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元器件型号：5451 件
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制造商统称

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制造商统称

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类目

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*fet 类型

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*fet 功能

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*漏源极电压（vdss）

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*电流 - 连续漏极（id）

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不同id，vgs 时的rds on（最大值）

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不同 id 时的 vgs（th）（最大值）

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不同 vgs 时的栅极电荷（qg）

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不同 vds 时的输入电容（ciss）

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*功率 - 最大值

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： APTM50DUM17G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 500V 180A SP6
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:560nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28000pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：500V
3电流-连续漏极(id)3：180A
4最大功率值4：1250W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG10-1935
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM50DUM17G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM50DUM17G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM50DUM17G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM50DUM17G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTM100DUM90G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:560nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:78A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:744nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20700pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：1000V（1kV）
3电流-连续漏极(id)3：78A
4最大功率值4：1250W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG10-1936
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM100DUM90G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM100DUM90G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM100DUM90G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM100DUM90G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： APTM120DU15G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:560nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:78A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:744nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20700pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:175 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:748nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20600pF @ 25V
1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：60A
4最大功率值4：1250W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG10-1937
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM120DU15G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM120DU15G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM120DU15G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM120DU15G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APTSM120AM25CT3AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： POWER MODULE - SIC
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:560nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:78A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:744nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20700pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:175 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:748nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20600pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:148A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 80A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:544nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10200pF @ 1000V
1Fet类型1：2 个 N 通道（双），肖特基
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：148A（Tc）
4最大功率值4：937W
6工作温度6：-40°C ~ 175°C（TJ）
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG10-1938
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTSM120AM25CT3AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTSM120AM25CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTSM120AM25CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTSM120AM25CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： APTM20HM08FG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 4N-CH 200V 208A SP6
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:560nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:78A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:744nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20700pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:175 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:748nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20600pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:148A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 80A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:544nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10200pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:208A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V
1Fet类型1：4 个 N 通道（H 桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：200V
3电流-连续漏极(id)3：208A
4最大功率值4：781W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG10-1939
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM20HM08FG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM20HM08FG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM20HM08FG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM20HM08FG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： APTM50HM35FG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 4N-CH 500V 99A SP6
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:560nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:78A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:744nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20700pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:175 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:748nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20600pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:148A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 80A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:544nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10200pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:208A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:99A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 49.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V
1Fet类型1：4 个 N 通道（H 桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：500V
3电流-连续漏极(id)3：99A
4最大功率值4：781W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG10-1940
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM50HM35FG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： APTM50AM17FG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 500V 180A SP6
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:560nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:78A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:744nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20700pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:175 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:748nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20600pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:148A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 80A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:544nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10200pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:208A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:99A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 49.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:560nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28000pF @ 25V
1Fet类型1：2 个 N 通道（半桥）
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2漏源极电压(vdss)2：500V
3电流-连续漏极(id)3：180A
4最大功率值4：1250W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG10-1941
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM50AM17FG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM50AM17FG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM50AM17FG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： APTC90TAM60TPG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 6N-CH 900V 59A SP6-P
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:560nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:78A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:744nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20700pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:175 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:748nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20600pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:148A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 80A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:544nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10200pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:208A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:99A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 49.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:560nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28000pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V
1Fet类型1：6 N-沟道（3 相桥）
5Fet功能5：超级结
2漏源极电压(vdss)2：900V
3电流-连续漏极(id)3：59A
4最大功率值4：462W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP6
封装：SP6-P
料号：JTG10-1942
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTC90TAM60TPG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTC90TAM60TPG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： APTM100H18FG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:560nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:78A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:744nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20700pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:175 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:748nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20600pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:148A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 80A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:544nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10200pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:208A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:99A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 49.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:560nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28000pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:43A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:210 毫欧 @ 21.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:372nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10400pF @ 25V
1Fet类型1：4 个 N 通道（H 桥）
5Fet功能5：标准
2漏源极电压(vdss)2：1000V（1kV）
3电流-连续漏极(id)3：43A
4最大功率值4：780W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG10-1943
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTM100H18FG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM100H18FG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM100H18FG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM100H18FG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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2~5天可到达
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型号： APTM100AM90FG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6
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外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG10-1944
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型号： APTM120A15FG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6
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型号： APTM50AM24SCG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:560nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:78A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:744nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20700pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:175 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:748nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20600pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:148A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 80A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:544nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10200pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:208A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:99A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 49.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:560nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28000pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:43A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:210 毫欧 @ 21.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:372nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:78A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:744nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20700pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:175 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:748nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20600pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:434nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:19600pF @ 25V
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTM50AM24SCG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APTMC60TLM55CT3AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 4N-CH 1200V 55A SP3F
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:560nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:78A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:744nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20700pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:175 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:748nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20600pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:148A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 80A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:544nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10200pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:208A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:99A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 49.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:560nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28000pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:43A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:210 毫欧 @ 21.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:372nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:78A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:744nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20700pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:175 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:748nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20600pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:434nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:19600pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（三级反相器） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:48A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:49 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 2mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:98nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1900pF @ 1000V
1Fet类型1：4 个 N 通道（三级反相器）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：48A（Tc）
4最大功率值4：250W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG10-1947
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTMC60TLM55CT3AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTMC60TLM55CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTMC60TLM55CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTMC60TLM55CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTSM120AM14CD3AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： POWER MODULE - SIC
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:560nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:78A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:744nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20700pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:175 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:748nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20600pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:148A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 80A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:544nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10200pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:208A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:99A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 49.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:560nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28000pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:43A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:210 毫欧 @ 21.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:372nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:78A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:744nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20700pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:175 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:748nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20600pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:434nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:19600pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（三级反相器） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:48A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:49 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 2mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:98nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1900pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:337A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11 毫欧 @ 180A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 9mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1224nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:23000pF @ 1000V
1Fet类型1：2 个 N 通道（双），肖特基
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：337A（Tc）
4最大功率值4：2140W
6工作温度6：-40°C ~ 175°C（TJ）
外壳：*
封装：*
料号：JTG10-1948
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTSM120AM14CD3AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTSM120AM14CD3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTSM120AM14CD3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTSM120AM14CD3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： APTMC120AM20CT1AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 1200V 143A SP1
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:560nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:78A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:744nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20700pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:175 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:748nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20600pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:148A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 80A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:544nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10200pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:208A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:99A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 49.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:560nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28000pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:43A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:210 毫欧 @ 21.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:372nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:78A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:744nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20700pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:175 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:748nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20600pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:434nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:19600pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（三级反相器） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:48A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:49 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 2mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:98nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1900pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:337A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11 毫欧 @ 180A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 9mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1224nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:23000pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:143A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 100A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 2mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:360nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5960pF @ 1000V
1Fet类型1：2 N 沟道（相角）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：143A（Tc）
4最大功率值4：600W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP1
封装：SP1
料号：JTG10-1949
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTMC120AM20CT1AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： APTSM120AM09CD3AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2 N-CH 1200V 337A MODULE
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1Fet类型1：2 N-通道（双）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：337A（Tc）
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6工作温度6：-40°C ~ 175°C（TJ）
外壳：
封装：
料号：JTG10-1950
包装：
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型号： APTSM120TAM33CTPAG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： POWER MODULE - SIC
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:560nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:78A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:744nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20700pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:175 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:748nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20600pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） 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Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:175 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:748nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20600pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:434nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:19600pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（三级反相器） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:48A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:49 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 2mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:98nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1900pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） 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1Fet类型1：6 N-沟道（3 相桥）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：112A（Tc）
4最大功率值4：714W
6工作温度6：-40°C ~ 175°C（TJ）
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG10-1951
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTSM120TAM33CTPAG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： APTSM120AM08CT6AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： POWER MODULE - SIC
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:560nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:78A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:744nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20700pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:175 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:748nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20600pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） 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Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:175 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:748nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20600pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:434nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:19600pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（三级反相器） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:48A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:49 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 2mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:98nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1900pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:337A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11 毫欧 @ 180A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 9mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1224nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:23000pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:143A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 100A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 2mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:360nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5960pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:337A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11 毫欧 @ 180A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 9mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1224nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:23000pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:112A（Tc） 不同id，vgs 时的rds 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1Fet类型1：2 个 N 通道（双），肖特基
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：370A（Tc）
4最大功率值4：2300W
6工作温度6：-40°C ~ 175°C（TJ）
外壳：SP6
封装：SP6
料号：JTG10-1952
包装：
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状态： 在售
型号： APTMC170AM60CT1AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 1700V 53A SP1
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:560nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:78A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:744nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20700pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:175 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:748nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20600pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） 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Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:175 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:748nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20600pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:434nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:19600pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（三级反相器） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:48A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:49 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 2mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:98nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1900pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:337A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11 毫欧 @ 180A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 9mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1224nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:23000pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:143A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 100A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 2mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:360nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5960pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:337A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11 毫欧 @ 180A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 9mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1224nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:23000pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:112A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 60A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:408nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7680pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:370A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 200A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1360nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1360nC @ 20V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 50A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 2.5mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:190nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3080pF @ 1000V
1Fet类型1：2 N 沟道（相角）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1700V（1.7kV）
3电流-连续漏极(id)3：50A（Tc）
4最大功率值4：350W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP1
封装：SP1
料号：JTG10-1953
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTMC170AM60CT1AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTMC170AM60CT1AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTMC170AM60CT1AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTMC170AM60CT1AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTMC120AM12CT3AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： MOSFET 2N-CH 1200V 220A SP3F
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:560nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:78A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:744nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20700pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:175 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:748nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20600pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:148A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:25 毫欧 @ 80A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 4mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:544nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10200pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:200V *3电流-连续漏极(id)*3:208A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:99A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:39 毫欧 @ 49.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:280nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14000pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:180A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:20 毫欧 @ 90A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:560nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:28000pF @ 25V 系列:CoolMOS™ 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:超级结 *2漏源极电压(vdss)*2:900V *3电流-连续漏极(id)*3:59A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 52A、 10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:540nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13600pF @ 100V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（H 桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:43A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:210 毫欧 @ 21.5A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:372nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10400pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1000V（1kV） *3电流-连续漏极(id)*3:78A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:105 毫欧 @ 39A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:744nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20700pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:标准 *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:60A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:175 毫欧 @ 30A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:748nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20600pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（半桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:500V *3电流-连续漏极(id)*3:150A 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:28 毫欧 @ 75A，10V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:434nC @ 10V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:19600pF @ 25V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:4 个 N 通道（三级反相器） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:48A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:49 毫欧 @ 40A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.2V @ 2mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:98nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1900pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:337A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11 毫欧 @ 180A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 9mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1224nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:23000pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:143A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:17 毫欧 @ 100A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 2mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:360nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5960pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N-通道（双） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:337A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:11 毫欧 @ 180A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 9mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1224nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:23000pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:6 N-沟道（3 相桥） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:112A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:33 毫欧 @ 60A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 3mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:408nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7680pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 个 N 通道（双），肖特基 *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:370A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:10 毫欧 @ 200A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:3V @ 10mA 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:1360nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1360nC @ 20V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1700V（1.7kV） *3电流-连续漏极(id)*3:50A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:60 毫欧 @ 50A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.3V @ 2.5mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:190nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3080pF @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1Fet类型*1:2 N 沟道（相角） *5Fet功能*5:碳化硅（SiC） *2漏源极电压(vdss)*2:1200V（1.2kV） *3电流-连续漏极(id)*3:220A（Tc） 不同id，vgs 时的rds on（最大值）:12 毫欧 @ 150A，20V 不同 id 时的 vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（标准） 不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:483nC @ 20V 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8400pF @ 1000V
1Fet类型1：2 N 沟道（相角）
5Fet功能5：碳化硅（SiC）
2漏源极电压(vdss)2：1200V（1.2kV）
3电流-连续漏极(id)3：220A（Tc）
4最大功率值4：925W
6工作温度6：-40°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SP3
封装：SP3
料号：JTG10-1954
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTMC120AM12CT3AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTMC120AM12CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTMC120AM12CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTMC120AM12CT3AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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