/芯科 Silicon Labs 芯科科技
描述: DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR
参数: 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5700Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):105ns,105ns 电流 - 输出高,低:1.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5700Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):105ns,105ns 电流 - 输出高,低:4.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):115ns,115ns 电流 - 输出高,低:4.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:3000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100kV/µs 脉宽失真(最大):20ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns,10ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):75ns,75ns 电流 - 输出高,低:2.4A, 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100V/ns 脉宽失真(最大):5.5ns *8上升/下降时间(典型值)*8:5ns,6ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):40ns,40ns 电流 - 输出高,低:4A,6A 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):120kV/µs 脉宽失真(最大):20ns *8上升/下降时间(典型值)*8:10ns,10ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns 电流 - 输出高,低:17A,1 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):250ns *8上升/下降时间(典型值)*8:15ns,10ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):300ns,300ns 电流 - 输出高,低:- 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真(最大):5ns *8上升/下降时间(典型值)*8:5.5ns,8.5ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):50ns,50ns 电流 - 输出高,低:2.5A,
1技术1:容性耦合
2通道数2:1
3电压-隔离(v)3:5000Vrms
8上升/下降时间(典型值)8:5.5ns,8.5ns
7电流-峰值输出7:4A
4电压-正向(vf)(典型值):-
6电流-dc正向(if)6:-
5电压-电源(vin)5:9.5V ~ 30V
外壳:16-SOIC(7.50mm宽)
封装:16-SOIC
料号:GL7-1544
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI8286CC-IS' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SILICON/芯科' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI8286CC-IS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI8286CC-IS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI8286CC-IS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: SI8237AC-D-IS1
品牌: SILICON/芯科 Silicon Labs 芯科科技
描述: DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 16SOIC
参数: 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5700Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):105ns,105ns 电流 - 输出高,低:1.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5700Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):105ns,105ns 电流 - 输出高,低:4.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):115ns,115ns 电流 - 输出高,低:4.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:3000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100kV/µs 脉宽失真(最大):20ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns,10ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):75ns,75ns 电流 - 输出高,低:2.4A, 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100V/ns 脉宽失真(最大):5.5ns *8上升/下降时间(典型值)*8:5ns,6ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):40ns,40ns 电流 - 输出高,低:4A,6A 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):120kV/µs 脉宽失真(最大):20ns *8上升/下降时间(典型值)*8:10ns,10ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns 电流 - 输出高,低:17A,1 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):250ns *8上升/下降时间(典型值)*8:15ns,10ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):300ns,300ns 电流 - 输出高,低:- 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真(最大):5ns *8上升/下降时间(典型值)*8:5.5ns,8.5ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):50ns,50ns 电流 - 输出高,低:2.5A, 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA
1技术1:容性耦合
2通道数2:2
3电压-隔离(v)3:3750Vrms
8上升/下降时间(典型值)8:20ns,20ns(最大)
7电流-峰值输出7:500mA
4电压-正向(vf)(典型值):-
6电流-dc正向(if)6:-
5电压-电源(vin)5:6.5V ~ 24V
外壳:16-SOIC(3.90mm宽)
封装:16-SOIC
料号:GL7-1545
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI8237AC-D-IS1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SILICON/芯科' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI8237AC-D-IS1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI8237AC-D-IS1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI8237AC-D-IS1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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品牌: SILICON/芯科 Silicon Labs 芯科科技
描述: DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 16SOIC
参数: 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5700Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):105ns,105ns 电流 - 输出高,低:1.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5700Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):105ns,105ns 电流 - 输出高,低:4.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):115ns,115ns 电流 - 输出高,低:4.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:3000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100kV/µs 脉宽失真(最大):20ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns,10ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):75ns,75ns 电流 - 输出高,低:2.4A, 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100V/ns 脉宽失真(最大):5.5ns *8上升/下降时间(典型值)*8:5ns,6ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):40ns,40ns 电流 - 输出高,低:4A,6A 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):120kV/µs 脉宽失真(最大):20ns *8上升/下降时间(典型值)*8:10ns,10ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns 电流 - 输出高,低:17A,1 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):250ns *8上升/下降时间(典型值)*8:15ns,10ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):300ns,300ns 电流 - 输出高,低:- 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真(最大):5ns *8上升/下降时间(典型值)*8:5.5ns,8.5ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):50ns,50ns 电流 - 输出高,低:2.5A, 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA
1技术1:容性耦合
2通道数2:2
3电压-隔离(v)3:3750Vrms
8上升/下降时间(典型值)8:20ns,20ns(最大)
7电流-峰值输出7:500mA
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外壳:16-SOIC(3.90mm宽)
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI8230BC-D-IS1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI8230BC-D-IS1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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品牌: SILICON/芯科 Silicon Labs 芯科科技
描述: DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 16SOIC
参数: 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5700Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):105ns,105ns 电流 - 输出高,低:1.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5700Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):105ns,105ns 电流 - 输出高,低:4.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):115ns,115ns 电流 - 输出高,低:4.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:3000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100kV/µs 脉宽失真(最大):20ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns,10ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):75ns,75ns 电流 - 输出高,低:2.4A, 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100V/ns 脉宽失真(最大):5.5ns *8上升/下降时间(典型值)*8:5ns,6ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):40ns,40ns 电流 - 输出高,低:4A,6A 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):120kV/µs 脉宽失真(最大):20ns *8上升/下降时间(典型值)*8:10ns,10ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns 电流 - 输出高,低:17A,1 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):250ns *8上升/下降时间(典型值)*8:15ns,10ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):300ns,300ns 电流 - 输出高,低:- 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真(最大):5ns *8上升/下降时间(典型值)*8:5.5ns,8.5ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):50ns,50ns 电流 - 输出高,低:2.5A, 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA
1技术1:容性耦合
2通道数2:2
3电压-隔离(v)3:3750Vrms
8上升/下降时间(典型值)8:20ns,20ns(最大)
7电流-峰值输出7:500mA
4电压-正向(vf)(典型值):-
6电流-dc正向(if)6:-
5电压-电源(vin)5:6.5V ~ 24V
外壳:16-SOIC(3.90mm宽)
封装:16-SOIC
料号:GL7-1547
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI8231BC-D-IS1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SILICON/芯科' ) LIMIT 1 自营现货:0
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品牌: SILICON/芯科 Silicon Labs 芯科科技
描述: DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 16SOIC
参数: 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5700Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):105ns,105ns 电流 - 输出高,低:1.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5700Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):105ns,105ns 电流 - 输出高,低:4.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):115ns,115ns 电流 - 输出高,低:4.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:3000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100kV/µs 脉宽失真(最大):20ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns,10ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):75ns,75ns 电流 - 输出高,低:2.4A, 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100V/ns 脉宽失真(最大):5.5ns *8上升/下降时间(典型值)*8:5ns,6ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):40ns,40ns 电流 - 输出高,低:4A,6A 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):120kV/µs 脉宽失真(最大):20ns *8上升/下降时间(典型值)*8:10ns,10ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns 电流 - 输出高,低:17A,1 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):250ns *8上升/下降时间(典型值)*8:15ns,10ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):300ns,300ns 电流 - 输出高,低:- 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真(最大):5ns *8上升/下降时间(典型值)*8:5.5ns,8.5ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):50ns,50ns 电流 - 输出高,低:2.5A, 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA
1技术1:容性耦合
2通道数2:2
3电压-隔离(v)3:3750Vrms
8上升/下降时间(典型值)8:20ns,20ns(最大)
7电流-峰值输出7:500mA
4电压-正向(vf)(典型值):-
6电流-dc正向(if)6:-
5电压-电源(vin)5:6.5V ~ 24V
外壳:16-SOIC(3.90mm宽)
封装:16-SOIC
料号:GL7-1548
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI8232AC-D-IS1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SILICON/芯科' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI8232AC-D-IS1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI8232AC-D-IS1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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品牌: SILICON/芯科 Silicon Labs 芯科科技
描述: DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 16SOIC
参数: 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5700Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):105ns,105ns 电流 - 输出高,低:1.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5700Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):105ns,105ns 电流 - 输出高,低:4.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):115ns,115ns 电流 - 输出高,低:4.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:3000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100kV/µs 脉宽失真(最大):20ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns,10ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):75ns,75ns 电流 - 输出高,低:2.4A, 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100V/ns 脉宽失真(最大):5.5ns *8上升/下降时间(典型值)*8:5ns,6ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):40ns,40ns 电流 - 输出高,低:4A,6A 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):120kV/µs 脉宽失真(最大):20ns *8上升/下降时间(典型值)*8:10ns,10ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns 电流 - 输出高,低:17A,1 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):250ns *8上升/下降时间(典型值)*8:15ns,10ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):300ns,300ns 电流 - 输出高,低:- 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真(最大):5ns *8上升/下降时间(典型值)*8:5.5ns,8.5ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):50ns,50ns 电流 - 输出高,低:2.5A, 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA
1技术1:容性耦合
2通道数2:2
3电压-隔离(v)3:3750Vrms
8上升/下降时间(典型值)8:20ns,20ns(最大)
7电流-峰值输出7:500mA
4电压-正向(vf)(典型值):-
6电流-dc正向(if)6:-
5电压-电源(vin)5:6.5V ~ 24V
外壳:16-SOIC(3.90mm宽)
封装:16-SOIC
料号:GL7-1549
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI8237BC-D-IS1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SILICON/芯科' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号: SI8232BC-D-IS1
品牌: SILICON/芯科 Silicon Labs 芯科科技
描述: DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 16SOIC
参数: 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5700Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):105ns,105ns 电流 - 输出高,低:1.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5700Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):105ns,105ns 电流 - 输出高,低:4.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):115ns,115ns 电流 - 输出高,低:4.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:3000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100kV/µs 脉宽失真(最大):20ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns,10ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):75ns,75ns 电流 - 输出高,低:2.4A, 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100V/ns 脉宽失真(最大):5.5ns *8上升/下降时间(典型值)*8:5ns,6ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):40ns,40ns 电流 - 输出高,低:4A,6A 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):120kV/µs 脉宽失真(最大):20ns *8上升/下降时间(典型值)*8:10ns,10ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns 电流 - 输出高,低:17A,1 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):250ns *8上升/下降时间(典型值)*8:15ns,10ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):300ns,300ns 电流 - 输出高,低:- 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真(最大):5ns *8上升/下降时间(典型值)*8:5.5ns,8.5ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):50ns,50ns 电流 - 输出高,低:2.5A, 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA
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5电压-电源(vin)5:6.5V ~ 24V
外壳:16-SOIC(3.90mm宽)
封装:16-SOIC
料号:GL7-1550
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI8232BC-D-IS1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SILICON/芯科' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI8232BC-D-IS1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI8232BC-D-IS1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号: SI8231AC-D-IS1
品牌: SILICON/芯科 Silicon Labs 芯科科技
描述: DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 16SOIC
参数: 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5700Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):105ns,105ns 电流 - 输出高,低:1.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5700Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):105ns,105ns 电流 - 输出高,低:4.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):115ns,115ns 电流 - 输出高,低:4.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:3000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100kV/µs 脉宽失真(最大):20ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns,10ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):75ns,75ns 电流 - 输出高,低:2.4A, 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100V/ns 脉宽失真(最大):5.5ns *8上升/下降时间(典型值)*8:5ns,6ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):40ns,40ns 电流 - 输出高,低:4A,6A 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):120kV/µs 脉宽失真(最大):20ns *8上升/下降时间(典型值)*8:10ns,10ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns 电流 - 输出高,低:17A,1 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):250ns *8上升/下降时间(典型值)*8:15ns,10ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):300ns,300ns 电流 - 输出高,低:- 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真(最大):5ns *8上升/下降时间(典型值)*8:5.5ns,8.5ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):50ns,50ns 电流 - 输出高,低:2.5A, 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA
1技术1:容性耦合
2通道数2:2
3电压-隔离(v)3:3750Vrms
8上升/下降时间(典型值)8:20ns,20ns(最大)
7电流-峰值输出7:500mA
4电压-正向(vf)(典型值):-
6电流-dc正向(if)6:-
5电压-电源(vin)5:6.5V ~ 24V
外壳:16-SOIC(3.90mm宽)
封装:16-SOIC
料号:GL7-1551
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI8231AC-D-IS1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI8231AC-D-IS1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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品牌: SILICON/芯科 Silicon Labs 芯科科技
描述: DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 16SOIC
参数: 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5700Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):105ns,105ns 电流 - 输出高,低:1.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5700Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):105ns,105ns 电流 - 输出高,低:4.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):115ns,115ns 电流 - 输出高,低:4.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:3000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100kV/µs 脉宽失真(最大):20ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns,10ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):75ns,75ns 电流 - 输出高,低:2.4A, 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100V/ns 脉宽失真(最大):5.5ns *8上升/下降时间(典型值)*8:5ns,6ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):40ns,40ns 电流 - 输出高,低:4A,6A 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):120kV/µs 脉宽失真(最大):20ns *8上升/下降时间(典型值)*8:10ns,10ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns 电流 - 输出高,低:17A,1 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):250ns *8上升/下降时间(典型值)*8:15ns,10ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):300ns,300ns 电流 - 输出高,低:- 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真(最大):5ns *8上升/下降时间(典型值)*8:5.5ns,8.5ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):50ns,50ns 电流 - 输出高,低:2.5A, 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA
1技术1:容性耦合
2通道数2:2
3电压-隔离(v)3:3750Vrms
8上升/下降时间(典型值)8:20ns,20ns(最大)
7电流-峰值输出7:500mA
4电压-正向(vf)(典型值):-
6电流-dc正向(if)6:-
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外壳:16-SOIC(3.90mm宽)
封装:16-SOIC
料号:GL7-1552
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品牌: SILICON/芯科 Silicon Labs 芯科科技
描述: DGTL ISO 3.75KV 1CH GATE DRVR
参数: 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5700Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):105ns,105ns 电流 - 输出高,低:1.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5700Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):105ns,105ns 电流 - 输出高,低:4.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):115ns,115ns 电流 - 输出高,低:4.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:3000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100kV/µs 脉宽失真(最大):20ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns,10ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):75ns,75ns 电流 - 输出高,低:2.4A, 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100V/ns 脉宽失真(最大):5.5ns *8上升/下降时间(典型值)*8:5ns,6ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):40ns,40ns 电流 - 输出高,低:4A,6A 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):120kV/µs 脉宽失真(最大):20ns *8上升/下降时间(典型值)*8:10ns,10ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns 电流 - 输出高,低:17A,1 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):250ns *8上升/下降时间(典型值)*8:15ns,10ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):300ns,300ns 电流 - 输出高,低:- 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真(最大):5ns *8上升/下降时间(典型值)*8:5.5ns,8.5ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):50ns,50ns 电流 - 输出高,低:2.5A, 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真(最大):5ns *8上升/下降时间(典型值)*8:5.5ns,8.5ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):50ns,50ns 电流 - 输出高,低:2.5A,
1技术1:容性耦合
2通道数2:1
3电压-隔离(v)3:5000Vrms
8上升/下降时间(典型值)8:5.5ns,8.5ns
7电流-峰值输出7:4A
4电压-正向(vf)(典型值):-
6电流-dc正向(if)6:-
5电压-电源(vin)5:9.5V ~ 30V
外壳:16-SOIC(7.50mm宽)
封装:16-SOIC
料号:GL7-1553
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI8285BC-IS' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SILICON/芯科' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI8285BC-IS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI8285BC-IS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI8285BC-IS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: SI8233AC-D-IS1
品牌: SILICON/芯科 Silicon Labs 芯科科技
描述: DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 16SOIC
参数: 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5700Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):105ns,105ns 电流 - 输出高,低:1.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5700Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):105ns,105ns 电流 - 输出高,低:4.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):115ns,115ns 电流 - 输出高,低:4.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:3000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100kV/µs 脉宽失真(最大):20ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns,10ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):75ns,75ns 电流 - 输出高,低:2.4A, 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100V/ns 脉宽失真(最大):5.5ns *8上升/下降时间(典型值)*8:5ns,6ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):40ns,40ns 电流 - 输出高,低:4A,6A 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):120kV/µs 脉宽失真(最大):20ns *8上升/下降时间(典型值)*8:10ns,10ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns 电流 - 输出高,低:17A,1 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):250ns *8上升/下降时间(典型值)*8:15ns,10ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):300ns,300ns 电流 - 输出高,低:- 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真(最大):5ns *8上升/下降时间(典型值)*8:5.5ns,8.5ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):50ns,50ns 电流 - 输出高,低:2.5A, 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真(最大):5ns *8上升/下降时间(典型值)*8:5.5ns,8.5ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):50ns,50ns 电流 - 输出高,低:2.5A, 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns,12ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:2A,4A
1技术1:容性耦合
2通道数2:2
3电压-隔离(v)3:3750Vrms
8上升/下降时间(典型值)8:12ns,12ns(最大)
7电流-峰值输出7:4A
4电压-正向(vf)(典型值):-
6电流-dc正向(if)6:-
5电压-电源(vin)5:6.5V ~ 24V
外壳:16-SOIC(3.90mm宽)
封装:16-SOIC
料号:GL7-1554
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI8233AC-D-IS1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SILICON/芯科' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI8233AC-D-IS1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI8233AC-D-IS1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI8233AC-D-IS1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: SI8235BC-D-IS1
品牌: SILICON/芯科 Silicon Labs 芯科科技
描述: DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 16SOIC
参数: 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5700Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):105ns,105ns 电流 - 输出高,低:1.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5700Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):105ns,105ns 电流 - 输出高,低:4.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):115ns,115ns 电流 - 输出高,低:4.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:3000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100kV/µs 脉宽失真(最大):20ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns,10ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):75ns,75ns 电流 - 输出高,低:2.4A, 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100V/ns 脉宽失真(最大):5.5ns *8上升/下降时间(典型值)*8:5ns,6ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):40ns,40ns 电流 - 输出高,低:4A,6A 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):120kV/µs 脉宽失真(最大):20ns *8上升/下降时间(典型值)*8:10ns,10ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns 电流 - 输出高,低:17A,1 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):250ns *8上升/下降时间(典型值)*8:15ns,10ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):300ns,300ns 电流 - 输出高,低:- 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真(最大):5ns *8上升/下降时间(典型值)*8:5.5ns,8.5ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):50ns,50ns 电流 - 输出高,低:2.5A, 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真(最大):5ns *8上升/下降时间(典型值)*8:5.5ns,8.5ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):50ns,50ns 电流 - 输出高,低:2.5A, 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns,12ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:2A,4A 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns,12ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:2A,4A
1技术1:容性耦合
2通道数2:2
3电压-隔离(v)3:3750Vrms
8上升/下降时间(典型值)8:12ns,12ns(最大)
7电流-峰值输出7:4A
4电压-正向(vf)(典型值):-
6电流-dc正向(if)6:-
5电压-电源(vin)5:6.5V ~ 24V
外壳:16-SOIC(3.90mm宽)
封装:16-SOIC
料号:GL7-1555
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合作现货:0
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品牌: SILICON/芯科 Silicon Labs 芯科科技
描述: DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 16SOIC
参数: 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5700Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):105ns,105ns 电流 - 输出高,低:1.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5700Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):150kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):105ns,105ns 电流 - 输出高,低:4.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100kV/µs 脉宽失真(最大):35ns *8上升/下降时间(典型值)*8:28ns,25ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):115ns,115ns 电流 - 输出高,低:4.5A, 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:3000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100kV/µs 脉宽失真(最大):20ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns,10ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):75ns,75ns 电流 - 输出高,低:2.4A, 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):100V/ns 脉宽失真(最大):5.5ns *8上升/下降时间(典型值)*8:5ns,6ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):40ns,40ns 电流 - 输出高,低:4A,6A 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):120kV/µs 脉宽失真(最大):20ns *8上升/下降时间(典型值)*8:10ns,10ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):60ns,60ns 电流 - 输出高,低:17A,1 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:光学耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):250ns *8上升/下降时间(典型值)*8:15ns,10ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):300ns,300ns 电流 - 输出高,低:- 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真(最大):5ns *8上升/下降时间(典型值)*8:5.5ns,8.5ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):50ns,50ns 电流 - 输出高,低:2.5A, 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:20ns,20ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:250mA 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:1 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真(最大):5ns *8上升/下降时间(典型值)*8:5.5ns,8.5ns 传播延迟 tplh / tphl(最大值):50ns,50ns 电流 - 输出高,低:2.5A, 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns,12ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:2A,4A 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns,12ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:2A,4A 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:SILICON/芯科 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3750Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):20kV/µs 脉宽失真(最大):5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns,12ns(最大) 传播延迟 tplh / tphl(最大值):45ns,45ns 电流 - 输出高,低:2A,4A
1技术1:容性耦合
2通道数2:2
3电压-隔离(v)3:3750Vrms
8上升/下降时间(典型值)8:12ns,12ns(最大)
7电流-峰值输出7:4A
4电压-正向(vf)(典型值):-
6电流-dc正向(if)6:-
5电压-电源(vin)5:6.5V ~ 24V
外壳:16-SOIC(3.90mm宽)
封装:16-SOIC
料号:GL7-1556
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI8238BC-D-IS1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SILICON/芯科' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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