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元器件型号：1903 件
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系列

  • *
  • -
  • Automotive
  • Automotive, AEC-Q100
  • Automotive, AEC-Q100, EiceDriver™
  • Automotive, AEC-Q100, R²Coupler™
  • Automotive, AEC-Q100, SCALE-iDriver™
  • Automotive, AEC-Q100, gapDRIVE™
  • EiceDriver™
  • IsoPower®, iCoupler®
  • NEPOC
  • OPIC™
  • OPTOPLANAR®
  • SCALE-iDriver™
  • iCoupler®
  • 在售
  • 汽车级，AEC-Q100
  • 汽车级，AEC-Q100，gapDRIVE™
清除

*技术

  • -
  • 光学耦合
  • 容性耦合
  • 磁耦合
清除

*类型

清除

*隔离式电源

清除

*通道数

  • -
  • 1
  • 2
  • 4
清除

输入 - 输入侧 1/输入侧 2

清除

*通道类型

清除

电压 - 隔离

  • -
  • 1
  • 1000Vrms
  • 1200Vrms
  • 1500VDC
  • 1667Vrms
  • 1700VDC
  • 2500Vrms
  • 3000Vrms
  • 3250Vrms
  • 3750VDC
  • 3750Vrms
  • 4000Vrms
  • 4243Vrms
  • 4500Vrms
  • 5000Vrms
  • 5300Vrms
  • 5700Vrms
  • 7500Vrms
清除

共模瞬态抗扰度（最小值）

  • -
  • 1
  • 1.5kV/µs
  • 5kV/µs
  • 9kV/µs
  • 10kV/µs
  • 15kV/µs
  • 20kV/µs
  • 25kV/µs
  • 30kV/µs
  • 30kV/µs（标准
  • 30kV/µs（标准）
  • 35kV/µs
  • 35kV/µs（标准）
  • 40kV/µs
  • 45kV/µs
  • 48kV/µs
  • 50kV/µs
  • 50kV/µs（标准）
  • 75kV/µs
  • 100V/ns
  • 100V/µs
  • 100kV/µs
  • 120kV/µs
  • 125kV/µs
  • 150V/ns
  • 150kV/µs
  • 200kV/µs
  • 300kV/µs
  • 300kV/µs（标准）
  • 500V/µs（标准）
  • 2500Vrms
  • 3750Vrms
  • 4500Vrms
  • 5000Vrms
清除

*数据速率

清除

传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）

  • -
  • 0.7µs，1µs
  • 1µs，1µs
  • 2ms，0.5ms
  • 2ms， 0.12ms
  • 2µs，2µs
  • 5ms，5ms
  • 30ns，30ns
  • 30ns，58ns
  • 33ns，44ns
  • 36ns，36ns
  • 40ns，40ns
  • 40ns，48ns
  • 42ns，53ns
  • 42ns，58ns
  • 44ns, 44ns
  • 45ns，45ns
  • 50ns，50ns
  • 54ns，54ns
  • 55ns，40ns
  • 59ns，59ns
  • 60ns，40ns
  • 60ns，50ns
  • 60ns，60ns
  • 62ns，62ns
  • 65ns，65ns
  • 66ns，66ns
  • 68ns，68ns
  • 69ns，79ns
  • 72ns，75ns
  • 75ns，60ns
  • 75ns，75ns
  • 85ns，85ns
  • 90ns，90ns
  • 100ns，100ns
  • 105ns，75ns
  • 105ns，105ns
  • 110ns，110ns
  • 115ns，115ns
  • 120ns，120ns
  • 120ns，150ns
  • 128ns，128ns
  • 130ns， 121ns
  • 130ns，130ns
  • 131ns，137ns
  • 135ns，95ns
  • 145ns，165ns
  • 150ns，150ns
  • 160ns，160ns
  • 170ns，170ns
  • 170ns，190ns
  • 175ns，175ns
  • 200ns，200ns
  • 200ns，220ns
  • 210ns，210ns
  • 220ns，250ns
  • 250ns，250ns
  • 250ns，280ns
  • 250ns，300ns
  • 260ns，260ns
  • 300ns，300ns
  • 305ns, 325ns
  • 340ns，330ns
  • 350ns，250ns
  • 350ns，350ns
  • 400ns，400ns
  • 500ns，500ns
  • 650ns，650ns
  • 700ns，700ns
清除

脉宽失真（最大）

  • -
  • 2ns
  • 5.5ns
  • 5.6ns
  • 5ns
  • 6.5ns
  • 6ns
  • 8ns
  • 10ns
  • 10ns（
  • 13ns
  • 14ns
  • 15ns
  • 16.5n
  • 16ns
  • 18ns（
  • 19ns
  • 20ns
  • 25ns
  • 28ns
  • 30ns
  • 35ns
  • 40ns
  • 47ns
  • 50ns
  • 60ns
  • 65ns
  • 70ns
  • 70ns（
  • 75ns
  • 80ns
  • 90ns
  • 100ns
  • 120ns
  • 140ns
  • 150ns
  • 200ns
  • 230ns
  • 250ns
  • 300ns
  • 350ns
  • 500ns
清除

上升/下降时间（典型值）

  • -
  • 2.5ns，2.5ns （最大
  • 3.6ns，1.8ns（最大）
  • 3.6ns，2.5ns
  • 5.5ns，8.5ns
  • 5ns，6ns
  • 6.5ns，4.5ns
  • 6ns，6ns
  • 6ns，7ns
  • 8ns，8ns
  • 8ns，9ns
  • 9ns，6ns
  • 10.5ns，13.3ns
  • 10ns，9ns
  • 10ns，10ns
  • 10ns，15ns
  • 12ns，10ns
  • 12ns，12ns
  • 12ns，12ns（最大）
  • 13ns，13ns
  • 14ns，14ns
  • 14ns，19ns
  • 15ns，8ns
  • 15ns，10ns
  • 15ns，15ns
  • 15ns，15ns（最大）
  • 15ns，20ns
  • 16ns，14ns
  • 16ns，16ns
  • 17ns，17ns
  • 18ns，18ns
  • 18ns，20ns
  • 18ns，22ns
  • 20ns，10ns
  • 20ns，20ns
  • 20ns，20ns（最大）
  • 22ns，18ns
  • 23ns，22ns
  • 25ns，10ns（最大）
  • 25ns，25ns
  • 25ns，25ns（最大）
  • 25ns，30ns
  • 28ns，24ns（最大）
  • 28ns，25ns
  • 28ns，25ns（最大）
  • 29ns，14ns
  • 30ns，20ns
  • 30ns，30ns
  • 30ns，30ns（最大）
  • 30ns，50ns
  • 30ns，60ns
  • 32ns，18ns
  • 33ns，27ns
  • 34ns，34ns
  • 35ns，15ns
  • 35ns，25ns
  • 35ns，35ns
  • 37ns，30ns
  • 38ns，24ns
  • 40ns，40ns
  • 42ns，50ns
  • 43ns，40ns
  • 50ns，50ns
  • 55ns，10ns
  • 60ns，40ns
  • 60ns，50ns
  • 60ns，60ns
  • 70ns，35ns
  • 70ns，50ns
  • 75ns，55ns
  • 80ns，45ns
  • 90ns，81ns
  • 95ns，100ns
  • 100ns，100ns
  • 105ns，107ns
  • 120ns，150ns
  • 150ns，150ns
  • 200ns，200ns
  • 225ns，225ns（最大）
  • 450ns，450ns
  • 450ns，450ns（最大）
  • 465ns，460ns
  • 475ns, 447ns
  • 1125ns（最大），1125
清除

电压 - 电源

清除

工作温度

  • -
  • -20°C ~ 80°C
  • -20°C ~ 85°C
  • -25°C ~ 80°C
  • -30°C ~ 105°C
  • -40 to 125
  • -40¡ãC ~ 105¡
  • -40¡ãC ~ 125¡
  • -40°C ~ 85°C
  • -40°C ~ 100°C
  • -40°C ~ 105°C
  • -40°C ~ 110°C
  • -40°C ~ 125°C
  • -40°C ~ 125°C（TA）
  • -40°C ~ 125°C （TJ）
  • -40°C ~ 150°C
  • -40°C ~ 150°C（TJ）
  • -55 to 125
  • -55°C ~ 125°C
清除

安装类型

  • -
  • -40°C ~ 100°C
  • 表面贴装
  • 表面贴装型
  • 通孔
清除
清除筛选 应用筛选 筛选结果： 1903
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： SI82398AD4-IS3R
品牌： SILICON/芯科 Silicon Labs 芯科科技
描述： 5 KV 6 V UVLO HS/LS ISOLATED GAT
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:135ns，95ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:-
1技术1：容性耦合
2通道数2：2
3电压-隔离(v)3：3250Vrms
8上升/下降时间(典型值)8：12ns，12ns（最大）
7电流-峰值输出7：4A
4电压-正向(vf)(典型值)：-
6电流-dc正向(if)6：
5电压-电源(vin)5：6.5V ~ 24V
外壳：14-SOIC(7.50mm宽)
封装：14-SOIC
料号：GL7-1917
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI82398AD4-IS3R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SILICON/芯科' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI82398AD4-IS3R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI82398AD4-IS3R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI82398AD4-IS3R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SI82391BD-IS3R
品牌： SILICON/芯科 Silicon Labs 芯科科技
描述： 5 KV 8 V UVLO DUAL ISOLATED GATE
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:135ns，95ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:-
1技术1：容性耦合
2通道数2：2
3电压-隔离(v)3：3250Vrms
8上升/下降时间(典型值)8：12ns，12ns（最大）
7电流-峰值输出7：4A
4电压-正向(vf)(典型值)：-
6电流-dc正向(if)6：
5电压-电源(vin)5：10V ~ 24V
外壳：14-SOIC(7.50mm宽)
封装：14-SOIC
料号：GL7-1918
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI82391BD-IS3R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SILICON/芯科' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI82391BD-IS3R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI82391BD-IS3R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI82391BD-IS3R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SI82397CD-IS3R
品牌： SILICON/芯科 Silicon Labs 芯科科技
描述： 5 KV 12 V UVLO DUAL ISOLATED GAT
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:135ns，95ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:-
1技术1：容性耦合
2通道数2：2
3电压-隔离(v)3：3250Vrms
8上升/下降时间(典型值)8：12ns，12ns（最大）
7电流-峰值输出7：4A
4电压-正向(vf)(典型值)：-
6电流-dc正向(if)6：
5电压-电源(vin)5：12.8V ~ 24V
外壳：14-SOIC(7.50mm宽)
封装：14-SOIC
料号：GL7-1919
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI82397CD-IS3R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SILICON/芯科' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI82397CD-IS3R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI82397CD-IS3R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI82397CD-IS3R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： SI82395BD-IS3R
品牌： SILICON/芯科 Silicon Labs 芯科科技
描述： 5 KV 8 V UVLO DUAL ISOLATED GATE
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:135ns，95ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:-
1技术1：容性耦合
2通道数2：2
3电压-隔离(v)3：3250Vrms
8上升/下降时间(典型值)8：12ns，12ns（最大）
7电流-峰值输出7：4A
4电压-正向(vf)(典型值)：-
6电流-dc正向(if)6：
5电压-电源(vin)5：10V ~ 24V
外壳：14-SOIC(7.50mm宽)
封装：14-SOIC
料号：GL7-1920
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI82395BD-IS3R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SILICON/芯科' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： SI82396CD-IS3R
品牌： SILICON/芯科 Silicon Labs 芯科科技
描述： 5 KV 12 V UVLO DUAL ISOLATED GAT
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:135ns，95ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:-
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2通道数2：2
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7电流-峰值输出7：4A
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6电流-dc正向(if)6：
5电压-电源(vin)5：12.8V ~ 24V
外壳：14-SOIC(7.50mm宽)
封装：14-SOIC
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品牌： SILICON/芯科 Silicon Labs 芯科科技
描述： 5 KV 6 V UVLO DUAL ISOLATED GATE
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:135ns，95ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:-
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封装：14-SOIC
料号：GL7-1922
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品牌： SILICON/芯科 Silicon Labs 芯科科技
描述： 5 KV 8 V UVLO HS/LS ISOLATED GAT
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:135ns，95ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:55ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:-
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2通道数2：2
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5电压-电源(vin)5：10V ~ 24V
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料号：GL7-1923
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品牌： SILICON/芯科 Silicon Labs 芯科科技
描述： 5 KV 12 V UVLO DUAL ISOLATED GAT
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:135ns，95ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:55ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:-
1技术1：容性耦合
2通道数2：2
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5电压-电源(vin)5：12.8V ~ 24V
外壳：14-SOIC(7.50mm宽)
封装：14-SOIC
料号：GL7-1924
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品牌： SILICON/芯科 Silicon Labs 芯科科技
描述： 5 KV 6 V UVLO DUAL ISOLATED GATE
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:135ns，95ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:55ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:-
1技术1：容性耦合
2通道数2：2
3电压-隔离(v)3：3250Vrms
8上升/下降时间(典型值)8：12ns，12ns（最大）
7电流-峰值输出7：4A
4电压-正向(vf)(典型值)：-
6电流-dc正向(if)6：
5电压-电源(vin)5：6.5V ~ 24V
外壳：14-SOIC(7.50mm宽)
封装：14-SOIC
料号：GL7-1925
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI82390AD-IS3R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SILICON/芯科' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： SI82394AD-IS3R
品牌： SILICON/芯科 Silicon Labs 芯科科技
描述： 5 KV 6 V UVLO HS/LS ISOLATED GAT
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:135ns，95ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:55ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:55ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:-
1技术1：容性耦合
2通道数2：2
3电压-隔离(v)3：3250Vrms
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5电压-电源(vin)5：6.5V ~ 24V
外壳：14-SOIC(7.50mm宽)
封装：14-SOIC
料号：GL7-1926
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品牌： SILICON/芯科 Silicon Labs 芯科科技
描述： 5 KV 8 V UVLO HS/LS ISOLATED GAT
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:135ns，95ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:55ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:55ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:135ns，95ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:-
1技术1：容性耦合
2通道数2：2
3电压-隔离(v)3：3250Vrms
8上升/下降时间(典型值)8：12ns，12ns（最大）
7电流-峰值输出7：4A
4电压-正向(vf)(典型值)：-
6电流-dc正向(if)6：
5电压-电源(vin)5：10V ~ 24V
外壳：14-SOIC(7.50mm宽)
封装：14-SOIC
料号：GL7-1927
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI82398BD4-IS3R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SILICON/芯科' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： SI82393CD-IS3R
品牌： SILICON/芯科 Silicon Labs 芯科科技
描述： 5 KV 12 V UVLO HS/LS ISOLATED GA
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:135ns，95ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:55ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:55ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:135ns，95ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:-
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2通道数2：2
3电压-隔离(v)3：3250Vrms
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7电流-峰值输出7：4A
4电压-正向(vf)(典型值)：-
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外壳：14-SOIC(7.50mm宽)
封装：14-SOIC
料号：GL7-1928
包装：
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型号： SI8233AD-D-IS3R
品牌： SILICON/芯科 Silicon Labs 芯科科技
描述： ISOLATED GATE DRIVER, 8 MM CREEP
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:135ns，95ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:55ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:55ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:135ns，95ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:-
1技术1：容性耦合
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8上升/下降时间(典型值)8：12ns，12ns
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5电压-电源(vin)5：6.5V ~ 24V
外壳：14-SOIC(7.50mm宽)
封装：14-SOIC
料号：GL7-1929
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参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:135ns，95ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:55ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:55ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:135ns，95ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:-
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6电流-dc正向(if)6：
5电压-电源(vin)5：6.5V ~ 24V
外壳：14-SOIC(7.50mm宽)
封装：14-SOIC
料号：GL7-1930
包装：
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型号： SI8235AD-D-IS3R
品牌： SILICON/芯科 Silicon Labs 芯科科技
描述： DUAL ISOLATED GATE DRIVER, 8 MM
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:135ns，95ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:55ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:55ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:135ns，95ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:-
1技术1：容性耦合
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品牌： SILICON/芯科 Silicon Labs 芯科科技
描述： DUAL ISOLATED GATE DRIVER, 8 MM
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:135ns，95ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:55ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:55ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:135ns，95ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:-
1技术1：容性耦合
2通道数2：2
3电压-隔离(v)3：5000Vrms
8上升/下降时间(典型值)8：12ns，12ns
7电流-峰值输出7：4A
4电压-正向(vf)(典型值)：-
6电流-dc正向(if)6：
5电压-电源(vin)5：6.5V ~ 24V
外壳：14-SOIC(7.50mm宽)
封装：14-SOIC
料号：GL7-1933
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI8238AD-D-IS3R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SILICON/芯科' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： SI8238BD-D-IS3R
品牌： SILICON/芯科 Silicon Labs 芯科科技
描述： DUAL ISOLATED GATE DRIVER, 8 MM
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1技术1：容性耦合
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8上升/下降时间(典型值)8：12ns，12ns
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5电压-电源(vin)5：6.5V ~ 24V
外壳：14-SOIC(7.50mm宽)
封装：14-SOIC
料号：GL7-1934
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI8238BD-D-IS3R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SILICON/芯科' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： SI82393CD-IS
品牌： SILICON/芯科 Silicon Labs 芯科科技
描述： IC DIGITAL ISOLATOR
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:135ns，95ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:55ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:55ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:135ns，95ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:- *2通道数*2:- *3电压-隔离(v)*3:- 共模瞬态抗扰度(最小值):- 脉宽失真（最大）:- *8上升/下降时间(典型值)*8:- 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:- 电流 - 输出高，低:- *7电流-峰值输出*7:- *4电压-正向(vf)(典型值)*:-
1技术1：-
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5电压-电源(vin)5：-
外壳：-
封装：-
料号：GL7-1935
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： SI823H1AB-IS1R
品牌： SILICON/芯科 Silicon Labs 芯科科技
描述： 2.5KV DUAL GATE DRIVERS, LOW PRO
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:135ns，95ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:55ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:55ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:135ns，95ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:3250Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):35kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns（最大） 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:40ns，40ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:5000Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):45kV/µs 脉宽失真（最大）:5.6ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:60ns，60ns 电流 - 输出高，低:2A，4A *7电流-峰值输出*7:4A *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:- *2通道数*2:- *3电压-隔离(v)*3:- 共模瞬态抗扰度(最小值):- 脉宽失真（最大）:- *8上升/下降时间(典型值)*8:- 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:- 电流 - 输出高，低:- *7电流-峰值输出*7:- *4电压-正向(vf)(典型值)*:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Silicon Labs 类目:- 替代选料:未设定 *1技术*1:容性耦合 *2通道数*2:2 *3电压-隔离(v)*3:2500Vrms 共模瞬态抗扰度(最小值):125kV/µs 脉宽失真（最大）:5ns *8上升/下降时间(典型值)*8:12ns，12ns 传播延迟 tplh / tphl（最大值）:30ns，58ns 电流 - 输出高，低:4A，4A *7电流-峰值输出*7:6A *4电压-正向(vf)(典型值)*:-
1技术1：容性耦合
2通道数2：2
3电压-隔离(v)3：2500Vrms
8上升/下降时间(典型值)8：12ns，12ns
7电流-峰值输出7：6A
4电压-正向(vf)(典型值)：-
6电流-dc正向(if)6：
5电压-电源(vin)5：5.5V ~ 30V
外壳：16-SOIC(3.90mm宽)
封装：16-SOIC
料号：GL7-1936
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI823H1AB-IS1R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SILICON/芯科' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI823H1AB-IS1R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI823H1AB-IS1R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI823H1AB-IS1R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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